BAS19 ... BAS21 BAS19 ... BAS21 Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes Schnelle Si-Planar-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2005-10-05 1.1 2.9 0.1 0.4 2.5 0.1 Type Code 1.3 max 3 2 1 1.9 Dimensions - Mae [mm] 1=A 2 = n.c./frei 3=C Power dissipation - Verlustleistung 250 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 120...250 V Plastic case Kunststoffgehause SOT-23 (TO-236) Weight approx. - Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25C) Type Typ Grenzwerte (TA = 25C) Continuous reverse voltage Dauersperrspannung VR [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) BAS19 100 120 BAS20 150 200 BAS21 200 250 Power dissipation - Verlustleistung Ptot 250 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 1) IFSM IFSM 0.5 A 2.5 A Tj TS - 55...+150C - 55...+150C Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s tp 1 s Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom 1 2 IF = 100 mA IF = 200 mA VF VF < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25C V = VR IR < 100 nA Tj = 150C V = VR IR < 100 A Tested with 100 A pulses - Gemessen mit 100 A-Impulsen Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS19 ... BAS21 Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Max. junction capacitance - Max. Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz CT < 5 pF Reverse recovery time - Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns RthA < 420 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft Pinning - Anschlussbelegung 3 1 Marking - Stempelung Single Diode Einzeldiode 1=A 2 120 2 = n.c./frei BAS19 = A8 or/oder JP BAS20 = A81 or/oder JR BAS21 = A82 or/oder JS 3=C 10 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125C 60 -1 10 40 Tj = 25C -2 10 20 IF Ptot 0 -3 0 TA 50 100 150 [C] 10 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG