Halbleiter- BauelementeGermaniumdioden Dioden max. zulass. | max. zuldss. Durchlab- DurchlaB- Sperr- Speristrom Sperr- GurchieB: Bau- Type spannung strom spannung Ka [WAl oman an es Verwendungszweck Yak WI tax Tw Via MI UkAmax !! | lAKmax [mA] bei ty = 259 C-5 ard Universaldioden 40 = 100 Universaldiode mit OA 625 1 =5 = 20") 20 4) niederohmigem DurchlaB- 20 = 506 widerstand OA 645 1 =>3 i = on 40 35) 15 3%) Universaldiode OA 665 1 =3 B = eee 60 50%) | 12 25% | 1 | Universaldiode 10 = 50 : 3 Universaldiode mit hoch- OA 685 1 =2 80 500 60 65") 10 2) ohmigem Sperrwiderstand sry 10 = 15 2 2 Universaldiode mit hoch- OA 705 1 =? 100 = 250 100 60") 10 24 ohmigem Sperrwiderstand Videodiode 10 100 Zur Gleichrict d 7 " 2 ur eichricntung der OA 626 1 = 8 20 = 500 20") 20 4" 1 Bildzwischenfrequenz Diodenpaare OAA 646) 1 = i = 40 35% | 10 2% , | Ratiodetektor 20A 646%) 1 =5 0 | Sa58 (| 40 35) | 15 88 Ratiodetektor Diodenquartett : Zum Modulieren der O4A 657 1 ps. eq 1B | Sold | oo a | os on | 4 | Reertaguens mi Tose fiir dm-Wellenbereich Richtdioden Richtstrom | [mA] OA 601!) 1 =F 5 == 1000 5 15 =4,5| bei 50mW OA 602!) 1 = 4 = tee e Ms 3 = o | HF-Leistung 2 OA 603!) 1 = 1 = = ; i OA 604!) 1 =5 10 | =1000 10 20 = 45 | ieee = OA 605!) 1 =5 20 = 1000 20 20 =45 | . moximal zuldss, StoBstrom 'AKmox [mA| (1 Sek. Pouse mind, Schaltdioden 9 Min) = 10 = 40 ip one = 40 = 1000 = = 4 Schaltdioden mit 10 = 8 geringer Sperrtragheit OA 666 1 =5 20 = 10 60") 150 1 60 = 7 Gol . = olddrahtdioden mit OA 720 =1 75 20 = 1000 20 50 1 groBem Verhdiltnis von OA 721 =07 75 20 | =1000 20 75 1 | SRE 2 Ducchietiwiver: OA 722 = 0,75 100 5 = 20 20 120 2 Fle oreo ae - OA 723 = 0,85 100 60 10 80 150 2 DurchlaBwiderstand: OA 741 = 0,8 75 ic = 40 75 1 | Golddrahtdioden mit groBem Verhaltnis von OA 780 =1 75 Dh S weep 80 50 {1 [opty oe EenabtaeesierSiliziumdioden Dioden DurchlaB- DurchlaB- Sisaees max. zuldss. | max. zulass. Sperrstrom Sperr- Verlust- Bau- Type spannung strom spannung KA [WAI : Verwendungszweck Unk IVI lak [mA] Uxa IVI ! spannung leistung form UkAmax IVI | Pymax [mW] bei tg = 259 C5 grd OA 900!) 1 =~ 50 ee) cnt 250 OA 901!) 1 = 50 =o al 250 / Tee 2 Silizium-Flachendioden mit OA 902!) 1 = 40 = Q zt 250 hohem Sperrwiderstand OA 903!) 1 = 40 met coc oe 250 Zener- Zenerstrom Zener- spannung 17 |mA| widerstand UzIVI 7 (Q| Zenerdioden bei l7 =3mA ZA 250/5!) 44... 56 3 1 = 0,1 = 150 250 ZA 250/61) 54... .66 3 1 =01 = 110 250 - Erzeugung stabilisierter ezugsspannungen, Be- ZA 250/7!) G4. 