RF transistors Single transistors Type Fig. | Maximum ratings Characteristics | 5 Ne Prot at 3 lamb = +45C lo UcEO Are at lo and UcE fy at Io Cire at Ucp Yfe at Io and f Fat f a w mA |V mA |V MHz |mA_ | pF Vv mS mA |MHz |dB_ | MHz BF 115 NPN |9 0,145 30 30 48-167 | 1 10 230 1 0,65 10 35 1 0,45 | 1,2 1 BF 167 ') NPN |9 0,13 25 30 227 4 10 350 4 0,15 10 105 4 35 3 35 BF 173 NPN |9 0,2 25 25 = 38 7 10 550 5 0,23 10 145 7 35 - - BF 184) NPN {9 0,145 30 20 67-220 | 1 10 260 1 0,65 10 35 1 10,7 (3,5 1 BF 185 NPN | 9 0,145 30 20 36-125 | 1 10 200 1 0,65 10 35 1 10,7 |3,5 1 BF 198 ) NPN | 10 0,3 25 30 227 4 10 400 4 0,22 10 105 4 35 3 35 BF 199 NPN | 10 0,3 25 25 = 38 7 10 550 5 0,32 10 175 7 35 3 - BF 240 ') NPN | 10 0,3 _ 25 40 67-220 | 1 10 430 1 0,27 10 - - - 1,6 100 BF 241 NPN | 10 0,3 25 40 36-125 | 1 10 400 1 0,27 10 - - - 1,6 100 BF 254') NPN | 10 0,3 30 20 67-220 | 1 10 260 1 0,85 10 35 1 10,7 /2% |1 BF 255 NPN | 10 0,3 30 20 36-125 | 1 10 200 1 0,85 10 35 1 10,7 |2,5%))1 BF 257 NPN {2' |5 100 |160 225 30 10 90 10 4,2 30 - ~ - ~ - BF 258 NPN | 2'% {5 100 250 = 25 30 10 90 10 4,2 30 - - - ~ 7 BF 259 NPN |2") |5%) 100 |300 = 25 30 10 90 10 4,2 30 - - - ~ ~ BF 310 NPN [10 0,3 25 30 =29 4 10 = 580 |1 <0,13 5) 10 =80%) | 4 36 - - BF 311 NPN | 10 0,3 40 25 240 15 10 750 5 0,35 10 370 15 36 ~ - BF 314 NPN |3") [0,3 25 _|30 229 [4 10 |450 |1 0,1) |10 36%) [4 100 {3 100 BF 414 PNP |3') |0,3 25 |30 =30 |1 10 |400 |1 0,09) | 10 - - - 2 100 BF 422 NPN |4 0,83 ) 20 250 = 50 25 20 = 60 10 - - - - - ~ - BF 423 PNP |4 0,83 *) 20 250 250 25 20 = 60 10 - - - - ~ - BF 440 ') PNP | 10 0,3 25 40 60-220 | 1 10 250 1 0,4 10 =80 (|4 36 ~ - BF 441 PNP {10 0,3 25 40 30-125 {1 10 250 1 0,4 10 280 i4 36 ~ _ - BF 469 NPN |6!'') | 1,8 i) 20 250 = 50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 - - ~ - BF 470 PNP /6'') | 1,8% 20 250 = 50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 _{- - - ~ - BF 471 NPN /6'') | 2 30 3007) |=50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 > - > ~ - BF 472 PNP 16'') [2'% 30 300) |=50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 - - - ~ - BF 869 NPN | 16/17] 5) 50 250 2 50 25 20 = 60 10 =1,8 |30 - - - nn BF 870 PNP | 16/17] 5) 50 250 = 50 25 20 = 60 10 =1,8 ,30 - - - ~ ~ BF 871 NPN | 16/17] 5) 50 300) |=50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 - - - ~- - BF 872 PNP | 16/17] 5) ; 50 3007) |=50 25 20 = 60 10 =1,8 | 30 - - - ~ - BFR 90 NPN | 13 0,18'7) 25 15 50 14 10 5000 | 14 0,4 10 - - - 2,4 | 500 BFR 91 NPN 13 0,18'7) 35 12 50 30 5 5000 | 14 0,8 5 - - - 19 | 500 BFR 96 NPN | 13 0,5'7) 75 15 225 50 10 5000 | 14 <1,4 {10 - - - 3,8 | 800 BFS 17 _| NPN [5 0,2 ) . 25 15 20-150 |2 1 1000 {2 0,65 5 - - - 4,5 500 BFS 19 NPN [5 0,2 ) 30 20 65-225 | 1 10 260 1 0,85 10 - - - 4 100 BFS 20 NPN | 5 0,11 ) 25 20 240 7 10 450 5 0,3 10 - - - - = BFS 62 NPN | 11 0,2 25 25 235 7 10 = 580 15 =0,33 |} 10 =74 5 200 4 200 BFT 95 PNP } 13 0,2) | 25 15 60 10 5 5000 | 10 0,5 10 ~ - - 2 1000 BFT 95 A PNP | 13 0,2") 25 15 60 10 5 3600 | 15 0,5 10 - - - 25 | 1000 BFT 96 PNP | 13 0,5") 75 15 80 50 5 5000 | 50 - - ~ - - 4 1000 BFT 96A PNP j| 13 0,5 75 15 80 50 5 3600 | 50 - - - - - 4,5 | 1000 BFW 92 NPN (13 0,13) 25 15 = 20 25 1 1600 (25 0.6 5 - - - 500 BFX 89 NPN | 711 0,175 25 15 = 20 2 1 = 800 |4 - - - - - =6,5| 500 BFY 88 NPN |9 0,175 _ 25 25 = 40 5 1 850 5 0,2 10 =160 |7 36 3,5 | 200 BFY 90 O NPN | 11 0,2 ) 25 15 225 2 1 = 1300 | 20 0,6 5 45 2 500 |=5 /500 2N918 NPN | 11 0,2) - 15 220 3 1 = 600 |4 - - - - - =6 |60 2N1613 | NPN {2'% |0,7 _|g800 (507) |=20 [01 |10 |260 [50 |- |- = [- j- __jss12 [1078 Remarks: ') controlled; *) /.; 4) Ciirb: 4) Ythi ) case 25C; ) lamb 25C; 7) UcER: Ree =1009;%) tease = 110C; %) lamb =73C; ') see page 21; 8 see page 19.4% tamb = 60C | Data book reference: B 2 D 2927 moo > 42 7 2.64 #62 Fig. 4: 10 A3 DIN 41868 JEDEC TO 922 22 OA2000 q 3209 2 Fig. 5: 23 A3 DIN 41 869 Can be delivered as "Qualified semiconductor device al | E 8 {SOT 23) Fig. 9: 18 A4 DIN 41876 JEDEC TO 72 Fig.10: 10 A3 DIN 41868 JEDEC TO 922