* NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR BF 422 TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL Compl. of BF 423 K Preterred device Dispositif recommand - Video amplification Amplificateur Video . VcEo 250 V lom 100 mA ho1_6(25mA) 50 min. (10 mA) 60 MHz min. Maximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Dissipation de puissance maximale Boftier plastique Voir dessin cot CB-76 dernidres pages Prot tw) 0,8 6 0,4 B 0,2 Bottom view Vue de dessous 0 Weight : 0,3 g. 50 100 160 200 Tamp!?O) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} Fonulon comcmerbeee Veso 260 v Fonsion eoloctvon bearees VcEo 250 v Fonuion erentour bas VeBo 5 Vv Gourent conectsen 'g 20 mA Courant ob ere de colctour lem 100 mA Disvpation ue putsence Prot 830 mW Tonoaaure arenas max. qj 150 Storage temperature min, T 65 Temprature de stockage max. stg +150 C 76-25 1/3 ad THOMSON-CSF DMSION SEMICONDUCTEURS SesSseam 601BF 422 STATIC CHARACTERISTICS T =25C CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vog = 200 V ! Courant rsiduel collecteur-base I; =0 cBO 10 nA Coll Vcg = 200 V ollector-emitter cut-off current = Courant rsiduel collecteur-metteur Ree = 10ka [CER 10 HA qj = 160C Emitter-base cut-off current Vep=5V I Courant rsiduel metteur-base l c= EBO 10 BA Static forward current transfer ratio Voe = 20V h Valeur statique du rapport de transfert \ =25mA 21E 50 direct du courant Cc DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Transition frequency Vang =10V Frquence de transition le =10mA fr 60 MHz Veg = 30 Vv Reverse transfer capacitance = c Capacit de transfert inverse | 0 12e 1.6 pF f = 0,5 MHz 23 602BF 422 DYNAMIC CHARACTERISTICS = CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vos =20V Collector-base time constant = 7 Cy, Constante de temps collecteur-base g 30 mA "bb bc 70 ps f = 10,7 MHz I =25mA Collector-emitter knee voltage c Vv Tension collecteur-6metteur de coude 7; = 150C CEK(HF) 20 v Note 1 NOTE 1: The high frequency knee voltage of a transistor is that value of the collector emitter voltage at which the small signal forward current transfer ratio h21 has dropped to 80% of the value at VcE = 50 V. La tension de coude & haute frquence dun transistor est, par dfinition, la valeur de la tension collecteur metteur pour laquelle fe rapport de transfert direct du courant & petit signal hz19 est tomb & 80% de sa valeur & 50 V. ' t l | ! ' t I rl 0 VoEK 50 Vog(V) THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermal resistance Rsistance thermique (jonction-ambiante) Rehtj-a) 830 C/W 3/3 603