High Voltage NPN Silicon
Power Transistors
...designed for line operated audio output amplifier,
SWITCHMODE power supply drivers and other switching
applications.
•250 V to 400 V (Min) — VCEO(sus)
•1 A Rated Collector Current
•Popular TO–220 Plastic Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TIP47
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TIP48
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TIP50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
250
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
300
ÎÎÎ
ÎÎÎ
400
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
350
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
400
ÎÎÎ
ÎÎÎ
500
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
2.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.6
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Unclamped Inducting Load
Energy (See Figure 8)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
E
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0 100
0
10
160
20
30
60 80
40 140
40
20 120
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
TC
TC
0
1
2
3
4
TA
TA
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 5 1Publication Order Number:
TIP47/D
TIP47
TIP48
TIP50
1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
NPN SILICON
250–300–350–400 VOLTS
40 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
*
*
*
CASE 221A–09
TO–220AB
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) TIP47
(IC = 30 mAdc, IB = 0) TIP48
TIP50
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
250
300
400
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 150 Vdc, IB = 0) TIP47
(VCE = 200 Vdc, IB = 0) TIP48
(VCE = 300 Vdc, IB = 0) TIP50
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0) TIP47
(VCE = 400 Vdc, VBE = 0) TIP48
(VCE = 500 Vdc, VBE = 0) TIP50
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.1 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 2.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
(1) Pulse Test: Pulse width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
TURN-ON PULSE
APPROX
+11 V
Vin 0
VEB(off) t1
APPROX
+11 V
Vin
t2
TURN-OFF PULSE
t3
t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
APPROX -9.0 V
RB and RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS.
SCOPE
RC
RB
VCC
Vin
Cjd << Ceb
-4.0 V
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
0.02
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01
0.1 2.01.0
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
t, TIME (s)µ
0.5
0.2
0.1
0.05
0.05 0.5
0.02
1.0
tr
0.2
td
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
3
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.1
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZE
D
1.0 1.0 100
ZθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1t2
SINGLE PULSE
1.0 k
D = 0.5
0.2
0.05
DUTY CYCLE, D = t1/t2
Figure 4. Thermal Response
0.1
0.05
0.02
0.01
0.03
0.02
0.07
0.5
0.3
0.2
0.7
0.02 0.05 0.2 0.5 2.0 5.0 200 50010 20 50
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10 205.0 50 500
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
0.02
0.05
SECONDARY BREAKDOWN LIMITED
THERMALLY LIMITED @ 25°C
BONDING WIRE LIMITED
1.0ms
dc
100µs
0.2
0.1
5.0
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
CURVES APPLY
BELOW RATED VCEO
1.0
0.5
100 200
500µs
TC ≤ 25°C
TIP47
TIP48
TIP50
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation, i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
0.05 0.1 0.20.02 0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 6. Turn–Off Time
5.0
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
1.0 2.0
ts
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
tf
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
+4.5
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+3.5
+2.5
+1.5
0
-0.5
-1.5
-2.5
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/5
θVC FOR VCE(sat)
θVB FOR VBE
Figure 7. Temperature Coefficients
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
+25°C to +150°C
-55°C to +25°C
+25°C to +150°C
-55°C to +25°C
+0.5
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
4
Figure 8. Inductive Load Switching
Note A: Input pulse width is increased until ICM = 0.63 A.
INPUT 50
MJE171
RBB1 =
150 Ω100 mH
RBB2 =
100 Ω
VBB2 =
0
VBB1 = 10 V
VCE MONITOR
TUT
VCC = 20 V
IC MONITOR
RS =
0.1 Ω
50
0.63 A
0 V
-5 V
tw ≈ 3 ms
(SEE NOTE A)
INPUT
VOLTAGE
COLLECTOR
CURRENT
COLLECTOR
VOLTAGE
VCER
0 V
10 V
100 ms
VCE(sat)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
Figure 9. DC Current Gain
100
200
0.04 0.06 0.2 2.00.02
60
40
20
10
6.0
4.0
0.1
Figure 10. “On” Voltages
VCE = 10 V
2.0 0.6 1.00.4
25°C
TJ = 150°C
-55°C
1.4
0.02
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
0.8
0.4
1.2
0.6
0.2
00.04 0.06 0.1 0.2 0.4 0.6
V, VOLTAGE (VOLTS)
1.0 2.0
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0 V
VBE(on) @ VCE = 4 V
VCE(sat) @ IC/IB = 5.0 V
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
6
Notes
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
7
Notes
TIP47 TIP48 TIP50
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP47/D
SWITCHMODE is a trademark of Semiconductor Components Industries, LLC.
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
