ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
SMD Zener Diodes
SMD Zener-Dioden
Ptot = 1 W, 1.3W
VZ= 1 V ... 200 V
Tjmax = 150°C, 175°C
Version 2016-07-04
ZMY...G
~ DO-213AB
Glass MELF
(planar)
Blue cathode ring
Type on label only
Blauer Kathodenring
Typ nur auf Etikett
Dimensions -
ZMY...
~ DO-213AB
Plastic MELF
(non-planar)
White cathode mark
Type: Zxx where xx = VZ
Weiße Kath.markierung
Typ: Zxx mit xx = VZ
Maße [mm]
Typical Applications
Voltage stabilization/regulators
(For overvoltage protection
– uni- and bi-directional – see
TVS diodes TGL41 series)
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Spannungsstabilisierung/-regler
(Für Überspannungsschutz
– uni-und bidirektional – siehe
TVS-Diodenreihe TGL41)
Standardausführung 1)
Features
ZMY...G: Low leakage current
Sharp Zener voltage breakdown
ZMY...: High power dissipation
VZ up to 200 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
ZMY...G: Niedriger Sperrstrom
Scharfer Zenerabbruch
ZMY...: Hohe Leistungsfähigkeit
VZ bis zu 200 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.12 g Gewicht ca.
Plastic case material UL 94V-0 Plastik-Gehäusematerial
Solder & assembly
conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und
Einbaubedingungen
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation
Verlustleistung
ZMY3.0G ... 9.1G TA = 25°C Ptot 1.0 W 3)
ZMY1, ZMY10 ... 200 TA = 50°C Ptot 1.3 W 3)
Non repetitive peak pulse power, t < 1 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms
ZMY3.0G ... 9.1G TA = 25°C PZSM N/A
ZMY1, ZMY10 ... 200 TA = 25°C PZSM 40 W
Operating junction temperature
Sperrschichttemperatur
ZMY3.0G ... 9.1G Tj-50...+175°C
ZMY1, ZMY10 ... 200 Tj-50...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-50...+175°C
Characteristics Kennwerte
Thermal resistance junction-ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
ZMY3.0G ... 9.1G RthA < 150 K/W 3)
ZMY1, ZMY10 ... 200 RthA < 45 K/W 3)
Thermal resistance junction-terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
ZMY3.0G ... 9.1G RthT < 70 K/W
ZMY1, ZMY10 ... 200 RthT < 10 K/W
45
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads per terminal – Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Lötpads je Anschluss
4 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
5 The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.
Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index “F” anstatt “Z” zu setzen.
Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.5
5.0
±0.3
2.5
0.1
0.2
_
+
0.4
_
0.5
0.4
_
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.5
±0.2
5.0
±0.2
0.4 0.4
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
Characteristics
(Tj = 25°C unless otherwise specified)
Kennwerte
(Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert)
Type
Typ
Zener voltage 4)
Zener-Spannung 4)
IZ = IZtest
Test current
Mess-Strom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coefficient
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 1 μA
Z-current 3)
Z-Strom 3)
TA = 50°C
Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA]
ZMY1 5)
0.71
0.82
100
0.5 (<1)
–26…–16
–
1000
ZMY3.0G
2.8
3.2
100
5 (<8)
–8…+1
–
313
ZMY3.3G
3.1
3.5
100
5 (<8)
–8…+1
> 1 / 150 µA
286
ZMY3.6G
3.4
3.8
100
5 (<8)
–8…+1
> 1 / 100 µA
263
ZMY3.9G
3.7
4.1
100
4 (<7)
–7…+2
> 1 / 100 µA
244
ZMY4.3G
4.0
4.6
100
4 (<7)
–7…+3
> 1 / 50 µA
217
ZMY4.7G
4.4
5.0
100
4 (<7)
–7…+4
> 1 / 10 µA
200
ZMY5.1G
4.8
5.4
100
2 (<5)
–6…+5
> 1 / 10 µA
185
ZMY5.6G
5.2
6.0
100
1 (<2)
–3…+5
> 2 / 500 nA
167
ZMY6.2G
5.8
6.6
100
1 (<2)
–1…+6
> 3 / 500 nA
152
ZMY6.8G
6.4
7.2
100
1 (<2)
0…+7
> 4 / 500 nA
139
ZMY7.5G
7.0
7.9
100
1 (<2)
0…+7
> 5 / 500 nA
127
ZMY8.2G
7.7
8.7
100
1 (<2)
+3…+8
> 6 / 500 nA
115
ZMY9.1G
8.5
9.6
50
2 (<4)
+3…+8
> 7 / 500 nA
104
ZMY10
9.4
10.6
50
2 (<4)
+5…+9
> 5
123
ZMY11
10.4
11.6
50
4 (<7)
+5…+10
> 5
112
ZMY12
11.4
12.7
50
4 (<7)
+5…+10
> 7
102
ZMY13
12.4
14.1
50
5 (<10)
+5…+10
> 7
92
ZMY15
13.8
15.6
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
83
ZMY16
15.3
17.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
76
ZMY18
16.8
19.1
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
68
ZMY20
18.8
21.2
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
61
ZMY22
20.8
23.3
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
56
ZMY24
22.8
25.6
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
51
ZMY27
25.1
28.9
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
45
ZMY30
28
32
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
41
ZMY33
31
35
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
37
ZMY36
34
38
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
34
ZMY39
37
41
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
32
ZMY43
40
46
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
28
ZMY47
44
50
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
26
ZMY51
48
54
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
24
ZMY56
52
60
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
22
ZMY62
58
66
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
20
ZMY68
64
72
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
18
ZMY75
70
79
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
16
ZMY82
77
88
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
15
ZMY91
85
96
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
14
ZMY100
94
106
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
12
ZMY110
104
116
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
11
ZMY120
114
127
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
10
ZMY130
124
141
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
9
ZMY150
138
156
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
8
ZMY160
153
171
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
8
ZMY180
168
191
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
7
ZMY200
188
212
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
6
3,4,5
3,4,5 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200
1
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
0 2 3 4 5 678 10
[V]
V
Z
[mA]
50
150
0
100
I
Z
3,0
3,3
3,6
3,9
4,3
4,7
5,1 5,6
6,2
6,8
7,5
8,2
9,1
I = 100 mA
Z
I = 50 mA
Z
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75 82 91 100
T = 25°C
j
I
ZT
I
Zmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
ZMY10...200
ZMY3.0G...9.1G
