Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400
SFH 2400 FA
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Semiconductor Group 1 1998-11-12
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im Be-
reich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2400)
und bei 880 nm (SFH 2400 FA)
●Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●SMT-Bauform, geeignet für Vapor Phase-
Löten und IR-Reflow-Löten (JEDEC level 3)
und Wellenlöten (JEDEC level 6)
●Nur gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
●Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●LWL
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2400) and of
880 nm (SFH 2400 FA)
●Short switching time (typ. 20 ns)
●SMT package, suitable for vapor phase and
IR reflow soldering (JEDEC level 3) and
wave soldering (JEDEC level 6)
●Available only on tape and reel
Applications
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
●Photointerrupters
●Fiber optic transmission systems
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 2400 Q62702-P1794 Klares Epoxy-Gieβharz, Kathodenkennzeichung:
breiter Anschluß
SFH 2400 FA on request Transparent epoxy resin, cathode marking:
broad lead
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
GEO06972
0.5
0.3
1.9
2.1
0.6
0.8
2.5
2.7
0.6
connected
AnodeCathode
4.8
4.4
1.1
1.0
0.2
0.3
0.0
0.1
Chip position
0.9
1.1
0.9 notActive area
1 x 1
SFH 2400
SFH 2400 FA
Semiconductor Group 2 1998-11-12
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR201) V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 120 mW
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2400 SFH 2400 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
S
S
10 (> 5.5)
–
–
6.2 (≥ 3.6)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
1×11×1mm×mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 ±60 Grad
deg.
1) Kurzfristige Überlastung bis 50 V für 1 - 2 sec. ist erlaubt.
Short-term overload up to 50 V for 1 to 2 sec. is permitted.
SFH 2400
SFH 2400 FA
Semiconductor Group 3 1998-11-12
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR0.1 (< 5) 0.1 (< 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
VO
VO
320
–
–
320
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 950 nm
ISC
ISC
10
–
–
3.0
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaßspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance C036 36 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 20 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 2400 SFH 2400 FA
SFH 2400
SFH 2400 FA
Semiconductor Group 4 1998-11-12
Relative spectral sensitivity SFH 2400
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
SFH 2400 FA
λ
OHF01129
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01765
e
0
10
P
Ι
-2
10 10
1
10
2
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
24
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
Relative spectr. sensitivity SFH 2400 FA
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
SFH 2400
λ
OHF01773
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
E
OHF01025
V
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
10
3
lx
1
10
2
10 10
3
10
2
1
10
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
T
OHF00309
A
0
tot
P
020 40 60 80 C100
mW
20
40
60
80
100
120
140
V
OHF01026
R
R
Ι
0
4
10
3
10
2
10
10
1
pA
20 V3010
V
OHF00331
R
-3
10
C
10
2
V
0
pF
40
5
10
15
20
25
30
35
-2
10
-1
10
0
10
1
10
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
