Semiconductor Group 1 1998-04-16
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fet06090fet06091
fet06092
ø5.6
2.54
spacing
ø4.8
ø4.6
(2.7) 5.5
5.0
5.3
5.0
14.5
12.5
ø0.45
Radiant sensitive area
GET06013
Approx. weight 0.5 g
Chip position
Cathode (SFH 402, BPX 65)
ø5.3
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode (SFH 482)
(2.7)
ø0.45
14.5
12.5
5.3
5.0
6.4
5.6
Chip position
2.54 mm
spacing
ø4.8
glass
lens
welded
Approx. weight 0.35 g
ø5.6
ø5.3
Anode
Cathode = SFH 481
= SFH 401
GET06091
(package)
ø4.6
0.9
1.1
1.1
0.9
ø5.6
ø5.3
2.54mm
spacing
ø0.45
Cathode (SFH 480)
(2.7)
14.5
12.5
5.3
5.0
ø4.8
ø4.6
GEO06314
Approx. weight 0.5 g
7.4
6.6
0.9
1.1
1.1
0.9
SFH 400)
Anode Radiant
Sensitive area
Chip position (SFH 216, SFH 231,
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480
SFH 481
SFH 482
Semiconductor Group 2 1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 480-2 Q62703-Q1662 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm-
Raster (1/10’’), Kathodenkennzeichnung: Nase am Ge-
häuseboden
18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm
(1/10’’), cathode marking: projection at package
SFH 480-3 Q62703-Q1663
SFH 481 Q62703-Q1088
SFH 481-1 Q62703-Q1664
SFH 481-2 Q62703-Q1665
SFH 482 Q62703-Q1089
SFH 482-1 Q62703-Q1667
SFH 482-2 Q62703-Q1668
SFH 482-3 Q62703-Q1669
SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186
Wesentliche Merkmale
●Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren
●Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
●Hermetisch dichtes Metallgehäuse
●SFH 480: Gehäusegleich mit SFH 216
●SFH 481: Gehäusegleich mit BPX 43,
BPY 63
●SFH 482: Gehäusegleich mit BPX 38,
BPX 65
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●IR-Gerätefernsteuerungen
Features
●GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
●Anode is electrically connected to the case
●High reliability
●Matches all Si-Photodetectors
●Hermetically sealed package
●SFH 480: Same package as SFH 216
●SFH 481: Same package as BPX 43,
BPY 63
●SFH 482: Same package as BPX 38,
BPX 65
Applications
●Photointerrupters
●IR remote control of various equipmet
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group 3 1998-04-16
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 481:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
SFH 480, SFH 482:
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top;Tstg – 55 ... + 125 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF200 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF= 100 mA
∆λ 80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 480
SFH 481
SFH 482
ϕ
ϕ
ϕ
± 6
±15
±30 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.16 mm2
Semiconductor Group 4 1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.4 ×0.4 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 480
SFH 481
SFH 482
H
H
H
4.0 ... 4.8
2.8 ... 3.7
2.1 ... 2.7
mm
mm
mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.6/0.5 µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.50 (≤ 1.8)
3.00 (≤ 3.8) V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe12 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ+ 0.25 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group 5 1998-04-16
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil
(Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird
sichergestellt, daβ bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die
direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung)
wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über
Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen
diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende
Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist
gekennzeichnet durch den Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
480-2 SFH
480-3 SFH
481 SFH
481-1 SFH
481-2
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
40
–63
–10
–10
20 16
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. 540 630 220 130 220 mW/sr
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
482 SFH
482-1 SFH
482-2 SFH
482-3 SFH
482-M
E 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min
Ie max
3.15
–3.15
6.3 5
10 8
–1.6 ... 3.2
–mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. – 40 65 80 – mW/sr
Semiconductor Group 6 1998-04-16
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Radiation characteristics, SFH 482 Irel =f (ϕ)
OHR01890
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiation characteristics, SFH 481 Irel =f (ϕ)
OHR01889
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiation characteristics, SFH 480 Irel =f (ϕ)
OHR01888
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
SFH 480,
SFH 481, SFH 482
Semiconductor Group 7 1998-04-16
Relative spectral emission
Irel =f (λ)
Forward current, IF=f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
A
Ι
F
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
t
OHR00948
p
-5
10
10
2
Ι
F
10
3
10
4
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
5
DC
0.2
0.5
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
t
p
T
Ι
F
t
p
T
D
=
5
mA
D
=
Max. permissible forward current
SFH 481, IF=f (TA, TC)
T
OHR00946
A
0
F
Ι
020 40 60 80 100
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,
T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
Max. permissible forward current
SFH 480, SFH 482, IF=f (TA, TC)
T
OHR00396
A
0
F
Ι
0
˚C
40
80
120
160
200
mA
240
,
T
C
= 450 K/W
thJA
R
R
thJC
= 160 K/W
20 40 60 80 100 130
