FS75R12KE3 - Infineon Technologies

nom 75 A

IC105 A

min. typ. max.

- 1,7 2,15 V

- 2,0 - V

VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C

Gateladung VGE= -15V...+15V QG -

gate charge

nF - 0,2

collector emitter cut off current ICES

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

Kollektor Emitter Reststrom

Cres

Eingangskapazität

input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V

prepared by: MOD-D2; M. Münzer

VGES

revision: 3.0

2,5

5,0 5,8

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

date of publication: 2002-09-03

Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25°C

collector emitter saturation voltage

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min: VISOL

ICRM

Ptot 350

repetitive peak forward current

VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C

Technische Information / technical information

FS75R12KE3

IGBT-Module

IGBT-Modules

VCES

Periodischer Spitzenstrom

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung

VCEsat

Charakteristische Werte / characteristic values

approved: SM TM; Robert Severin

IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125°C

Gate Schwellenspannung IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C

gate threshold voltage

1200 V

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor Emitter Sperrspannung

Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom

collector emitter voltage Tvj= 25°C

Tc= 25°CDC collector current

gate emitter peak voltage

150

Dauergleichstrom IF75

Tc= 25°C; Transistor

repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

DC forward current

+20

1200 A²s

tp= 1ms IFRM 150 A

Grenzlastintegral

nF5,3 -

0,7 - µC

IGES - 400

6,5

- 5-

I²t value I²t

VGE(th)

Cies

gate emitter leakage current

Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C

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IGBT-Module

IGBT-Modules

min. typ. max.

- 0,26 - µs

- 0,29 - µs

- 0,03 - µs

- 0,05 - µs

- 0,42 - µs

- 0,52 - µs

- 0,07 - µs

- 0,09 - µs

- 1,65 2,15 V

- 1,65 - V

- 90 - A

- 96 - A

- 7,4 - µC

- 13,5 - µC

- 3,0 - mJ

- 5,5 - mJ

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

td,on

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

IC= 75A, VCC= 600V

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs

Durchlassspannung

Charakteristische Werte / characteristic values

IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 25°C

IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 125°C

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn on delay time (inductive load)

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

forward voltage

Rückstromspitze

peak reverse recovery current IRM

- -

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

- 7,0

IC= 75A, VCC= 600V

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C

mΩ

Charakteristische Werte / characteristic values

Eon

IC= 75A, VCC= 600V, Lσ= 70nH

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

IC= 75A, VCC= 600V

td,off

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

IC= 75A, VCC= 600V

- mJ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip RCC´/EE´

Tc= 25°C

turn off energy loss per pulse Eoff

IC= 75A, VCC= 600V, Lσ= 70nH

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C - 9,5

Diode Wechselrichter / diode inverter

2,5

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy Erec

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C

VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs

- nH

stray inductance module

Modulinduktivität LσCE -

SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

Ausschaltverlustenergie pro Puls

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load) VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C

VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C ISC - 300 - A

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs

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IGBT-Module

IGBT-Modules

min. typ. max.

- - 0,35 K/W

- - 0,58 K/W

clearence distance

Luftstrecke

creepage distance

Kriechstrecke

weight G 180

Gewicht

M 3 -

Innere Isolation

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Schraube / screw M5

Al2O3

225

10,0

7,5

Abweichung von R100

R25 -kΩ

Thermische Eigenschaften / thermal properties

-5 - 5

-5

Verlustleistung

Tc= 100°C, R100= 493Ω∆R/R

Tc= 25°C P25

power dissipation

RthCK

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

Übergangs Wärmewiderstand

Tvj max

pro Modul / per module

λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

operation temperature

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

B-value

- -

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

Nennwiderstand Tc= 25°C

rated resistance

deviation of R100

B-Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50

K/W- 0,02

- 3375 - K

°C

20 mW

150

-40 -

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

125 °C

°C

Tstg -40 - 125

Lagertemperatur

storage temperature

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

Innerer Wärmewiderstand; DC

thermal resistance, junction to case; DC

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Diode Wechselrichter / diode inverter RthJC

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

mounting torque

Tvj op

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IGBT-Module

IGBT-Modules

output characteristic (typical) Tvj= 125°C

output characteristic (typical) VGE= 15V

usgangs

enn

IC= f(VCE)

usgangs

enn

IC= f(VCE)

100

125

150

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

VCE [V]

IC [A]

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

100

125

150

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

IC [A]

VGE=19V

VGE=17V

VGE=15V

VGE=13V

VGE=11V

VGE=9V

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IGBT-Module

IGBT-Modules

Üb

ragungsc

ara

tik

transfer characteristic (typical)

IC= f(VGE)

VCE= 20V

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

100

125

150

456789101112

VGE [V]

IC [A]

Tvj=25°C

Tvj=125°C

100

125

150

0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4

VF [V]

IF [A]

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

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IGBT-Module

IGBT-Modules

ver

Switching losses (typical)

Eon= f(RG), Eoff= f(RG), Erec= f(RG)

VGE=±15V, IC=75A, VCE=600V, Tvj=125°C

ver

Switching losses (typical)

Eon= f(IC), Eoff= f(IC), Erec= f(IC)

VGE=±15V, RG=4,7Ω, VCE=600V, Tvj=125°C

0 25 50 75 100 125 150

IC [A]

E [mJ]

Eon

Eoff

Erec

0 1020304050

RG [Ω]

E [mJ]

Eon

Eoff

Erec

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IGBT-Module

IGBT-Modules

8,884E-02

6,139E-02

Transient thermal impedance

7,662E-01

5,906E-02

3,333E-03

3,815E-01

3,429E-02

1,099E-01

1,294E-01

3,480E-02

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, RG=4,7Ω, Tvj=125°C

ri [K/W] : IGBT

τi [s] : IGBT

ri [K/W] : Diode

τi [s] : Diode

3,949E-02

2,345E-03

Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)

1,580E-01

2,820E-02 1,128E-012,820E-01

0,01

0,1

0,001 0,01 0,1 1 10

t [s]

ZthJC [K/W]

Zth : IGBT

Zth : Diode

100

125

150

175

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

VCE [V]

IC [A]

IC,Chip

IC,Modul

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IGBT-Module

IGBT-Modules

Gehäusemaße / Schaltbild

Package outline / Circuit diagram

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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

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