Transistors NPN silicium Mesa diffuss NPN silicon transistors Diffused mesa 2N 1208 2N 1209 - Amplification BF grands signaux Large signal LF amplification - Commutation fort courant * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features High current switching Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation Prot Vv 60 V 2N 1208 CEO 45 2N 1209 Ie 5A Prot 85 W 15. min. -2N 1208 hoq_l2 A) | 20 min. 2N 1209 (w} 7s} IN N oN 25 0 50 100 150 200 egg g(C) Boitier TO-61 Case Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tpage = 25C Absolute ratings (limiting values) Paramatre Parameter: 2N.1208 26.1209 Tension collecteur-base Collector-base voltage Vcso 60 45 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage VcEeo 60 45 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 10 5 v Courant collecteur Collector current Ve 5 A Dissipation de puissance Power dissipation Prot 85 85 w Temprature de jonction Junction tempersture max. 5 200 200 c Temprature de stockage min 65 65 oc Storage temperature max. "stg +200 +200 ef. Sese se nar 1970-08 1/32N 1208 2N 1209 Caractristiques gnrales @ tease = 25C (Sauf indications contraires} {Unless otherwise specitied) General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Min. | Typ. | Max. Mia] Tre | Max = 2N 1208 10 Vcog=60 V I =0 V.o=45 V 2N 1209 20 CB Courant rsiduel collecteur-base le = | CBO mA Collector-base cut-off current Vop=60 Vv 2N 1208 20 tease= 150C I = E = 2N 1209 20 Vop=45 Vv toase= 150C c * 2N 1208 10 . eEB=10V Courant rsiduel metteur-base 'EBO mA Emitter-base cut-off current lo =0 oN 1208 ' 40 Veg=5 v ( = E 2 lg =10mA 2N 1208 60 Tension de claquage collecteur-base Vv Vv Collector-base breakdown voltage i = (BR)CBO ig =20mA 2N 1209 45 2N 1208 * 60 Tension de claquage collecteur-metteur IB = V Collector-emitter breakdown voltage Io =100 mA (BR)CEO Vv 2N 1209 45 1. =0 2N 1208 10 Tension de claquage metteur-base ~ Emitter-bese breakdown voltage le =10mA ON 1209 VigR)EBO 5 Vv 2/32N 1208 2N 1209 Caractristiques gnrales a tease General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Paramtre Parameter = 25C mar 2N 1208 1s | 30 Valeur statique du rapport du transfert Voen' hore direct du courant Static forward current transfer ratio Ic =2A 20 30 Vog=12 V 2N 1209 Tension base-metteur Iq =2A Vv Vv Base-emitter voltage Vee 12V BE Tension de saturation collecteur-metteur Ig =2A Veg V Collector-emitter saturation voltage Ip =0,25A CEsat Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals) Fr de transiti Iq =300 mA rquence de transition -_ Transition frequency Vopr30 Vv fr 3 20 MHz f =1MHz 3/3