Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 213) und bei 880 nm (SFH 213 FA) * Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) * 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause * Auch gegurtet lieferbar Features * Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of 880 nm (SFH 213 FA) * Short switching time (typ. 5 ns) * 5 mm LED plastic package * Also available on tape and reel Anwendungen * Industrieelektronik * Messen/Steuern/Regeln" * Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb * LWL Applications * Industrial electronics * For control and drive circuits * Photointerrupters * Fiber optic transmission systems Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 213 Q62702-P930 SFH 213 FA Q62702-P1671 2000-01-01 1 SFH 213, SFH 213 FA Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg - 40 ... + 100 C 300 C Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause TS entfernt bei Lotzeit t 3 s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3 s) Sperrspannung Reverse voltage VR 50 V Verlustleistung Total power dissipation Ptot 100 mW Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value SFH 213 Fotostrom Photocurrent VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, EV = 1000 lx VR = 5 V, = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 Einheit Unit SFH 213 FA IP 135 ( 100) - A IP - 90 ( 65) A Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity S max 850 900 nm Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax 400 ...1100 750 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area A 1 1 mm2 Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area LxB LxW 1x1 1x1 mm x mm Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface H 5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm Halbwinkel Half angle 10 10 Grad deg. 2000-01-01 2 SFH 213, SFH 213 FA Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value SFH 213 SFH 213 FA Einheit Unit Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current IR 1 ( 5) 1 ( 5) nA Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 870 nm Spectral sensitivity S 0.62 0.59 A/W Quantenausbeute, = 870 nm Quantum yield 0.89 0.86 Electrons Photon Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm VO 430 ( 350) - mV VO - 380 ( 300) mV Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 870 nm ISC 125 - A ISC - 42 A Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL = 50 ; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A tr, tf 5 5 ns Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage VF 1.3 1.3 V Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance C0 11 11 pF Temperaturkoeffizient von VO Temperature coefficient of VO TCV - 2.6 - 2.6 mV/K Temperaturkoeffizient von ISC Temperature coefficient of ISC Normlicht/standard light A = 870 nm TCI Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 870 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 870 nm Detection limit 2000-01-01 3 %/K 0.18 - - 0.2 NEP 2.9 x 10- 14 2.9 x 10- 14 D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 W -----------Hz cm x Hz -------------------------W SFH 213, SFH 213 FA Relative Spectral Sensitivity SFH 213, Srel = f () OHF01034 100 Relative Spectral Sensitivity SFH 213 FA, Srel = f () S rel % 80 80 60 60 40 40 20 20 0 400 600 800 1000 nm 1200 Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-Circuit Voltage VO = f (Ee) SFH 213 FA OHF01773 100 S rel % Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-Circuit Voltage VO = f (Ev) SFH 213 0 400 600 800 1000 nm 1200 Total Power Dissipation Ptot = f (TA) Dark Current IR = f (VR), E = 0 OHR00883 120 I F mA R OHF01026 10 4 pA 100 10 3 80 RthjA = 450 K/W 60 10 2 40 20 0 0 20 40 60 80 100 C 120 TA Directional Characteristics Srel = f () 2000-01-01 4 10 1 0 10 20 V VR 30 SFH 213, SFH 213 FA Mazeichnung Package Outlines 9.0 (0.354) 1.8 (0.071) 1.2 (0.047) 29 (1.142) 27 (1.063) 5.9 (0.232) 5.5 (0.217) 7.5 (0.295) o4.8 (0.189) Area not flat 0.8 (0.031) 0.5 (0.020) 2.54 (0.100) spacing 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) 7.8 (0.307) o5.1 (0.201) 8.2 (0.323) Cathode 5.7 (0.224) 0.6 (0.024) 5.1 (0.201) Chip position 0.4 (0.016) Cathode (Diode) Collector (Transistor) GEXY6260 Mae werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). 2000-01-01 5