1N4148W, 1N4448W
1N4148W, 1N4448W
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-10-17
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 400 mW
Repetitive peak reverse voltage
eriodische Spitzensperrspannung
75 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse ~SOD-123
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
1N4148W, 1N4448W
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 400 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
toßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
500 mA 1)
2 A
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 75 V
Non repetitive peak reverse voltage – Stoßspitzensperrspannung VRSM 100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
urchlass-Spannung
1N4148W IF = 10 mA VF< 1.0 V
1N4448W IF = 5 mA
IF = 100 mA
VF
F
0.62...0.72 V
1 V
Leakage current – Sperrstrom 2) VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 25 nA
5 µA
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C 2) VR = 20 V
VR = 75 V
IR
IR
< 30 µA
50 µA
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz CT4 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Trr < 4 ns
Thermal resistance junction to ambient air
ärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 400 K/W 1)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.6
±0.1
0.6
±0.1
1 .1
±0.1
3.8
±0.2
Type
Code
2.7
±0.1
0.12
1N4148W, 1N4448W
Marking – Stempelung 1N4148W = W1 / T4 / T6 1)
1N4448W = T5 / W1 1)
These diodes are also available in other case styles
Diese Dioden sind auch in anderen Gehäuseformen lieferbar
DO-35
MiniMELF
Q-MiniMELF
Q-MicroMelf
SOD-323
= 1N4148
= LL4148
= LS4148
= MCL4148
= 1N4148WS
1 Alternatively used. The complete part number is given on the package label.
Alternativ verwendet. Die vollständige Artikel-Nr. ist auf dem Verpackungsetikett angegeben.
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
