Unmontierter Laserbarren 10 W cw ... 120 W qcw Unmounted Laser Bars 10 W cw ... 120 W qcw SPL Byxx Vorlaufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Features * Unmontierter Laserbarren * Hoch-effiziente MOVPE Quantenfilmstruktur * Absolut zuverlassiges kompressiv verspanntes InGa(Al)As/GaAs Material * Standard-Wellenlangenselektion von 3 nm, weitere auf Anfrage * Lotbare p- und n-seitige Metallisierung * Unmounted monolithic linear array * High-efficiency MOVPE-grown quantum-well structure * Highly-reliable strained-layer InGa(Al)As/GaAs material * Standard wavelength selection is 3 nm, others on request * Solderable p- and n-side metallization Anwendungen Applications * Pumpen von Festkorperlasern (Nd, Yb, Er, Ho, ...) * Direkte Materialbearbeitung (Loten, Oberflachenbearbeitung, Markieren, Schweien, etc.) * Erwarmen, Beleuchten * Anwendungen im medizinischen und Druckerei-Bereich * Pumping of solid state lasers (Nd, Yb, Er, Ho, ...) * Direct material processing (soldering, surface treatment, marking, welding, etc.) * Heating, illumination * Medical and printing application Sicherheitshinweise Safety Advices Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare InfrarotStrahlung, die gefahrlich fur das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, mussen gema den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt werden. Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 60825-1 "Safety of laser products". 2000-11-07 1 SPL Byxx Typ Type Leistung Power Wellenlange1) Wavelength1) Bestellnummer Ordering Code SPL BW81 10 W ... 20 W cw 808 nm Q62702-P3573 SPL BX81 30 W ... 40 W cw 808 nm Q62702-P5241 SPL BX83 830 nm Q62702-P5242 SPL BX94 940 nm Q62702-P5243 SPL BX98 975 nm Q62702-P5244 808 nm Q62702-P1654 SPL BG94 940 nm Q62702-P1733 SPL BG98 975 nm Q62702-P3259 808 nm Q62702-P1719 940 nm Q62702-P3258 SPL BG81 SPL BS81 40 W ... 50 W cw 60 W ... 120 W qcw SPL BS94 1) Andere Wellenlangen im Bereich von 780 nm ... 980 nm sind auf Anfrage erhaltlich. Other wavelengths in the range of 780 nm ... 980 nm are available on request. Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol op Werte Values Einheit Unit BWxx BXxx BGxx BSxx Empfohlene Ausgangsleistung1) Recommended output power1) Pop - 10 ... 20 cw 30 ... 40 cw 40 ... 50 cw 60 ... W 120 qcw Zerstorgrenze1) 2) Catastrophic optical damage limit1) 2) PCOD - > 85 > 100 > 150 > 270 W Schwellstrom2) Threshold current2) Ith 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm < 12 - - - < 14 < 14 <8 <8 < 20 - < 12 < 12 < 24 - < 16 A Differentielle Quanten-Effizienz2) Differential quantum efficiency2) Gesamter Konversionswirkungsgrad1) tot Total conversion efficiency1) Strahldivergenz (Halbwertsbreite) Beam divergence (FWHM) 2000-11-07 x II 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm > 1.0 > 1.0 > 0.85 > 0.85 - > 38 - 38 x 12 2 - W/A % Grad deg. SPL Byxx Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Zentrale Impulswellenlange2)3) pulse Standard pulse center wavelength2)3) op 808 nm 830 nm 940 nm 975 nm Werte Values Einheit Unit BWxx BXxx BGxx BSxx 804 - - - 801 823 934 968 801 - 934 968 804 - 934 - nm Spektrale Breite (Halbwertsbreite) Spectral width (FWHM) - Packungsdichte Filling factor F - 24 28.5 50 77 % Einzelne Emitteroffnung Single emitter aperture w - 100 150 200 100 m Teilung Pitch p - 400 500 400 126 m Barrenbreite Bar width W - 10 9.5 <4 nm 10 mm 1) Abhangig von der Montagetechnik, d.h. vom entsprechenden thermischen Widerstand. Depending on mounting technique, i.e. on the resulting thermal resistance. 2) Von Messungen an einem Emitter eines unmontierten Barren (1 s Pulse bei 1 kHz Wiederholungsfrequenz). From measurements on one emitter of an unmounted bar (1 s pulses at 1 kHz repetition rate). 3) Andere Pulswellenlangen sind auf Anfrage erhaltlich. Other pulse wavelengths are available on request 2000-11-07 3