Plastic Darlington
Complementary Silicon Power
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching applications.
•High DC Current Gain —
hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc
•Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 100 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6035, 2N6038 = 80 Vdc
(Min) — 2N6036, 2N6039
•Forward Biased Second Breakdown Current Capability
IS/b = 1.5 Adc @ 25 Vdc
•Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Resistors to
LimitELeakage Multiplication
•Space–Saving High Performance–to–Cost Ratio TO–225AA Plastic
Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6035
2N6038
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N6036
2N6039
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
8.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.5
0.012
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.12
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
83.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10 1Publication Order Number:
2N6035/D
2N6035
2N6036
2N6038
2N6039
*ON Semiconductor Preferred Device
DARLINGTON
4–AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
60, 80 VOLTS
40 WATTS
*
*
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
PNP
NPN
321
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
2
40
00 20 40 60 80 100 120 160
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
20
10
30
140
TC
4.0
0
2.0
1.0
3.0
TA
TA
TC
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
60
80
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N6036, 2N6039
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N6036, 2N6039
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N6036, 2N6039
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
100
500
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N6035, 2N6038
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N6036, 2N6039
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
500
750
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
15,000
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2.0 Adc, IB = 8.0 mAdc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2.8
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current–Gain (IC = 0.75 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
|hfe|
ÎÎÎ
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz) 2N6035, 2N6036
2N6038, 2N6039
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
200
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
*Indicates JEDEC Registered Data.
Figure 2. Switching Times Test Circuit
4.0
0.04
Figure 3. Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.6
0.2 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 1.0 2.0 4.0
0.4
0.8
PNP
NPN
tf
tr
ts
td @ VBE(off) = 0
V2
approx
+8.0 V
V1
approx
-12 V
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25 µs
0
RB
51 D1
+4.0 V
VCC
-30 V
RC
TUT
≈ 8.0 k ≈ 60
SCOPE
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0, RB and RC are varied
to obtain desired test currents.
For NPN test circuit, reverse diode,
polarities and input pulses.
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
4
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE,
NORMALIZED
0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 100
0
500
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 3.12°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.03 0.3 3.0 30 300
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
5
ACTIVE–REGION SAFE–OPERATING AREA
1.0
5.0
Figure 5. 2N6035, 2N6036
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1 7.0 10 30 50 100
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
70
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°C
dc
1.0ms 100 µs
Figure 6. 2N6038, 2N6039
0.7
0.5
0.2
20
2N6036
2N6035
0.3
1.0
5.0
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1 7.0 10 30 50 10070
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.7
0.5
0.2
20
2N6039
2N6038
0.3
5.0ms
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
100 µs
1.0ms
5.0ms
dc
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
TJ = 150°C
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 5 and 6 is based on TJ(pk) = 150C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure 4.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
200
0.04
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10 0.4 0.6 1.0 2.0 404.00.06 0.1 0.2
C, CAPACITANCE (pF)
100
50
30
TC = 25°C
Cib
70
Cob
PNP
NPN
Figure 7. Capacitance
20
6.0 10 20
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
6
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
6.0 k
0.04
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300 0.06 0.1 0.2 0.6 1.0 4.0
600
800
400
hFE, DC CURRENT GAIN
1.0 k
2.0 k
VCE = 3.0 V
0.4 2.0
PNP
2N6035, 2N6036 NPN
2N6038, 2N6039
Figure 9. Collector Saturation Region
3.4
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
0.6 0.2 1.0 2.0 10 100
2.2
1.8
IC =
0.5 A
TJ = 25°C
1.0 A
2.6
3.0
0.5 5.0
2.2
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 2.0 4.0
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
V, VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. “On” Voltages
VBE @ VCE = 3.0 V
1.0
4.0 k
3.0 k
TC = 125°C
25°C
-55°C
20 50
6.0 k
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300 0.06 0.1 0.2 0.6 1.0 4.0
600
800
400
hFE, DC CURRENT GAIN
1.0 k
2.0 k
VCE = 3.0 V
0.4 2.0
4.0 k
3.0 k
TJ = 125°C
25°C
-55°C
1.4
1.0
2.0 A 4.0 A
3.4
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
0.6 0.2 1.0 2.0 10 100
2.2
1.8
IC =
0.5 A
TJ = 25°C
1.0 A
2.6
3.0
0.5 5.0 20 50
1.4
1.0
2.0 A 4.0 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.2
0.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6 2.0 4.0
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–09
ISSUE W
TO–225AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
–A– M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 --- 1.02 ---
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
2N6035 2N6036 2N6038 2N6039
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N6035/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
