European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK, 27.6.1997
external connection to
be done
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be done
Marketing Information
FZ 1800 R 16 KF4
(for M6 screw)
1 2 3 4
5
6
7
8
C
E
M8
61,5
13
31,5
28
57
2,5 tief
M4
190 171
C
E
C
E
E
CG
4,0 tief
79,441,25
20,25
7
61,5
C
E
G
E
C
E
C
E
C
FZ 1800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated valuesVorläufige Daten
Elektrische Eigenschaften / Electrical propertiesPreliminary data
Kollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageVCES 1600 V
Kollektor-DauergleichstromDC-collector currentIC1800 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 msICRM3600 A
Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation tC=25°C, Transistor /transistorPtot11 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltageVGE +/- 20 V
DauergleichstromDC forward currentIF1800 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1msIFRM3600 A
Isolations-Prüfspannunginsulating test voltageRMS, f=50 Hz, t= 1 min.VISOL3,4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistormin. typ.max
Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltageiC=1,8kA,vGE=15V, tvj=25°CvCE sat-3,5 3,9V
iC=1,8kA,vGE=15V, tvj=125°C-4,6 5,0V
Gate-Emitter-Schwellspannung gate threshold voltagevGE(th)4,5 5,5 6,5V
Eingangskapazitätinput capacityfO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0Cies-270 -nF
Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off currentvCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C iCES -12 - mA
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C-120 - mA
Gate-Emitter Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C iGES - - 600 nA
Emitter-Gate Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C iEGS- - 600 nA
Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (induktive load)ton
-0,8-µs
-1,0-µs
Speicherzeit (induktive Last)storage timeiC=1,8kA,vCE=900Vts
vL=15V,RG=1,2vj=25°C-1,1-µs
vj=125°C-1,3-µs
Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)tf
-0,25 -µs
-0,30 -µs
Charakteristische Werte / Characteristic values:
Durchlaßspannungforward voltageiF=1,8kA, vGE=0V, tvj=25°CVF-2,4 2,8V
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=125°C-2,2-V
Rückstromspitzepeak reverse recovery currentiF=1,8kA, -diF/dt=600A/µsIRM
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C-1100 -A
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C-1300 -A
Sperrverzögerungsladungrecovered chargeiF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µsQr
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C-180 -µAs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C-400 -µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to caseTransistor / transistor, DC RthJC
Diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsinkpro Module / per ModuleRthCK
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperaturepro Module / per Moduletvj max150 °C
Betriebstemperaturoperating temperatureDiode / diodetc op -40...+125 °C
Lagertemperaturstorage temperaturetstg -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlagecase, see appendixSeite 3
Innere Isolation internal insulation Al2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque M1 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque terminals M4 / tolerance +5%/-10%M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewichtweight G ca.2300 g
Bedingungen für den KurzschlußschutzConditions for short-circuit protection
tfg=10µs, vLF=vLR = 15V,VCC=1000VUnabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions
RGF=RGR
= 1,2VCEM=1300VvCEM = VCES -12 nH x Idic/dtI
tvj=125°C iCMK1 18000A
iCMK2 13500A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
0,011 °C/W
0,027 °C/W
0,006 °C/W
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
iC=120mA, v
CE=vGE, tvj=25°C
iC=1,8kA,vCE=900V
vL=15V,RG=1,2vj=25°C
vj=125°C
iC=1,8kA,vCE=900V
vL=15V,RG=1,2, tvj=25°C
vj=125°C
, t
, t
vL=15V,RG=1,2, t
vL=15V,RG=1,2, t
vL=15V,RG=1,2, t
vj=125°CvL=15V,RG=1,2, t
iC=1,8kA,vCE=900V,LS=50nH
vj=125°C
vL=15V,RG=1,2, t
iC=1,8kA,vCE=900V,LS=50nH
Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energy lost per pulsEoff -450 - mWs
Eon-750 - mWs
Einschaltverlustenergie pro Pulsturn-on energy lost per puls
Transistor / transistor
Inversdiode / Inverse diode
terminals M6 / tolerance +/-15%
FZ 1800 R 16 KF4
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
4000
1
vCE [V]
02 3 4 5
2000
3000
1000
iC [A]
FZ 1800 R 16 KF4
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125 °C
1
vCE [V]
02 3 4 5
2000
3000
1000
iC [A]
FZ 1800 R 16 KF4
15V
VGE = 20V
12V
10V
9V
8V
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE= 20V
4000
5
vGE [V]
0
2000
3000
1000
iC [A]
6 7 8 9 10 1111 12
FZ 1800 R 16 KF4
tvj=
125°C
25°C
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125°C,vLF = vLR = 15V, RG = 1.2
4000
0
vCE [V]
0500 1000 1500 2000
2000
3000
1000
iC [A]
FZ 1800 R 16 KF4
Bild / Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC)
Transient thermal impedance (DC)
t [s]
10-3101
10-210-1100
2 4 6 2 4 6 2 4 6 2 4 6
10-1
6
4
10-2
6
4
2
10-3
6
4
2
10-4
Z(th)JC
[°C/W]
FZ 1800 R 16 KF4
IGBT
Diode
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward charateristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25°C
tvj = 125°C
4000
0
vF [V]
0
2000
3000
1000
iF [A]
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
FZ 1800 R 16 KF4
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