Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA Vorlaufige Daten / Preliminary Data 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position not connected 0.5 0.3 1.1 0.9 0.9 0.6 2.1 1.9 0.8 0.6 Active area 1x1 0.1 0.0 4.8 4.4 Cathode 2.7 2.5 Anode GEO06972 Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2400) und bei 880 nm (SFH 2400 FA) Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) SMT-Bauform, geeignet fur Vapor PhaseLoten und IR-Reflow-Loten (JEDEC level 3) und Wellenloten (JEDEC level 6) Nur gegurtet lieferbar Features Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 2400) and of 880 nm (SFH 2400 FA) Short switching time (typ. 20 ns) SMT package, suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 3) and wave soldering (JEDEC level 6) Available only on tape and reel Anwendungen Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln" Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb LWL Applications Industrial electronics For control and drive circuits Photointerrupters Fiber optic transmission systems Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehause Package SFH 2400 Q62702-P1794 Klares Epoxy-Gieharz, Kathodenkennzeichung: breiter Anschlu SFH 2400 FA on request Transparent epoxy resin, cathode marking: broad lead Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 2400 SFH 2400 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 85 C Sperrspannung Reverse voltage VR 201) V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 120 mW Warmewiderstand fur Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit SFH 2400 SFH 2400 FA S 10 (> 5.5) - nA/Ix S - 6.2 ( 3.6) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax 400 ... 1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB 1x1 1x1 mm x mm 60 60 Grad deg. Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2 Halbwinkel Half angle 1) LxW Kurzfristige Uberlastung bis 50 V fur 1 - 2 sec. ist erlaubt. Short-term overload up to 50 V for 1 to 2 sec. is permitted. Semiconductor Group 2 1998-11-12 SFH 2400 SFH 2400 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 2400 SFH 2400 FA Einheit Unit Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 0.1 (< 5) 0.1 (< 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm VO 320 - mV VO - 320 mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm ISC 10 - A ISC - 3.0 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 36 36 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 950 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 20 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit Semiconductor Group %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 W Hz D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm * Hz W 3 1998-11-12 SFH 2400 SFH 2400 FA Relative spectral sensitivity SFH 2400 Srel = f () Relative spectr. sensitivity SFH 2400 FA Total power dissipation Srel = f () Ptot = f (TA) OHF01129 100 OHF01773 100 S rel % S rel % 80 80 OHF00309 140 mW Ptot 120 100 60 60 40 40 80 60 40 20 20 20 0 400 600 800 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ee) SFH 2400 FA P 10 4 mV P VO 10 1 600 800 1000 nm 1200 0 20 40 60 Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit voltage VO = f (Ev) SFH 2400 OHF01765 10 2 A 0 0 400 1000 nm 1200 OHF01025 10 2 A 80 C 100 TA Dark current IR = f (VR), E = 0 10 3 mV VO VO R OHF01026 10 4 pA 10 3 10 1 VO 10 0 10 2 10 3 10 1 10 2 P P 10 0 10 -1 10 2 10 1 10 -2 10 0 10 1 10 2 W/cm 2 10 0 10 4 10 -1 10 0 10 0 10 1 10 2 10 3 Ee 30 20 10 10 20 V VR 30 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 0 OHF01402 1.0 C 50 OHF00331 40 pF 35 30 0.8 60 0 EV Directional characteristics Srel = f () 40 10 1 lx 10 4 25 0.6 20 70 0.4 15 80 90 100 0.2 10 0 5 0 -3 10 1.0 0.8 0.6 Semiconductor Group 0.4 0 20 40 60 80 4 100 120 10 -2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VR 1998-11-12