Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPWN silicon transistors Epitaxial planar 2N 1889 2N 1890 - Amplification BF LF amplification - Commutation Switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot (w) 3 ING tambl?C) M (ec) (2) tease 7K Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo 80 V 40 - 120 fy 50 MHz min. 2N 1889 60 MHz min. 2N 1890 2N 1889 2N 1890 ase Boitier T0-39 Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamb= 25C Absolute ratings (limiting values} (Saut indications contraires ) {Waless oth e specified) Tension collecteur-base Vv, Collector-base voltage CBO 100 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Reg 102 VceR 80 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEo 60 Tension metteur-base Vv Emitter-base voltage EBO 7 Vv =250 0,8 Dissipation de puissance tamb= 25C (1) Prot W Power dissipation _ tease= 29 ec (2) 3 Temprature de jonction : Junction temperature max. q 200 c min. 65 Temprature de stockage t C Storage temperature stg max. +200 Sessa senn 1970+ 08 1/32N 1889 2N 1890 Caractristiques gnrales @ tambh = 25C General characteristics (Sauf indications contraires) (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics 7] CB Courant rsiduel collecteur-base i, = cBo Collector-base cut-off current E Vop=75 V 15 LA tamp= 150C Courant rsiduel metteur-base lc =0 he 10 nA Emitter-base cut-off current Vepme Vv EBO Tension de claquage collecteur-base lp =0 Collector-base breakdown voltage le =100 pA ViBRICBO 100 v Ree=10 22 * BE v . Io =100 mA (BR)CER| 80 Tension de claquage collecteur-metteur Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig =0 lV * I =30mA (BR)CEO] 60 : In =0 Tension de claquage metteur-base Emitter-base breakdown voltage Ie =100 uA ViBR)EBO 7 Vv Ie =100 uA Vog=10 V 2N 1889| oie | 20 Io =10mA Vop=i0 V 2N 1889 35 Valeur statique du rapport du transfert direct du courant ig =150mA 2N 1889] 4 40 120 Static fo ad t transfer ratio } - rward current transfer rati Vog=t0 Vv ON 1890 21E i100 300 le =10mA Vopat0V 2N 1889 hate 20 tambr 28 c Ig =50 mA 12 ; ; Ig =5mA * " Tension de saturation collecteur-metteur Voge Vv Collector-emitter saturation voltage le =150 mA sat Ip =15mA 5 le =50 mA Ip =5 mA * 0,9 Tension de saturation base-metteur B Vp Esat Vv Base-emitter saturation voltage lo =150 mA Ip =15 mA 1,3 %* Impulsions t.=300us 6 < 2% Pulsed Pp 2/32N 1889 2N 1890 Caractristiques gnrales a tambh = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics {for small signals) f =i kHz 2N 1889 30 100 Io =1mA Rapport de transfert direct du courant Voe= Sv 2N 1890 h 50 200 Forward current transfer ratio t 1 kHz ON 1889 21e 45 = 150 Ic =5mA Vop=10V 2N 1890 70 300 f = 1 kHz lo =1mA 20 30 impdance dentre Vop=5 hap 2 input impedance f =1kHz Ilo =5mA 4 8 Vop=10V fo =1kHz 2N 1889 1,25 lo =1mA Rapport de transfert inverse Vepz5V 2N 1890 h 1,5 4 de la tension 12b 10 inverse voltage transfer ratio f =1kHz le =5mA 1,5 Vosp= 10V f = 1kHz 2N 1889 05 Io =1mA Vop=8V 2N 1890 0,3 Admittance de sortie + hap us Output admittance { = 1kHz 2N 1889 0.5 Io =5mA Veg= 10V 2N 1890 0,3 = A Frquence de transition le 50m 2N 1889 f 50 MH Transition frequency VcE= 10V T z f= 20MHz | 2N 1890 60 Vop= 10V Capacit de sortie | = C. 15 pF Output capacitance = 1MHz 22b Vep= 05V Capacit dentre = Input capacitance Io - cy tb 85 pF f =1 MHz 3/3