SFH 225 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
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Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
• Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
• Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern und Gerätefernsteuerungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 225 FA Q62702-P1051
Features
• Especially suitable for applications of 880 nm
• Short-switching time (typ. 20 ns)
• 5 mm LED plastic package
• Also available on tape and reel
Applications
• IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
• Photointerrupters
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SFH 225 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 … + 80 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse entfernt
bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case
bottom (t≤ 3 s)
TS230 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR20 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
IP34 (≥25) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ740 … 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A4.84 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×B
L×W2.20 ×2.20 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface H0.6 … 0.8 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
SFH 225 FA
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Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.63 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.90 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO330 (≥250) mV
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 17 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C048 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.18 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 3.6 ×10– 14
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit D* 6.1 ×1012
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
W
Hz
------------
cm Hz×
W
--------------------------
SFH 225 FA
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Relative Spectral Sensitivity
Srel = f (λ)
Dark Current
IR = f (VR), E = 0
Directional Characteristics
Srel = f (ϕ)
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f (Ee)
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
E
OHF01056
e
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
Total Power Dissipation
Ptot = f (TA)
Dark Current
IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0
T
OHF00398
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
SFH 225 FA
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
3.8 (0.150)
7.2 (0.283)
6.6 (0.260)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
2.54 (0.100)
spacing
1.1 (0.043)
0.7 (0.028)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016) 0.75 (0.030)
0.45 (0.018)
35.5 (1.398)
33.5 (1.319)
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
3.1 (0.122)
2.6 (0.102)
5.1 (0.201)
4.6 (0.181)
Photosensitive
area
GEOY6422
Cathode
Surface
not flat
