SDA2AK, SDA4AK
SDA2AK, SDA4AK
SMD Bidirectional Clamping Diodes
SMD Bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden
PPPM = 300 W
PM(AV) = 1.0 W
Tjmax = 150°C
VWM = 0.5 V, 1.0 V
VBR = 0.9 V, 1.8 V
Version 2016-05-30
~ DO-213AB
Plastic MELF
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Data line protection
Reducing junction capacitance of
TVS diodes
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Schutz von Datenleitungen
Reduzierung der Sperrschicht-
kapazität von TVS-Dioden
Standardausführung 1)
Features
Bidirectional clamping
Can be switched in series to
a TVS, to reduce the total
capacitance
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Bidirektionales Begrenzen
Kann in Reihe zu einer TVS ge-
schaltet werden, um die Gesamt-
kapazität zu reduzieren
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.12 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
SDA2AK SDA4AK
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
TA = 25°C PPPM 300 W 3)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
TA = 25°C PM(AV) 1 W 4)
4
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
at / bei IT = 1 A
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei VWM
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei IPPM (10/1000 µs)
VBRmin [V] VBRmax [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A]
SDA2AK 0.8 1.0 0.5 1000 2 40
SDA4AK 1.6 2.0 1.0 1000 4 40
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t), see e. g. datasheet TGL41
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t), siehe z. B. Datenblatt TGL41
4 Mounted on P. C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Type
Typ
5.0
±0.3
2.5
0.1
0.2
_
+
0.5
0.4
_
0.5
0.4
_
SDA2AK, SDA4AK
Characteristics Kennwerte
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 0 V Cj800 pF
Thermal resistance junction to ambienWärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss
RthA
RthT
< 45 K/W )
< 10 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
PP
[°C]T
A
150100
50
0
I
PP
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
1
1
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
I
PP
P
PP
100
80
60
40
20
0
0 1 2 3 4[ms]
[%]
t
P
I /2
PPM
P /2
PPM
t = 10 µs
r
