EconoPIM™2mitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
EconoPIM™2withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC25
40 A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 50 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 155 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V
IC = 25 A, VGE = 15 V VCE sat
1,70
2,00
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG0,24 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 8,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,80 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,064 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
td on
0,09
0,09
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
tr
0,03
0,05
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
td off
0,42
0,52
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload IC = 25 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
tf
0,07
0,09
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 1000 A/µs
RGon = 18 ΩEon 1,90
2,80
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs
RGoff = 18 ΩEoff 1,75
2,40
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
100
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,80 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,32 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF25 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A
Grenzlastintegral
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 170 A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V VF
1,65
1,65
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
IRM 26,0
24,0 A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Qr2,80
5,00
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Erec 1,00
2,00
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 1,35 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,535 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
MaximumRMSforwardcurrentperchip TC = 80°C IFRMSM 50 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput TC = 80°C IRMSM 60 A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450
370 A
A
Grenzlastintegral
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000
685 A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 25 A VF0,90 V
Sperrstrom
Reversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 0,90 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,36 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC15
25 A
A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 30 A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 105 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage IC = 15 A, VGE = 15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V VCE sat
1,70
2,00
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gateladung
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG0,15 µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
td on
0,09
0,09
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 75 Ω
tr
0,03
0,05
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
td off
0,42
0,52
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload IC = 15 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 75 Ω
tf
0,07
0,09
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGon = 75 ΩEon 1,50
2,10
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 75 ΩEoff 1,10
1,50
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
60
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 1,20 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proIGBT/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,475 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent IF10 A
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A
Grenzlastintegral
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 20,0 A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V VF
1,80
1,85
2,25
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V IRM 14,0
15,0 A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V Qr1,00
1,80
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V Erec 0,26
0,56
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase proDiode/perdiode RthJC 2,30 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proDiode/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,915 K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100
DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
Verlustleistung
Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-Wert
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate Cu
InnereIsolation
Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) Al203
Kriechstrecke
Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
mm
Luftstrecke
Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper
Thermalresistance,casetoheatsink proModul/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,02 K/W
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule LsCE 60 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'
RAA'+CC' 4,00
3,00 mΩ
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier Tvj max 150
150
°C
°C
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Gleichrichter/rectifier Tvj op -40
-40 125
150
°C
°C
Lagertemperatur
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm
Gewicht
Weight G180 g
bei Betrieb mit Vge = 0V/+15V empfehlen wir einen Rgon,min von 36 Ohm und eine Rgoff,min von 36 Ohm (siehe AN 2006-01)
for operation with Vge= 0V/+15V we recommend a Rgon,min of 36 ohms and a Rgoff,min of 36 ohms (see AN 2006-01)
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=600V
IC [A]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJC : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,09025
0,002345
2
0,3612
0,0282
3
0,2031
0,1128
4
0,1403
0,282
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
IC, Modul
IC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
preparedby:AS
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=18Ω,VCE=600V
IF [A]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Erec, Tvj = 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=25A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 10 20 30 40 50 60 70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Erec, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
10
ZthJC : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,1375
0,003333
2
0,888
0,03429
3
0,2558
0,1294
4
0,08101
0,7662
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
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approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
5
10
15
20
25
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
5
10
15
20
25
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
TC [°C]
R[Ω]
0 20 40 60 80 100 120 140 160
100
1000
10000
100000
Rtyp
10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
IGBT-modules
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dateofpublication:2013-10-02
revision:3.2
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP25R12KE3
IGBT-Module
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revision:3.2
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