Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 1200 A
DC-collector current TC = 25 °C IC1950 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 2400 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 9,6 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF1200 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tp = 1 ms IFRM 2400 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t380 kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat 2,6 3,1 V
collector-emitter saturation voltage IC = 1200A, VGE = 15V, Tvj = 125°C 3,1 3,6 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 80mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V ... +15V QG14,5 µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies 79 nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres 4nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES 5mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
prepared by: A. Wiesenthal date of publication: 05.04.2001
approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001 revision: 1 (preliminary)
1(8) FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1200A, VCE = 900V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C td,on 0,3 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C 0,3 µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 1200A, VCE = 900V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C tr0,16 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C 0,16 µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 1200A, VCE = 900V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C td,off 1,1 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C 1,1 µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 1200A, VCE = 900V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 25°C tf0,13 µs
VGE = ±15V, RG = 1,2W, Tvj = 125°C 0,14 µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG = 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH Eon 330 mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 1200A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 1,2W, Tvj = 125°C, LS = 50nH Eoff 480 mWs
Kurzschlußverhalten tP £ 10µsec, VGE £ 15V
SC Data TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC 4800 A
Modulinduktivität
stray inductance module LsCE 12 nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ 0,08 mW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 1200A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF2,1 2,5 V
forward voltage IF = 1200A, VGE = 0V, Tvj = 125°C 2,1 2,5 V
Rückstromspitze IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM 970 A
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 1130 A
Sperrverzögerungsladung IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
recovered charge VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr200 µAs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 380 µAs
Abschaltenergie pro Puls IF = 1200A, - diF/dt = 7200A/µsec
reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec 110 mWs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C 210 mWs
FZ 1200 R 17 KF6C B2
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC 0,013 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC 0,025 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module
lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthCK 0,008 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Tvj op -40 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation AlN
Kriechstrecke
creepage distance 17 mm
Luftstrecke
clearance 10 mm
CTI
comperative tracking index 275
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M4 M2 2 Nm
terminal connection torque terminals M8 8 - 10 Nm
Gewicht
weight G 1050 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
4(8) FZ1200R17KF6CB2_V.xls
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
5678910111213
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
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IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
E [mJ]
IC [A]
E [mJ]
RG [9
99
9]
0
200
400
600
800
1000
1200
0 400 800 1200 1600 2000 2400
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) Rgon = Rgoff =1,2 9
99
9, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0246810
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switching losses (typical) IC = 1200A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V
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IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
ZthJC
[K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 1,25 6,15 2,6 3
Ji [sec] : IGBT 0,003 0,05 0,1 0,95
ri [K/kW] : Diode 2,46 13,4 4,57 4,57
Ji [sec] : Diode 0,003 0,045 0,45 0,75
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area
(
RBSOA
)
Rg = 1,2 Ohm, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8) FZ1200R17KF6CB2_V.xls
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IGBT-Module
IGBT-Modules FZ 1200 R 17 KF6C B2
Äußere Abmessungen / external dimensions
8(8) FZ1200R17KF6CB2_V.xls
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