NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE 2N 5490 2N 5492 TRANSISTOR NEN SILICIUM, HOMOBASE 2N 5494 2N 5496 Compl. of 2N 6107 series PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE - LF large signal power amplification 2N 5490 Amplification BF grands signaux de puissance Vv 40 V { 2N 5494 . eahi CEO 55 V 2N 5492 . gish current switching 70 V 2N 5496 commutation fort courant Ic 7A Ptot 50 W 2A 2N 5490 2,5 A 2N 5492 h21E} 3, 2N5494 20-100 3,54 2N 5496 Rth(j-c} 25 C/W Dissipation Plastic case TO-220 AB See outline drawing CB-117 on last pages Variation de dissipation Boitier plastique Voir dessin cot CB-117 dernires pages 100% I\ 75 \ oN \ 25 Weight : 2g Collector is connected to case 0 50 100 150 Teagal c) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES} t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires} 2N 5490 2N5492 2N5494 2N 5496 Colector-base voltage Vv Tension colecteur-base cBo 60 75 60 90 v Coliector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 40 55 40 70 v Colector-emitter voltage Roe = Q Vv Tension collecteur-metteur BE 100 CER 50 65 50 80 Vv Collector-emitter voltage =_ Tension collecteur-6metteur VBE 15 Voex 60 7 60 90 v Emitter-base voltage Tension metteur-base Vego 5 5 5 5 v Collector current Courant collecteur c q 7 7 7 A Base current Courant base lp 3 3 3 3 A Power dissipation P. Dissipation de puissance tot 50 50 50 50 Ww Junction temperature t Temprature de jonction max J 150 150 150 150 C Storage temperature min t 65 65 65 65 c Temprature de stock age max tg +150 +150 +150 +10 C 74-10 V6 THOMSON - CSF 399 DWISION, SEMICONDUCTEUAS Seseosen2N 5490, 2N 5492, 2N 5494, 2N 5496 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case iSauf indications contraires) Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veep =70V yon at Vy 2N 8492 1 mA BE ' Voce =70V Vee =-1,5V 2N 5492 5 mA tease = 180C Vv =55V yon =-15V 2N 5494 1 mA BE7 7" Collector-emitter cut-off current ~ ( Courant rsiduel collecteur-metteur Vee = 55V CEX Vee =-1,5V 2N 5494 5 mA tease = 150C V, = 85V yon --16V 2N 5496 1 mA BE Vce = B85V Veg =71SV 2N 5496 5 mA tease = 180C Voge =40V 2N 5490 2 mA Ree = 100 2 2N 5494 0,5 mA Vee =40V Rap = 1002 2N 5490 5 mA t = 150C 2N 5494 3,5 mA case Vog = 55 Rge = 1009 2N 5492 0,5 mA Collector-emitter cut-off current 1 Courant rsiduel cofleceeur-metteur Vor = 55 V CER Rpg = 1002 2N 5492 3,5 mA tease = 150C Vog = 70V Rag = 100.2 2N 5496 0,5 mA Voce =70V Ree = 1002 2N 8496 3,5 mA tohse = 150 C Emitter-base cut-off current Veg =5V | Courant rsidue! metteur-base lo =9 EBO 1 mA 2/62N 5490, 2N 5492, 2N 5494, 2N 5496 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. 2N 5490 | 40 Vv Cotlector-emitter breakdown voltage Io = 100mA Vv | 2N5492 | 55 Vv Tension de claquage collecteur-metteur lp =0 CEO(sus) 2N 5494 | 40 Vv 2N 5496 | 70 Vv 2N 5490 | 50 Vv Collector-emitter breakdown voltage I = 100 mA Vv * | 2N 5492 | 65 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Rpg = 1002 CER(sus) | oy 5494! 50 V 2N 5496 | 80 Vv 2N 5490 | 60 Vv Collector-emitter breakdown voltage Yo = 100mA Vv * | 2N 5492} 75 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Vag =-15V CEX(sus) | oy 5494 | 60 V 2N 5496 | 90 Vv Vv =4V CE 2n 5490 | 20 100 le =2A Vee =4V ce 2N 5492 | 20 100 Static forward current transfer ratio lo =25A * Valeur statique du rapport de fert hoy E direct du courant Voce = 4Vv 2Nn 5494 | 20 100 lo =3A Vee =4V CE 2Nn 5496 | 20 100 Io =3,5A lc =2A 2N 5490 1 v Ig =O,2A ic 2,54 5492 1 Vv ; lg = 0,25A 2N Collector-emitter saturation voltage Vv * Tension de saturation collecteur-metteur | =3A CEsat c 2N 5494 1 v lp =O3A Ic =35A 2N 54 1 v Ig = 0,35A 96 Vee =4V CE 2N 5490 1 v le =2A Vv, =4V eos 2N 5492 1,3 Vv . Cc * Base-emitter voitage Vee Tension base-metteur Vv =A4Vv B cE 2N 5494 1,5 v le = 3 A , Vaep =4V CE , io = 358 2N 6496 7 V * Pulsed t,=300us 5 < 2% imputsions 3/6 4012N 5490, 2N 5492, 2N 5494, 2N 5496 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES OYNAMIQUES (pour petits signaux) case {Sauf indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transition Vee =4V transition frequency _ Frquence de transition lo =0,5A fT 0,8 MHz f = 1MHz Vec = 30V Ip =2A 2N 5490 5 us ip = 0,24 Veco = 30V \o =2,5A 2N 5492 5 us tg =O,25A Turn-on time tltt Temps total dtablissement a'r Vee =30V cc Ic 3A 2N 5494 5 us Ig =0,3A Veo = 90V Iq =3,5A 2N 6496 5 ys Ig =0,35A Veco =30V le =2A 2N 5490 15 us pg =402A Vec = 30V Io =2,5A 2N 5492 45 bs Ig =+0,25A Turn-off time ttt Temps total de coupure s f Vec= 30V Ip =3A 2N 5494 15 ys Ig =t 0,3A Vec = 30V lo =3,5A 2N 5496 15 MS lp =10,35A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance . Rsistance thermique (jonction-boitier) Renti-c) 2,5 c/w Junction-ambient thermal resistance . Rsistance thermique {janction-ambiante) Rentj-a) 70 c/w 416 4022N 5490, 2N 5492, 2N 5494, 2N 5496 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit {A) 0,5 oe ee impulsions 2N 2N 5492. 2N 5494 2N 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 Vogl) SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION Ro _ Rp Re i B1 Re - 2N 5490 252. 15Q o_t__} 30V 2N 5492 202 12.2 ~~ lp 2N 5494 162 102 2N 5496 122 822 5/6 4032N 5490, 2N 5492, 2N 5494, 2N 5496 TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en rgime dimpulsions K 0,8 0,6 | =o wes z ae 0,4 te -'p be 2h = K Rin 0,2 J 191 {ttt | 2 2 6 5 2 5 2 5 104 3 402" jo 10 t (see! 6/6 404