MPSA42-BK
MPSA42-BK
NPN High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren NPN
Version 2011-07-07
Dimensions / Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Special packaging bulk
Sonder-Lieferform Schüttgut
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA42
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc) IC500 mA
Base current – Basisstrom IB100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 200 V MPSA42 ICB0 – – 100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, VEB = 6 V MPSA42 IEB0 – – 100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
IC = 20 mA, IB = 2 mA MPSA42 VCEsat – – 500 mV
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2 x 1.27
EB C
4.6
±0.1
4.6
±0.1
min 12.5