NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR 2 N 699 TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL - LF amplification Amplification BF oa: Vv 80 V - Switching CER Commutation hoiE (150 mA) 40-120 fr 50 MHz min. Maximum power dissipation Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages .Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-7 dernires pages Prot (w) i U so ELN 1 X c Cs 1 N2! B we \ | a) (VW) Top (OC) (2) Toase(C) 9 Weight : 0,9 g. Collector is connected to case 50 100 #4150 = 200 Masse Le colfecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb= +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION ami (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Tension collecteur-base Veso 120 v Collector-emitter voltage = Tension collecteur-metteur R Be ~ 10 2 Voer 80 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base VEBo 5 v Power dissipation Tamb= 28C (1) p 0,6 w Dissipation de puissance Trnea= 25C (2) tot 2 w case Junction temperature Temprature de jonction max Tj 175 c Storage temperature min. T 65 c Temprature de stock age max. stg +200 C 76-13 1/4 af THOMSON-CSF ONISION SEMICONOUCTEURS 712N 699 (Unless otherwise stated) STATIC CHARACTERISTICS T =25C CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires) Test conditions 5 Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vog = 60V | Courant rsiduel collecteur-base le = 0 CBO 2 HA =2V Emitter-base cut-off current Ves _ lego 100 BA Courant rsiduel metteur-base lo ~ | = 100 pA Collector-base breakdown voltage c Vv Tension de claquage collecteur-bese lp =0 {BR)CBO 120 v Collector-emitter breakd Itage | Pee = 10% *| ollector-emitter breakdown volta: Tension de claquage collecteur-metteur le =100mA ViBRICER 80 v Static forward current transfert ratio Vog = 10V ho. * Vateur statique du rapport de transfert _ direct du courant Ig = 150 mA 21 40 120 Collector-emitter saturation voltage Io = 150mA Vv * 5 V Tension de saturation collecteur-metteur {1g = 15mA CEsat Base-emitter saturation voltage Io =150mA Vv * Vv Tension de saturation base-metteur Ig =15mA BEsat 13 * Pulsed to =300ns < 2% impulsions 24 722N 699 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals} T = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) amb " (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vce =5V le =1mA 35 100 f = 1 kHz Forward current transfer ratio h Rapport de transfert direct du courant 21e Vog = 10V | c = 5mA 45 f = 1 kHz Veg =5V eo =1mA 20 30 Q f =1kHz Input impedance h impdance dentre 11b Ves =10V Io =5mA 10 2 f = 1 kHz Vog =5V lc =1mA 2,5 104 f =1kHz Reverse voltage transfer ratio h Rapport de transfert inverse de la tension 12b Vop = 10V Ip =5mA 3 104 f = 1 kHz Vog =5V le =1mA 0,1 0,5 BS f =1 kHz Output admittance Admittance de sortie hoop Vos =10V le =5mA 1 us f = 1 kHz Vege = 10V Transition frequency = Frquence de transition t _ oo vate fr 50 MHz Vap = 10V Output capacitance cB Capacit de sortie le = C205 20 pF f =1MHz 3/4 732N 699 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES {mA} (mA) 160 120 80 40 0 2 40 60 80 Vogtv) 0 2 4 6 8 Voglv) h. (ma) ate 160 120 120 80 80 40 01 03 Of 0,7 09 Vpelv) 103 4l4 74