SPL Byxx
Unmontierter Laser barren 10 W cw ... 120 W qcw
Unmounted Laser Bars 10 W cw ... 120 W qcw
Vorläufige Daten / Preliminary Data
2000-11-07 1
Besondere Merkmale
• Unmontierter Laserbarren
• Hoch-effiziente MOVPE Quantenfilmstruktur
• Absolut zuverlässiges kompressiv verspanntes
InGa(Al)As/GaAs Material
• Standard-Wellenlängenselektion von ±3nm,
weitere auf Anfrage
• Lötbare p- und n-seitige Metallisierung
Anwendungen
• Pumpen von Festkörperlasern
(Nd, Yb, Er, Ho, …)
• Direkte Materialbearbeitung (Löten,
Oberflächenbearbeitung, Markieren,
Schweißen, etc.)
• Erwärmen, Beleuchten
• Anwendungen im medizinischen und
Druckerei-Bereich
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Features
• Unmounted monolithic linear array
• High-efficiency MOVPE-grown quantum-well
structure
• Highly-reliable strained-layer
InGa(Al)As/GaAs material
• Standard wavelength selection is ±3nm,
others on request
• Solderable p- and n-side metallization
Applications
• Pumping of solid state lasers
(Nd, Yb, Er, Ho, …)
• Direct material processing (soldering, surface
treatment, marking, welding, etc.)
• Heating, illumination
• Medical and printing application
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
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SPL Byxx
Typ
Type Leistung
Power Wellenlänge1)
Wavelength1) Bestellnummer
Ordering Code
SPL BW81 10 W … 20 W cw 808 nm Q62702-P3573
SPL BX81 30 W … 40 W cw 808 nm Q62702-P5241
SPL BX83 830 nm Q62702-P5242
SPL BX94 940 nm Q62702-P5243
SPL BX98 975 nm Q62702-P5244
SPL BG81 40 W … 50 W cw 808 nm Q62702-P1654
SPL BG94 940 nm Q62702-P1733
SPL BG98 975 nm Q62702-P3259
SPL BS81 60 W … 120 W qcw 808 nm Q62702-P1719
SPL BS94 940 nm Q62702-P3258
1) Andere W ellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm sind auf Anfra ge erhältlich.
Other wav elengths in th e range of 780 nm … 9 80 nm are availab le on request.
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol λop Werte
Values Einheit
Unit
BWxx BXxx BGxx BSxx
Empfohlene Ausgangsleistung1)
Recommended output power1) Pop –10 …
20 cw 30 …
40 cw 40 …
50 cw 60 …
120 qcw W
Zerstörgrenze1) 2)
Catastrophic optical damage limit1) 2) PCOD –> 85 > 100 > 150 > 270 W
Schwellstrom2)
Threshold current2) Ith 808 nm
830 nm
940 nm
975 nm
< 12
–
–
–
< 14
< 14
< 8
< 8
< 20
–
< 12
< 12
< 24
–
< 16
–
A
Differentielle Quanten-Effizienz2)
Differential quantum efficiency2) η808 nm
830 nm
940 nm
975 nm
> 1.0
> 1.0
> 0.85
> 0.85
W / A
Gesamter Konversionswirkungsgrad1)
Total conversion efficiency1) ηtot –> 38 %
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)
Beam divergence (FWHM) θ⊥ × θII –38° × 12°Grad
deg.
SPL Byxx
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Zentrale Impulswellenlänge2)3)
Standard pulse center wavelength2)3) λpulse 808 nm
830 nm
940 nm
975 nm
804
–
–
–
801
823
934
968
801
–
934
968
804
–
934
–
nm
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)
Spectral width (FWHM) ∆λ –< 4 nm
Packungsdichte
Filling factor F–24 28.5 50 77 %
Einzelne Emitteröffnung
Single emitter aperture w–100 150 200 100 µm
Teilung
Pitch p–400 500 400 126 µm
Barrenbreite
Bar width W–10 9.5 10 mm
1) Abhängig von der Montagetec hnik, d.h. vo m ent sp rec henden th erm is c hen Widerst and.
Depending on mounting technique, i.e. on the resulting thermal resistance.
2) Von Mess ungen an einem Em it t er eines unmontierten Ba rren (1 µs Pulse bei 1 kHz Wiederholun gs f requenz).
From measuremen ts on one emitt er of an unm ounted bar (1 µs pulses at 1 kHz repetition rate).
3) Andere Pulswellenlängen sind au f An fr age erhältlich.
Other pul se wav elengths ar e av ailable on request
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol λop Werte
Values Einheit
Unit
BWxx BXxx BGxx BSxx
