BAS19 ... BAS21
BAS1 9 ... BAS 21
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmonta ge
Version 2005-10-05
Dimensions - Maße [mm]
1 = A 2 = n.c./frei 3 = C
Power dissipation – Verlustleistung 250 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
120...250 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
Type
Typ
Continuous reverse voltage
Dauersperrspannung
VR [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
BAS19 100 120
BAS20 150 200
BAS21 200 250
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 250 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV 200 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 625 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
0.5 A
2.5 A
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
- 55...+150°C
- 55…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 100 mA
IF = 200 mA
VF
VF
< 1.00 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
V = VRIR< 100 nA
V = VRIR< 100 µA
1 Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
max
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
12
3
Type
Code
1.9
BAS19 ... BAS21
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT< 5 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 420 K/W 1)
Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Single Diode
Einzeldiode
1 = A 2 = n.c./frei 3 = C
BAS19 = A8 or/oder JP
BAS20 = A81 or/oder JR
BAS21 = A82 or/oder JS
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
120
100
80
20
00150
50 100
T
A
[°C]
60
40
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[A]
I
F
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
2
1
3
