BPW 21
Semiconductor Group 1 1998-11-13
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich
Silicon Photodiode for the visible spectral range
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 820 nm
●Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)
●Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
TO-5)
Anwendungen
●Belichtungsmesser für Tageslicht
●Für Kunstlicht mit hoher Farbtemperatur in
der Fotografie und Farbanalyse
Features
●Especially suitable for applications from
350 nm to 820 nm
●Adapted to human eye sensitivity (Vλ)
●Hermetically sealed metal package (similar
to TO-5)
Applications
●Exposure meter for daylight
●For artificial light of high color temperature in
photographic fields and color analysis
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPW 21 Q62702-P885
BPW 21
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fmo06011
BPW 21
Semiconductor Group 2 1998-11-13
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 80 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS235 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR10 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 250 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T= 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T= 2856 K)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity S10 (≥ 5.5) nA/lx
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 550 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ350 ... 820 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.34 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.73 ×2.73 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H1.9 ... 2.3 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±55 Grad
deg.
BPW 21
Semiconductor Group 3 1998-11-13
Dunkelstrom
Dark current
VR = 5 V
VR = 10 mV IR
IR
2 (≤ 30)
8 (≤ 200) nA
pA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 550 nm
Spectral sensitivity Sλ0.34 A/W
Quantenausbeute, λ = 550 nm
Quantum yield η0.80 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage VO400 (≥ 320) mV
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current ISC 10 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 1 kΩ; VR= 5 V; λ = 550 nm; Ip = 10 µA
tr,tf1.5 µs
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.2 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C0580 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI– 0.05 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 5 V, λ = 550 nm
NEP 7.2 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 5 V, λ = 550 nm
Detection limit D* 1 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T= 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T= 2856 K) (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPW 21
Semiconductor Group 4 1998-11-13
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot =f (TA )
Dark current
IR=f (TA), VR= 5 V
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
