Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar Planepox 2N 2921 2N 2922 2N 2923 2N 2924 2N 2925 - Amplification BF petits signaux LF small signal amplification - Usage gnral * Dispositif recommand Pretered device Donnes principales Principal features General use Vceo 23V 35-70 2N 2921 55 -110 2N 2922 hate (2 mA) 90 -180 2N 2923 150 -300 2N 2924 235 -470 2N 2925 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation fr 200 MHz typ. Prot nw Boitier plastique TO-98 150 N Plastic case 10 \ 50 \ E B c 0 25 50 75 100 tamb(C} Valeurs limites absolues d'utilisation @ tambp= 25C Absolute ratings (limiting values) Tension collecteur-base Collector-base voltage Vcso 25 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEO 25 v Tension metteur-base Emitter-base voltage Vepo 5 v Courant collecteur Collector current lo 100 mA Dissipation de puissance Power dissipation Prot 200 mW Temprature de jonction Junction tomperatore max. yj 100 c Temprature de stockage min. t 55 c Storage temperature max. stg +125 1970-11 1/2 Seswese ni2N 2921 2N 2922 2N 2923 2N 2924 2N 2925 Caractristiques gnrales 4 tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Courant rsiduel collecteur-base (Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Af =1Hz Collector-base cut-off current 'cBo 0,5 HA Courant rsiduel collecteur-base 4 haute temprature t 15 A High temperature collector-base cut-off CBO ui current Courant rsiduel metteur-base \ 05 A Emitter-base cut-off current EBO ' Hu 2N 2921 35 Ni Valeur statique du rapport du transfert t =2mA 2N 2922 60 direct du courant Vop= 4.5 V 2N 2923] hoe 120 Stati a f. i ~oNe tatic forward current transfer ratio c ON 2924 160 2N 2925 220 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (ter smalt sigaats} 2N 2921 35 70 Io =2mA 2N 2922 55 110 Rapport de transfert direct du courant _ Forward current transfer ratio Voce =10V 2N 2923 Note 90 180 f =1kHz 2N 2924 150 300 2N 2925 235 470 Impd 4 oe =2mA mpdance dentre = lonet impedance Vcp= 10V N4b 15 2 f =1kHz Frq Ie =4 mA uence de transition = Transition frequency Vos =5V tr 200 MHz f = 100 MHz Capacit 4 Vegri0v pacit de sortie = Output capacitance i E = 0 C22b 45 12 pF f =1MHz le =100 vA F d Vce=5V acteur de bruit = c Noise figure Rg =2kQ 2N 2925 t 28 aB f = 10 kHz 2/2