PNP Silicon High-Power
Transistors
. . . designed for use in power amplifier and switching circuits.
•Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
IC = 15 Adc, VCE(sat)
= 1.0 Vdc (Max) 2N4398,99
= 1.5 Vdc (Max) 2N5745
•DC Current Gain Specified —
= 1.0 to 30 Adc
•Complements to NPN 2N5301, 2N5302, 2N303
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N4398
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4399
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5745
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎ
ÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
ÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
30
50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
30
50
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
20
50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
Peak
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
7.5
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ TA = 25C**
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
28.6
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
mW/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
200
1.15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +200
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
0.875
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
35
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
**ON Semiconductor guarantees this data in addition to JEDEC Registered Data.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
March, 2001 – Rev. 9 1Publication Order Number:
2N4398/D
2N4398
2N4399
2N5745
20, 30 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
40–60–180 VOLTS
200 WATTS
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
2
200
160
120
100
80
60
40
0
20
0 25 50 75 100 125 150 175 200
Figure 1. Power–Temperature Derating Curve
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
Safe Area Curves are indicated by Figure 13. All limits are applicable and must be observed.
180
140
10
8.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
0
1.0
9.0
7.0
TATC
TC
TA
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 200 mAdc, IB = 0) 2N4398
2N4399
2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
60
80
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4398
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N4399
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
5.0
5.0
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N4398
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N4399
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5745
(VCE = 30 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150°C) 2N4398, 2N4399
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
5.0
5.0
5.0
10
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0) 2N4398
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N4399
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (1)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) All Types
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5745
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N4398, 2N4399
(IC = 20 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5745
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
15
15
5.0
5.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
60
60
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc) 2N4398, 2N4399
2N5745
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N4398, 2N4399
2N5745
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc) 2N4398, 2N4399
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5745
(IC = 30 Adc, IB = 6.0 Adc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.75
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
4.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 10 Adc, IB = 1.0 Adc)** 2N4398, 2N4399
2N5745
(IC = 15 Adc, IB = 1.5 Adc) 2N4398, 2N4399
2N5745
(IC = 20 Adc, IB = 2.0 Adc)** 2N4398, 2N4399
(IC = 20 Adc, IB = 4.0 Adc) 2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.6
1.7
1.85
2.0
2.5
2.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1)
(IC = 10 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5745
(IC = 15 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N4398, 2N4399
(IC = 20 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N5745
(IC = 30 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N4398, 2N4399
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
1.7
2.5
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
*Indicates JEDEC Registered Data. (continued)
**ON Semiconductor Guarantees this Data in Addition to JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
4
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain Bandwidth Product (2)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, 2N4398, 2N4399
f = 1.0 MHz) 2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.0
2.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTIC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
2N4398, 2N4399
2N5745
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tr
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.4
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCC = 30 Vdc,
IC = 10 Adc,
I
B1
= I
B2
= 1.
0
A
dc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
2N4396, 2N4399
2N5745
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.5
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
I
B1 =
I
B2 =
1
.
0
Adc)
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
2N4398, 2N4399
2N5746
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tf
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.6
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µs
(2) fT is defined as the frequency at which |hfe| extrapolates to unity.
