Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor T 551 N 60...70 TOH
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 5 Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme- High surge currents and low thermal resistance
widerstände durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz VDRM,
VRRM
tv
j
= -40°C tv
j
min = 0°C
6000 6200
6500 6700
7000 7200
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
ITRMSM 1260 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
tC = 85°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz
ITAVM 600
800
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
ITSM 13,5
13,0
kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
I2t 910·103
845·103A2s
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, vD = 0,67 VDRM, iGM = 3A,
diG/dt = 6A/µs
(di/dt)cr 300 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)cr 2000 V/µs
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage tvj = tvj max, iT= 1kA vT
typ.
2,55
max.
2,65 V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
tvj = tvj max V(TO)
rT
typ.
1,25
1,3
max.
1,3
1,35
V
mΩ
Durchlaßrechenkennlinie
on - state characteristics for calculation 200 A ≤ iT ≤ 2000 A
()
VABiCi Di
TTT T
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
typ.
–0,0927
0,000967
0,1815
0,01334
max.
-0,0921
0,001
0,1841
0,0149
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25°C, vD = 6V IGT 350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25°C, vD = 6V VGT 2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6V
tvj = tvj max, vD = 0,5⋅VDRM
IGD 20
10
mA
mA
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V
Haltestrom
holding current
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7ΩIH350 mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
IL3A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
tvj = tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR200 mA
Zündverzugszeit
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
tvj = 25°C,
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tgd 2,5 µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
tvj = tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
tqtyp. 650 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
tvj = tvj max
ITM = 1000A, di/dt = 10A/µs
VR = 0,5 VRRM , VRM = 0,8 VRRM
Qr7,2 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
tvj = tvj max
ITM = 1000A, di/dt = 10 A/µs
VR = 0,5⋅VRRM , VRM = 0,8⋅VRRM
IRM 210 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode DC
Kathode / cathode DC
RthJC 0,02
0,019
0,0305
0,05
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH 0,005
0,010
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate
Si - pellet with pressure contact, amplifying gate
Silizium Tablette
silicon wafer
55TN70
Anpreßkraft
clampig force
F 15..24 kN
Gewict
weight
Gtyp. 650 g
Kiechstrecke
surface creepage distance
25 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Maßbild / Outline
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Durchlaßkennlinien / on-state characteristic
iT = f ( vT )
tvj = 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
00,511,522,533,54
VT [V]
I
T
(A)
typ max
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Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
vG = f (iG), VD = 6V
Parameter a b c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms) 10 1 0,5
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
Max. rated peak power dissipation PGM (W) 20 40 60
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A ]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
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Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Zth JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
10,01048 0,84 0,01917 3,5 0,0396 5,82
20,00243 0,132 0,00232 0,45 0,00106 0,45
30,00304 0,062 0,0028 0,154 0,00487 0,126
40,00272 0,0134 0,00366 0,061 0,00237 0,037
50,00033 0,0019 0,00255 0,01 0,0021 0,009
0,019 -0,0305 -0,05 -
()
ZRe
thJC thn
t
n
n
n
=⋅−
−
=
1
1
/
max
τ
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
0,05
0,055
0,06
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t
/
[sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
a
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Sperrverzögerungsladung / recoverd charge
Qrr = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 1000A, vR = 0,5⋅VRRM, vR = 0,8⋅VRRM
2
3
4
5
10
20
30
40
50
6
7
8
9
123456789102030
di/dt [A/µs]
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Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
IRM = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 1000A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8⋅VRRM
0
50
100
150
200
250
300
350
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
-di/dt
