V23990-P544-A
final datasheet
flow PIM
0, 600V Version 05/03
Characteristic values
Description Symbol Conditions Datasheet values Unit
T(C°) Other conditions VGE(V)
VR(V)
VCE(V)
IC(A)
IF(A)
(Rgon-Rgoff) VGS(V) VDS(V) Id(A) Min Typ Max
Input Rectifier Bridge
Gleichrichter
Forward voltage VFTj=25°C 30 1,22 1,45 V
Durchlaßpannung Tj=125°C 1,21
Threshold voltage (for power loss calc. only) Vto Tj=25°C 30 0,92 V
Schleusenspannung Tj=125°C 0,81
Slope resistance (for power loss calc. only) rtTj=25°C 0,01 Ohm
Ersatzwiderstand Tj=125°C 30 0,013
Reverse current IrTj=25°C 1200 0,02 mA
Sperrstrom Tj=150°C 4
Thermal resistance chip to heatsink per chip RthJH
Thermal grease
thickness≤50um 1,95 K/W
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip
Warmeleitpaste
Dicke≤50um
λ = 0,61 W/mK 1,287
Transistor Inverter, inductive load
Transistor Wechselrichter
Gate emitter threshold voltage VGE(th) Tj=25°C VCE=VGE 0,0004 3 4 5 V
Gate-Schwellenspannung Tj=125°C
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Tj=25°C 15 15 2,16 2,8 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Tj=125°C 2,57
Collector-emitter cut-off ICES Tj=25°C 0 600 0,1 mA
Kollektor-Emitter Reststrom Tj=125°C 2
Gate-emitter leakage current IGES Tj=25°C 25 0 200 nA
Gate-Emitter Reststrom Tj=125°C
Integrated Gate resistor Rgint - Ohm
Integrirter Gate Widerstand
Turn-on delay time td(on) Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 ns
Einschaltverzögerungszeit Tj=125°C Rgoff=20Ohm 18
Rise time trTj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 ns
Anstiegszeit Tj=125°C Rgoff=20Ohm 19
Turn-off delay time td(off) Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 ns
Abschaltverzögerungszeit Tj=125°C Rgoff=20Ohm 242
Fall time tfTj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 ns
Fallzeit Tj=125°C Rgoff=20Ohm 32
Turn-on energy loss per pulse Eon Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C Rgoff=20Ohm 0,324
Turn-off energy loss per pulse Eoff Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls Tj=125°C Rgoff=20Ohm 0,368
Input capacitance Cies Tj=25°C f=1MHz 0 25 0,8 0,96 nF
Eingangskapazität Tj=125°C
Output capacitance Coss Tj=25°C f=1MHz 0 25 0,084 0,101 nF
Ausgangskapazität Tj=125°C
Reverse transfer capacitance Crss Tj=25°C f=1MHz 0 25 0,052 0,062 nF
Rückwirkungskapazität Tj=125°C
Gate charge QGate Tj=25°C 15 480 15 76 99 nC
Gate Ladung Tj=125°C
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip RthJH
Thermal grease
thickness≤50um 1,7 K/W
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Warmeleitpaste
Dicke≤50um
λ = 0,61 W/mK 1,122
Diode Inverter
Diode Wechselrichter
Diode forward voltage VFTj=25°C 15 1,96 2,3 V
Durchlaßspannung Tj=125°C 1,55
Peak reverse recovery current IRRM Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 A
Rückstromspitze Tj=125°C 19
Reverse recovery time trr Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 ns
Sperreverzögerungszeit Tj=125°C 58
Reverse recovered charge Qrr Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 uC
Sperrverzögerungsladung Tj=125°C 0,65
Reverse recovered energy Erec Tj=25°C Rgon=40Ohm 15 300 15 mWs
Sperrverzögerungsenergie Tj=125°C 0,078
Thermal resistance chip to heatsink per chip
Wärmewiderstand Chip-Kühlkörper pro Chip RthJH
Thermal grease
thickness≤50um 2,43 K/W
Thermal resistance chip to case per chip
Wärmewiderstand Chip-Gehause pro Chip
Warmeleitpaste
Dicke≤50um
λ = 0,61 W/mK 1,6038
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