Transistors NPN silicium 2N 2890 Planar pitaxiaux 2N 2891 NPN silicon transistors Epitaxial planar * Dispositif recommand Prefered device - Amplification BF grands signaux (haute tension) Donnes principales LF large signal amplification (high voltage) Principal features - Commutation jusqua 1 A Switching up to 1 A VcEo 80 V ho1E 30-90 2N 2890 (1 A) 50 -150 2N 2891 VcEsat (2 A) 0,75 V max, Dissipation de puissance maximate ty + t, (1A) 0,3 us Maximum power dissipation max. Prot wit Boitier TO-39 4 Case 3 2 c( je 1 tambl?C wo f B 0 tease (C )2) 0 25 100 200 Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation & tamb= 25C te ratings {limit al (Sauf indications conteaires) Absolu gs ing values) (Unless otherwise specitied) Parambtre Parana Tension collecteur-base Collector-base vaitage Ycso 100 Vv Tension coilecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEO 80 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 5 v 0,8 = * Dissipation de puissance tamb 26C (1) Pp. Ww Power dissipation t =25C (2) tot case 5 Temprature de jonction t Junction temperature max. ] + 200 c Temprature de stockage min. - 65 t 9, Storage temperature max. stg +4200 Cc 1970-09 1/7 Sesmseann2N 2890 2N 2891 Caractristiques gnrales a tamb = General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics 25C | (Sauf indications contraires ) {Unless otherwise specified) Parameters Conditions de mesure Min, | Typ. | Max. Parameter Test couditions Min, | Typ. | Alex. Vor=-2 V BE 1 A Vep=60 V oO | n Ver=-2V BE Vog=90 V , 100 | HA Lei . CEX Courant rsidue! collecteur-metteur Vac=2V Collector-emitter cut-off current BES Vcp=60 V 100 | vA toase= 150C Ig =0 'cEO 50 | vA Vop=60 V Courant rsiduel metteur-base Ic =0 Emitter-base cut-off current Veg=5 Vv lEBO 10 BA . I; =0 Tension de claquage collecteur-base E Vv Collector-base bresk down voltage Ie =100 BA (BR)CBO} 100 Vv Tension de claquage collecteur-metteur Ip =0 Vv % Collector-emitter breakdown voltage le =100 mA (BR)CEO| 80 Vv lg =100 mA 2N 2890 20 Voe=2 V 2N 2891 35 Valeur statique du rapport du transfert Io =1A 2N 2890 hoy o 30 90 direct du courant Vacs? V Static forward current transfer ratio CE 2N 2891 50 150 Iq B2A 2N 2890 25 VoeSV 2N 2891 40 Io FIA Os lp =0,1A / Tension de saturation collecteur-metteur Voce * Vv Collector-emitter saturation yaltage lo =2A sat = 0,75 Ip 702A In =1A Cc : | . Ip =0,1A 1,2 Tension de saturation base-metteur v * Vv Base-emitter saturation voltage 1 =A BEsa ce = 1,3 Ip =O,2A Impulsions =300us 6 < 2 Pulbedd Pp 0 < 2% 2/72N 2890 2N 2891 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smati signals) Paramtre Conditions de masure Min, | Typ.) Max. Parameter Test conditions : Min Lo Typ | Max. R rt.de transfert di d : f =1kHz 2N 2890 30 250 apport de transfert direct du couran = Forward current transfer ratio le =50 mA Note Vep=t0 Vv 2N 2891 50 350 Frquence de transition ' =200 mA f Transition frequency Vop=i0 Vv T 30 MHz f =20 MHz Vep=10 Vv Capacit de sortie 7 . Outout capacitance le =0 C05 70 pF f =1 MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics Temps total dtablissement Ic =TA tr+t 03 us Turn-on time 'p1 =50mA qu . le Z1A Temps total de coupure wy . Turt-off time p Ip1~50 mA torte 1,5 us Ipa*50 mA Schma de mesure des temps de commutation Switching times test circuit +20V ne 50 2 Oscill ~ ~ 150 2 scilloscope 16V @ Oscilloscope Gnrateur dimpulsions 2 > 100 k2 Pulse source Z =502 t <15 ns -10V 3/72N 2890 2N 2891 Caractristiques statiques Static characteristics 2N 2890 2N 2891 ig (mal we Ig (ma ad tamb = 100C 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 v Ig (mA) Vog V) Ig (ma) ce _ tamb = 25C 0 20 40 60 80 100 0 20 40 60 80 100 Ig (mal Vog (Vv) ig (ma) Vee ) = _ a tamb = 85C 0 20 40 60 80 0 20 40 60 80 100 100 Vog (V} Vog (VI 4/7|2N 2890 2N 2891 Caractristiques statiques Static characteristics 2N 2890 Ig (A) ad 9 0,2 04 0,6 0,8 \ Ig (A) Vee () 3 0 0,2 0,4 0.6 0,8 , 1 ig (al 1g (A) Vee 0 0,2 4 0,6 08 1 Veg (Vv)2N 2890 2N 2891 Caractristiques statiques Static characteristics 2N 2890 2N 2891 * te hate ho1E 140 100 120 Ww, 80 100 5 a0 2 60 60 40 40 20 20 Oo 0 0,007 0,01 0,1 ? 5 0,001 0,01 0,1 1} (A) 100-50 0 50 100 100-50 0 50 100 = 150 * t (C) Veesat (V) amb T 2N 2890 2N 2891 0,01 0,08 0,1 os 1 3 0,01 0,05 0,1 05 3 3 Ig (Al Ig (Ad 6/72N 2890 2N 2891 Caractristiques statiques Static characteristics 0 0 0.2 04 06 08 1 1,2 1,4 Vee (Vv) lg (Al 2 S$ Tv & 2 4 7 0 02 04 06 08 1 1,2 14 Vee (v) ww 2 9S 0 0,2 04 06 08 F 1,2 T4 Vee 2N 2890 2N 2891 'cpolnA) 10000 7000 100 25 50 75 100 125 150 9 tomb (C) Caractristiques dynamiques Dynamic characteristics 2N 2890 _ 2N 2891 a Cop PF) 70 30 20 1 2 5 10 20 50 VeptV) WW