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Figure 2. Turn–On Time Figure 3. Turn–Off Time
+2.0 V
0
-11 V
10 to 100 µs
tr ≤
20 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
10
VCC -30 V
3.0RL
TO SCOPE
tr ≤ 20 ns
RB
+9.0 V
0
3.0RL
VCC -30 V
10
RB
VBB +4.0 V
TO SCOPE
tr ≤ 20 ns
tr ≤ 20 ns
10 to 100 µs
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
-11 V
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
5
TYPICAL “ON” REGION CHARACTERISTICS
Figure 4. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
0.1
0.03
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 10 30
VCE = 10 Vdc
VCE = 2.0 Vdc
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
3.0 5.0 7.0 20
TJ = 175°C
-55°C
25°C
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (AMP)
2.0
0
0.01
1.6
1.2
0.8
0.4
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 10
5.0 AIC = 2.0 A
2.0 3.0 5.0 7.0
TJ = 25°C
10 A 20 A
2.0
0.03
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 30
1.6
1.0
0.8
0.2
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. “On” Voltages
1.8
1.4
1.2
0.6
0.4
2.0 10 20
2.5
0.03
Figure 7. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 30
TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°
2.0
1.5
1.0
0.5
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θVB for VBE
*θVC for VCE(sat)
*APPLIES FOR
IC/IB < hFE/2
0
5.0 10 20
VBE @ VCE = 2.0 V
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
6
RATINGS AND THERMAL DATA
100
1.0
Figure 8. Active Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1 2.0 3.0 5.0 10 20 30 10050
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
100 µs1.0 ms
2N5745 2N4398, 2N4399
dc
5.0ms
Secondary Breakdown Limited
Bonding Wire Limited
Thermal Limitations
Pulse Duty Cycle ≤ 10%
TJ = 200°C
2N4398
2N4399
2N5745
TC = 25°C
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 8 is based on TJ(pk) = 200C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
200C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 9. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
Figure 9. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02
r(t), NORMALIZED EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1000500
STEADY STATE VALUES
θJC(∞) = 0.875°C/W
θJC(t) = r(t) θJC(∞)
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
0 (SINGLE PULSE)
0.1
DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA
tP
PPPP
t1
1/f
DUTY CYCLE, D = t1 f - t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
A train of periodical power pulses can be represented by
the model as shown in Figure A. Using the model and the
device thermal response, the normalized effective transient
thermal resistance of Figure 9 was calculated for various
duty cycles.
To find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 9
by the steady state value θJC().
Example:
The 2N4398 is dissipating 100 watts under the following
conditions: t1 = 1.0 ms, tP = 5.0 ms. (D = 0.2)
Using Figure 9, at a pulse width of 1.0 ms and D = 0.2, the
reading of r (t) is 0.28.
The peak rise in junction temperature is therefore
T = r(t) x PP x θJC() = 0.28 x 100 x 0.875 = 24.5C
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. ALL RULES AND NOTES ASSOCIATED WITH
REFERENCED TO-204AA OUTLINE SHALL APPLY.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A1.550 REF 39.37 REF
B--- 1.050 --- 26.67
C0.250 0.335 6.35 8.51
D0.038 0.043 0.97 1.09
E0.055 0.070 1.40 1.77
G0.430 BSC 10.92 BSC
H0.215 BSC 5.46 BSC
K0.440 0.480 11.18 12.19
L0.665 BSC 16.89 BSC
N--- 0.830 --- 21.08
Q0.151 0.165 3.84 4.19
U1.187 BSC 30.15 BSC
V0.131 0.188 3.33 4.77
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.13 (0.005) Y M
T
M
Y
M
0.13 (0.005) T
–Q–
–Y–
2
1
UL
GB
V
H
CASE 1–07
TO–204AA (TO–3)
ISSUE Z
2N4398 2N4399 2N5745
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
CENTRAL/SOUTH AMERICA:
Spanish Phone: 303–308–7143 (Mon–Fri 8:00am to 5:00pm MST)
Email: ONlit–spanish@hibbertco.com
Toll–Free from Mexico: Dial 01–800–288–2872 for Access –
then Dial 866–297–9322
ASIA/PACIFIC: LDC for ON Semiconductor – Asia Support
Phone: 1–303–675–2121 (Tue–Fri 9:00am to 1:00pm, Hong Kong Time)
Toll Free from Hong Kong & Singapore:
001–800–4422–3781
Email: ONlit–asia@hibbertco.com
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N4398/D
NORTH AMERICA Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
Fax Response Line: 303–675–2167 or 800–344–3810 Toll Free USA/Canada
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
EUROPE: LDC for ON Semiconductor – European Support
German Phone: (+1) 303–308–7140 (Mon–Fri 2:30pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–german@hibbertco.com
French Phone: (+1) 303–308–7141 (Mon–Fri 2:00pm to 7:00pm CET)
Email: ONlit–french@hibbertco.com
English Phone: (+1) 303–308–7142 (Mon–Fri 12:00pm to 5:00pm GMT)
Email: ONlit@hibbertco.com
EUROPEAN TOLL–FREE ACCESS*: 00–800–4422–3781
*Available from Germany, France, Italy, UK, Ireland
