P4SMA220 ... P4SMA550CA
P4SMA220 ... P4SMA550CA
Surface mount unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2010-03-31
Dimensions - Maße [mm]
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
400 W
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruch-Spannung
220...550 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMA
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rollen
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C PPPM 400 W 1)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TT = 75°C PM(AV) 1 W
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 40 A 2)
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
IF = 25 A VF< 3.5 V 2)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 70 K/W 3)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 30 K/W
1 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)
2 Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
3 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.15
1
4.6
± 0.2
1.5 2.1
± 0.1
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
0.1±
P4SMA220 ... P4SMA550CA
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Breakdown voltage at IT = 1 mA
Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VBR [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A]
P4SMA220 220 ± 10% 198...242 175 5 344 1.2
P4SMA220A 220 ± 5% 209...231 185 5 328 1.2
P4SMA250 250 ± 10% 225...275 202 5 360 1.1
P4SMA250A 250 ± 5% 237...263 214 5 344 1.2
P4SMA300 300 ± 10% 270...330 243 5 430 0.93
P4SMA300A 300 ± 5% 285...315 256 5 414 0.97
P4SMA350 350 ± 10% 315...385 284 5 504 0.79
P4SMA350A 350 ± 5% 332...368 300 5 482 0.83
P4SMA400 400 ± 10% 360...440 324 5 574 0.70
P4SMA400A 400 ± 5% 380...420 342 5 548 0.73
P4SMA440 440 ± 10% 396...484 356 5 631 0.63
P4SMA440A 440 ± 5% 418...462 376 5 602 0.66
P4SMA480 480 ± 10% 432...528 388 5 686 0.58
P4SMA480A 480 ± 5% 456...504 408 5 658 0.61
P4SMA530 530 ± 10% 477...583 429 5 764 0.52
P4SMA530A 530 ± 5% 503...556 477 5 729 0.55
P4SMA550 550 ± 10% 495...605 445 5 793 0.50
P4SMA550A 550 ± 5% 522...577 495 5 760 0.53
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P4SMAJ65
TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P4SMAJ65
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
P4SMA220 ... P4SMA550CA
1
TVS diodes having stand-off voltage VWM = 5.0 ... 170 V: please refer to datasheet P4SMAJ65
TVS-Dioden mit Sperrspannung VWM = 5.0 ... 170 V: siehe Datenblatt P4SMAJ65
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
10
10
1
0.1
2
[kW]
P
PP
0.1µs t 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms
P
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
00 t 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
