日本インター株式会社
ＩＧＢＴ
Ｍｏｄｕｌｅ
－
Ｃｈｏｐｐｅｒ
５０ Ａ，１２００Ｖ
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
□ 外 形 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ
ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm］
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ±２０ Ｖ
ＤＣ ＩＣ ５０
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １００ Ａ
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２５０ Ｗ
接 合 温 度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃
保 存 温 度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃
絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute)
Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ）
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ
(kgf･cm)
□ 電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ
ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １.０ ｍＡ
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ
ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 50A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ
ＣＥ= 5V,ＩＣ= 50mA ４.０ － ８.０ Ｖ
入 力 容 量
Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ
ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 4,200 － ｐＦ
上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５
ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０
下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ
ＶＣＣ= 600V
ＲL= 12Ω
ＲG= 20Ω
ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０
μｓ
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（ＴＣ＝２５℃）
Ｉｔｅｍ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ
ＤＣ Ｉ
Ｆ
５０ Ａ 順 電 流
Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １００
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
順 電 圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ
Ｆ= 50A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 50A,ＶＧＥ= -10V
ｄi/ｄt= 100A/μs － ０.２ ０.３ μｓ
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ
ｙ
ｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ
ｙｐ
. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ
ＩＧＢＴ － － ０.４３ 熱 抵 抗
Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.７ ℃／Ｗ
7(G2)
6(E2)
(C1)
3
(E2)
2
(C2E1)
1
3-M5
12 11 12 11 12 2-Ø 5.5
7
6
12
35
4
±0.25
80
94
123
23 23 17
6
8
4-f ast en tab
#110 t= 0. 5
16 16 16
77
30+1.0
- 0.5
23
LABEL
http://store.iiic.cc/
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
0246810
0
25
50
75
100
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
TC=25℃
10V
9V
12V
15V
VGE=20V
8V
7V
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
TC=25℃
50A
IC=25A 100A
048121620
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
IC=25A
50A
100A
TC=125℃
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0 50 100 150 200 250 300 350
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Total Gate Charge Qg
(nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
VCE=600V
400V
200V
RL=12Ω
TC=25℃
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
10000
20000
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Capacitance C
(pF)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
Cies
Coes
Cres
VGE=0V
f=1MHZ
TC=25℃
0 1020304050
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t
(μs)
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
tOFF
tf
tr
tON
VCC=600V
RG=20Ω
VGE=±15V
TC=25℃
http://store.iiic.cc/
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ
5 10 20 50 100 200 300
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Switching Time t
(μs)
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
VCC=600V
IC=50A
VGE=±15V
TC=25℃
tf
tr
ton
toff
01234
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Forward Voltage V
F
(V)
Forward Current I
F
(A)
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
TC=25℃ TC=125℃
0 50 100 150 200 250 300
1
2
5
10
20
50
100
200
500
-di/dt
(A/μs)
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
IRrM
trr
IF=50A
TC=25℃
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
110
2x10
-3
5x10
-3
10
-2
2x10
-2
5x10
-2
10
-1
2x10
-1
5x10
-1
1
2
5
Time t
（s）
Tansient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(ﾟC/W)
fig11-Tansient Thermal Impedance
Tc=25℃
1 Shot
IGBT
FRD
1
0 400 800 1200 1600
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
RG=20Ω
VGE=±15V
TC≦125℃
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