FF600R12KF4 - Infineon Technologies [EUPEC]

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

GmbH + Co. KG

Marketing Information

FF 600 R 12 KF 4

2,5 deep

716 18

C2E1

55,2

11,85

31,5

C1C2

G1G2

2,5 deep

130

114

screwing depth

max. 8

screwing depth

max. 8

A13/97 Mod-E/ 13.Jan 1998 G.Schulze

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FF 600 R 12 KF 4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageVCES 1200 V

Kollektor-DauergleichstromDC-collector currentIC600 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 msICRM1200 A

Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation tC=25°C, Transistor /transistorPtot3900 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltageVGE± 20 V

DauergleichstromDC forward currentIF600 A

Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1msIFRM1200 A

Isolations-Prüfspannunginsulation test voltageRMS, f=50 Hz, t= 1 min.VISOL2,5kV

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistormin. typ.max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltageiC=600A, vGE=15V, tvj=25°CvCE sat-2,7 3,2V

iC=600A, vGE=15V, tvj=125°C-3,3 3,9V

Gate-Schwellenspannung gate threshold voltageiC=24mA, vCE=vGE, tvj=25°CvGE(th)4,5 5,5 6,5V

Eingangskapazitätinput capacityfO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0VCies-45 -nF

Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off currentvCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C iCES -8- mA

vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C-50 - mA

Gate-Emitter Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C iGES - - 400 nA

Emitter-Gate Reststromgate leakage currentvCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C iEGS- - 400 nA

Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (inductive load)iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj= 25°Cton-0,7-µs

iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj=125°C-0,8-µs

Speicherzeit (induktive Last)storage time (inductive load)iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj= 25°Cts-0,9-µs

iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj=125°C-1,0-µs

Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj= 25°Ctf-0,10 -µs

iC=600A,vCE=600V,vL=±15V,RG=1,6,tvj=125°C-0,15 -µs

Einschaltverlustenergie pro pulsturn-on energie per pulseiC=600A, vCE=600V, Ls=70nHEon

vL=±15V, RG=1,6, tvj=125°C-90 - mWs

Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energie loss per pulseiC=600A, vCE=600V, Ls=70nHEoff

vL=±15V, RG=1,6, tvj=125°C-90 - mWs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Inversdiode / Inverse diode

Durchlaßspannungforward voltageiF=600A, vGE=0V, tvj=25°CvF-2,2 2,7V

iF=600A, vGE=0V, tvj=125°C-2,0 2,5V

Rückstromspitzepeak reverse recovery currentiF=600A, vRM=600V, vEG = 10VIRM

-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C-200 -A

-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C-350 -A

Sperrverzögerungsladungrecovered chargeiF=600A, vRM=600V, vEG = 10VQr

-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C-25 -µAs

-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C-75 -µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to caseTransistor / transistor, DC RthJC0,016 °C/W

Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,032 °C/W

Diode, DC, pro Modul/per module 0,032 °C/W

Diode, DC, pro Zweig/per arm 0,064 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsinkpro Modul / per ModuleRthCK0,008 °C/W

pro Zweig / per arm 0,016 °C/W

Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperaturepro Modul / per Moduletvj max150 °C

Betriebstemperaturoperating temperatureTransistor / transistortc op -40...+150 °C

Lagertemperaturstorage temperaturetstg -40...+125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlagecase, see appendixSeite / page 1

Innere Isolation internal insulation AI2O3

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque terminals M6 / tolerance +/-15%M1 5 Nm

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque terminals M4 / tolerance +/-15%M2 2 Nm

terminals M8 8...10 Nm

Gewichtweight G ca. 1500 g

Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection

tfg = 10 µsVCC = 750 V

vL = ±15 VvCEM = 900 V

RGF = RGR = 1,6iCMK1 5000 A

tvj = 125°CiCMK2 4000 A

Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditionsCEM = VCES - 20nH x |di

c/dt|

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in

combination with the belonging technical notes.

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FF 600 R12 KF4

FF600R12KF4

[A]

Bild/Fig. 3

Übertragungscharakteristik (typisch)

Transfer characteristic (typical)

VCE = 20 V

v GE [V]

5 6 7 8 9 10 11 12

t vj =

125 °C

25 °C

FF600R12KF4

[A]

Bild/Fig. 4

Rückwärts-Arbeitsbereich

Reverse biased safe operating area

tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 1,6

v CE [V]

400

600

800

1000

200 12001000 1400

200

400 600 800

200

800

1000

400

600

1200 1400

1200

FF600R12KF4

[A]

Bild/Fig. 1

Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)

Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)

VGE = 15V

-----Tvj = 25 °C

___Tvj = 125 °C

v CE [V]

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

200

800

1000

400

600

1200

FF600R12KF4

[A]

Bild/Fig. 2

Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)

Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)

tvj = 125 °C

v CE [V]

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

200

800

1000

8 V

9 V

10 V

12 V

15 V

V GE = 20 V

400

600

1200

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FF 600 R12 KF4

FF600R12KF4

Z(th)JC

[°C/W]

Bild/Fig. 5

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)

Transient thermal impedance per arm (DC)

10-32 4 10-210-1100

10-3

10-2

2 4 2 4 2

t [s]

101

IGBT

Diode

FF600R12KF4

[A]

Bild/Fig. 6

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)

Forward characteristic of the inverse diode (typical)

tvj = 25 °C

tvj = 125 °C

v F [V]

01.0 1.5 2.0 2.50.5 3.0

10-1

200

800

1000

400

600

1200

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