FF450R17ME4P_B11 EconoDUALTM3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC/ TIM EconoDUALTM3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC/ TIM VCES = 1700V IC nom = 450A / ICRM = 900A TypischeAnwendungen * Motorantriebe * Servoumrichter * USV-Systeme * Windgeneratoren TypicalApplications * Motordrives * Servodrives * UPSsystems * Windturbines ElektrischeEigenschaften * NiedrigesVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures * LowVCEsat * Tvjop=150C * VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanischeEigenschaften * HoheLeistungsdichte * IsolierteBodenplatte * Standardgehause * Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures * Highpowerdensity * Isolatedbaseplate * Standardhousing * Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 1700 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 45C, Tvj max = 175C IC nom 450 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 900 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VCE sat typ. max. 1,95 2,35 2,45 2,30 V V V 5,80 6,40 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 18,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 4,60 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 1,7 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 36,0 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,15 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 3,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA VGEth Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 900 V VGE = 15 V RGon = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 900 V VGE = 15 V RGon = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 900 V VGE = 15 V RGoff = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 450 A, VCE = 900 V VGE = 15 V RGoff = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 450 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 3900 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 3,3 Tvj = 150C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,20 0,21 0,26 0,26 s s s 0,11 0,12 0,12 s s s 0,80 0,95 1,00 s s s 0,30 0,50 0,60 s s s Eon 105 135 145 mJ mJ mJ IC = 450 A, VCE = 900 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 3000 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 3,3 Tvj = 150C Eoff 98,0 155 170 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 1000 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC 2300 A Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP 10 s, Tvj = 150C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 0,0938 K/W -40 150 C V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1700 V IF 450 A IFRM 900 A It 20000 As CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,20 VF 1,80 1,90 1,95 IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 900 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C IRM 480 550 585 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 900 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Qr 95,0 170 190 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 450 A, - diF/dt = 3900 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 900 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Erec 60,0 110 125 mJ mJ mJ Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 450 A, VGE = 0 V IF = 450 A, VGE = 0 V IF = 450 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op V V V 0,157 K/W -40 150 C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 R/R 5,00 -5 P25 k 5 % 20,0 mW AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 3 V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV Cu MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 14,5 13,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 12,5 10,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. 20 nH RCC'+EE' 1,10 m -40 TBPmax Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 Gewicht Weight max. LsCE Tstg Hochstzulassige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature > 200 min. G 345 125 C 125 C 6,00 Nm 6,0 Nm g Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07 Datasheet 4 V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 900 900 750 750 600 600 IC [A] IC [A] Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 450 450 300 300 150 150 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VCE [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=3.3,RGoff=3.3,VCE=900V 900 500 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C 450 750 400 350 600 E [mJ] IC [A] 300 450 250 200 300 150 100 150 50 0 5 Datasheet 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 0 13 5 0 150 300 450 IC [A] 600 750 900 V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=450A,VCE=900V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 800 0,1 Eon, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C 700 ZthJH : IGBT 600 ZthJH [K/W] E [mJ] 500 400 0,01 300 200 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,00604 0,02556 0,0456 0,0166 i[s]: 0,000549 0,0294 0,13 1,47 100 0 0 5 10 15 20 RG [] 25 30 35 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=3.3,Tvj=150C 1050 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 900 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 900 750 750 600 IF [A] IC [A] 600 450 450 300 300 150 150 0 0 Datasheet 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 6 0,0 0,5 1,0 1,5 VF [V] 2,0 2,5 3,0 V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3,VCE=900V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=450A,VCE=900V 180 150 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 140 160 130 140 120 110 120 100 90 E [mJ] E [mJ] 100 80 80 70 60 60 50 40 40 20 0 30 0 150 300 450 IF [A] 600 750 20 900 TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJH=f(t) 0 5 10 15 20 RG [] 25 30 35 140 160 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 100000 ZthJH : Diode Rtyp 10000 R[] ZthJH [K/W] 0,1 0,01 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0104 0,0558 0,0702 0,0206 i[s]: 0,000543 0,0245 0,123 1,25 0,001 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 10 100 7 0 20 40 60 80 100 TNTC [C] 120 V3.1 2017-04-26 FF450R17ME4P_B11 Schaltplan/Circuitdiagram Gehauseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 8 V3.1 2017-04-26 TrademarksofInfineonTechnologiesAG HVICTM,IPMTM,PFCTM,AU-ConvertIRTM,AURIXTM,C166TM,CanPAKTM,CIPOSTM,CIPURSETM,CoolDPTM,CoolGaNTM,COOLiRTM, CoolMOSTM,CoolSETTM,CoolSiCTM,DAVETM,DI-POLTM,DirectFETTM,DrBladeTM,EasyPIMTM,EconoBRIDGETM,EconoDUALTM, EconoPACKTM,EconoPIMTM,EiceDRIVERTM,eupecTM,FCOSTM,GaNpowIRTM,HEXFETTM,HITFETTM,HybridPACKTM,iMOTIONTM, IRAMTM,ISOFACETM,IsoPACKTM,LEDrivIRTM,LITIXTM,MIPAQTM,ModSTACKTM,my-dTM,NovalithICTM,OPTIGATM,OptiMOSTM, ORIGATM,PowIRaudioTM,PowIRStageTM,PrimePACKTM,PrimeSTACKTM,PROFETTM,PRO-SILTM,RASICTM,REAL3TM,SmartLEWISTM, SOLIDFLASHTM,SPOCTM,StrongIRFETTM,SupIRBuckTM,TEMPFETTM,TRENCHSTOPTM,TriCoreTM,UHVICTM,XHPTM,XMCTM TrademarksupdatedNovember2015 OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2017-04-26 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726Munchen,Germany (c)2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfurdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ("Beschaffenheitsgarantie")dar.FurBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewahrleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschlielich,ohnehieraufbeschranktzusein,dieGewahrdafur,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensamtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfurdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfurdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benotigen,wendenSiesichbitteandasnachsteVertriebsburovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnenProduktegesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnachstenVertriebsburovonInfineonTechnologiesinVerbindung. 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