Semiconductor Group 1 11.96
3 mm (T1) LED, Non Diffused
Super-Bright LED LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
VEX06711
Besondere Merkmale
eingefärbtes, klares Gehäuse
hohe Lichtstärke
zur Einkopplung in Lichtleiter
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
colored, clear package
high luminous intensity
optical coupling into light pipes
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group 2
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.
Typ
Type Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3341-LP
LS 3341-M
LS 3341-N
LS 3341-P
LS 3341-MQ
super-red red clear 10.0… 80.0
16.0… 32.0
25.0… 50.0
40.0… 80.0
16.0… 125.0
Q62703-Q3911
Q62703-Q2146
Q62703-Q2147
Q62703-Q3445
Q62703-Q2148
LY 3341-LP
LY 3341-M
LY 3341-N
LY 3341-P
LY 3341-MQ
yellow yellow clear 10.0 … 80.0
16.0 … 32.0
25.0 … 50.0
40.0… 80.0
16.0 … 125.0
Q62703-Q2152
Q62703-Q2151
Q62703-Q2398
Q62703-Q3234
Q62703-Q2149
LG 3341-KN
LG 3341-M
LG 3341-N
LG 3341-MQ
green green clear 6.3… 50.0
16.0 … 32.0
25.0 … 50.0
16.0 … 125.0
Q62703-Q2153
Q62703-Q2155
Q62703-Q3187
Q62703-Q2156
LP 3341-JM
LP 3341-K
LP 3341-L
LP 3341-M
LP 3341-KN
pure green green clear 4.0 … 32.0
6.3… 12.5
10.0 … 20.0
16.0 … 32.0
6.3… 50.0
Q62703-Q3815
Q62703-Q3816
Q62703-Q2986
Q62703-Q2919
Q62703-Q2750
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Semiconductor Group 3
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS, LY, LG LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj+ 100 ˚C
Durchlaßstrom
Forward current IF40 30 mA
Stoßstrom
Surge current
t 10 µs, D = 0.005
IFM 0.5 A
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Verlustleistung
Power dissipation
TA 25 ˚C
Ptot 140 100 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA 400 K/W
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Semiconductor Group 4
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LY LG LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
IF = 20 mA
λpeak 635 586 565 557 nm
Dominantwellenlänge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
IF = 20 mA
λdom 628 590 570 560 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.)
IF = 20 mA
∆λ 45 45 25 22 nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ40 40 40 40 Grad
deg.
Durchlaßspannung (typ.)
Forward voltage (max.)
IF = 10 mA
VF
VF
2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 2.0
2.6 V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Kapazität (typ.)
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
C012 10 15 15 pF
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 % (typ.)
IV from 90 % to 10 % (typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50
tr
tf
300
150 300
150 450
200 450
200 ns
ns
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Semiconductor Group 5
Relative spektrale Emission Irel =f(λ), TA= 25 ˚C, IF= 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel =f(ϕ)
Radiation characteristic
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Semiconductor Group 6
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
Dominantwellenlänge λdom =f(TA)
Dominant wavelength
IF= 20 mA
Wellenlänge der Strahlung λpeak =f(TA)
Wavelength at peak emission
IF= 20 mA
Durchlaßspannung VF=f(TA)
Forward voltage
IF= 10 mA
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341
Semiconductor Group 7
Durchlaßstrom IF=f(VF)
Forward current
TA= 25 ˚C
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß
Cathode mark: Short solder lead
GEX06711
LS 3341, LY 3341, LG 3341
LP 3341