Elektrische Eigenschaften
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
repetitive peak forward off-state and
tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM
V 1)
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
tvj = -40°C...tvj max VDSM
V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 4600 A
Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 2159 A
tc = 64°C 2930 A
Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 44000 A 1)
tvj = tvj max, tp = 10 ms 40000 A
Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t9,68 · 106A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms 8 · 106A2s
Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)cr 150 A/µs
vL=10 V, iGM= 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD =0,67 VDRM (dvD/dt)cr
5.Kennbuchstabe/5th letter C 500 V/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter F 1000 V/µs
Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 8800 A vTmax. 2,65 V
Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 1,05 V
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,154 mΩ
Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 300 mA
Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 300 V
Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 300 mA
Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1500 mA
iGM = 1,6 A, diG /dt = 1,6 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 250 mA
Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1,6 A,
di
/dt=1,6 A/µs tgd max. 300 µs
Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=tvj max, iTM=iTAVM, vRM=100 V,
vDM=0,67vDRM, dvD/dt=20V/µs,-
diT/dt=10A/µs, 4.Kennbuchstabe/4th
tqtyp. 250 µs
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface RthJC
beidseitig/two-sided, Θ =180° sin 0,0099 °C/W
beidseitig/two-sided, DC 0,0092 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface RthCK
beidseitig/two-sided 0,0025 °C/W
einseitig/single-sided 0,005 °C/W
Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C
Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C
Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-
Si-pellet with pressure contact, amplifying
Anpreßkraft clamping force F42...95 kN
Gewicht weight Gtyp. 1200 g
Kriechstrecke creepage distance 25 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²
Gehäuse case Titelseite / front page
1) Gehäusegrenzstrom 36 kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 36 kA (50Hz sinusoidal half-wave).