is. \ << BD 438 - BD 440 : BD 442 Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein im NF-Bereich Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: @ Hohe Spitzenleistung @ Verlustleistung 36 W @ Gepaart lieferbar @ BD 438, BD 440, BD 442 sind komple- mentar zu BD 437, BD 439, BD 441 Abmessungen in mm Dimensions in mm Features: @ High peak power @ Power dissipation 36 W @ Matched pairs available @ BD 438, BD 440, BD 442 are comple- mentary to BD 437, BD 439, BD 441 Zubehr Accessories Isolierscheibe !solating washer Best. Nr. 119880 Unterlegscheibe Washer 3,2 DIN 125A Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Koilektor-Basis-Sperrspannung Collector-base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung Emitter-base voltage B 2/V.2.427/0477A2 Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected with metallic surface Normgehduse Case 12 A3 DIN 41896 JEDEC TO 126 (SOT 32) Gewicht - Weight max. 0,8g BD438 BD440 BD442 -UcBo 45 60 80 v -UcEO 45 60 80 V - UEBO 5 V 73BD 438 - BD 440 - BD 442 Kollektorstrom -Ico 4 A Collector current Kollektorspitzenstrom Collector peak current ty < 10ms Iom 7 A Basisstrom -Ip 1 A Base current Gesamtverlustleistung Total power dissipation bcase = 25C Prot 36 Ww Sperrschichttemperatur tj 150 C Junction temperature Lagerungstemperaturbereich 'gtg 55...+150 C Storage temperature range Anzugsdrehmoment My?) 70 Nom Tightening torque case = 25 C c case *" t ') mit M3-Schraube und Unterlagscheibe with screw M3 and washer 3,2 DIN 125A 74BD 438 - BD 440 -: BD 442 Warmewiderstande Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Rinda Junction ambient Sperrschicht-Gehause Rinse Junction case mit Isolierscheibe R thuC with isolating washer Best. Nr. 119880 mit Isolierscheibe und Paste Rin JC with isolating washer and paste KenngrBen Characteristics lamb = 25C, falls nicht anders angegeben unless otherwise specified Kollektorreststrom Collector cut-off current -Uggp=45V BD438 = Ig -Ugg=60V BD440 Ig -Ucp = 80V BD 442 -IcBo lamb = 150C, - Ucp = 45V BD 438 -Iopo -Ucp = 60V BD 440 -Icpo ~Ucp = 80V BD 442 -IcBpo Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage -Io = 100mA BD 438 _- UBR)CEO 1) BD 440 - UBR)CEO 4) BD 442 - UBR)CEO 4) Ig = 100A BD 438 - UBR)CES BD 440 - UBR)CES BD 442 ~ UBR)CES Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage ~Ig = 1mA UBR)EBO Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage -Ig = 2A, -Ip = 200mA BD 438 ~ UceEsat) BD 440, BD 442 - UcEsat) Basis-Emitterspannung Base-emitter voltage Uce = 1V, -Ig =2A BD 438 ~ Upe BD 440, BD 442 -Upe t 1) B= 0,01, tp = 0,3 ms 45 60 80 45 60 80 Typ. Max. 100 3,5 100 100 100 ooo 06 0,8 1,2 15 C/W C/W C/W C/W HA pA HA mA mA mA <<< <<< 75BD 438 - BD 440 - BD 442 Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio -Uog = 5V,-Ig = 10mA BD 438 BD 440 BD 442 -UcE =1V, -Ic = 500 mA -Uge=1V,-Ig= 2A BD 438 BD 440 BD 442 Fir Paare gilt das Ap-Verhaltnis hgg matched pair ratio - UcE =1V, -Ic = 500 mA4) Transitfrequenz Gain bandwidth -Uog = 10V, -Ig = 250mA, f= 1 MHz hy i = 4) FP = 0,01, tp = 0,3 ms 76 AFE FE FE hee?) hee) hee?) hee) ST 30 20 15 40 40 25 15 Typ. Max. 236 1,4 MHz