27,6 3 1 = 0,1 25 250 2 grenzung von Wechsel- 7A 250 8!) 7,4 woes y 8.6 3 1 = 0,1 30 950 spannungen und als Ueberspannungsschutz ZA 2509!) 84. . .9,6 3 1 = 0,1 = 35 250 Dioden Leistungszenerdioden Zener- Durchlab- Zaiarstrain Zener-Wider- | Piygx [45C] | Temperatur- Typ spannung strom 17 [mA stand rz || | ohne Warme- bereich Verwendungszweack Uz [V| lAK [mA| beilz =10 mA] ableitung ta ["C] form ZL 910/6!) ,8 7,2 500 10 = 20 1W 55 ZL 910/8') 6,8 9,2 500 10 <12 iw bis ZL 910/10')| 8811,2 500 10 = 15 1 W 150 8 Fir Stabilisierungs- und ZL 910/12!) | 10,813,2 500 10 < 20 1 Ww Bagrenzersdialtungen ZL 910/14") | 12.815,2 500 10 ~ 30 1 Ww ZL 910/16) | 14,817,2 500 10 = 40 1W 1) in Entwicklung befindlich 2) bei th = 3) bei t, 4) Strom- 60 1C 25C sowie 609 C und Spannungswerte der EinzeldiodeGermanium-Gleichrichter Kenn- und Grenzwerte bei tg = 25 C S DurchlaB- | DurchlaB- Bau ck Typ PEs Sperrstrom meee Spitzenstrom ) form Verwendungszwe spannung xa [mAl strom spannung Laos [Al tanae [PC] Uxa IVI lak IAI Vak IVI (25 C) OY 100 20 = 0,1 0,1 0,5 0,35 60 Gleichrichter OY 101 50 = 0,1 0,1 0,5 0,35 60 5 fiir kleine Strme OY 102 100 ~ 0,1 0,1 0,5 0,35 60 (25 C) OY 110 20 = 0,1 1 1 3 60 OY 111 50 = 01 1 1 3 60 6 Gleichrichter OY 112 100 0,1 1 1 3 60 fiir mittlere Strme OY 113 150 0,1 1 1 3 60 OY 114 200 0,1 1 1 3 60 (25C) OY 120 20 | 10 0,6 32 35 OY 121 40 1 10 0,6 32 35 OY 122 65 1 10 0,6 32 35 7 Gleichrichter OY 123 100 1 10 0,6 32 35 fir hohe Strme OY 124 150 1 10 0,6 32 35 OY 125 200 1 10 0,6 32 35 Silizium-Leistungsgleichrichter (115C) OY 910!) 50 = 05 1 1,2 5 100 OY 911!) 100 = 0,5 1 1,2 5 100 OY 9124) 200 0,5 1 1,2 5 100 OY 913!) 300 - 05 1 1,2 5 100 Gleichrichter mit erweiter- OY 9141) 400 <05 1 12 5 400 8 sam Pee ereee anwendungsbereich OY 915!) 500 = 0,5 1 1,2 5 100 OY 9161) 600 = 0,5 1 1,2 5 100 OY 9175) 700 <0,5 1 12 5 100 ') in Entwicklung befindlich Eine neue Typenreihe 1 A-Siliziumgleichrichter OY 9110 OY 9180 befindet sich in VorbereitungGermanium-Transistoren fiir NF-Verstarker- und Schalteranwendungen Transistoren Kennwerte bei tg = 259 C Grenzwerte: Typ Stromver- | Kollektor- |Rausch-| Rest- Kollektor- | Kollektor- | Veriust- mor Verwendungszweck starkung reststrom faktor |spannung | spannung] strom leistung ae hole; [3 Iceo [eA] F [eB] ) -Uceo IVI | -Ucmax IYI] slemax tmAl | Prox [mW] timaxl?C! OC 815 10-20 800 = 25 0,3 15 50 50 75 9 NF-Endstufen OC 816 - 20 < 800 25 0,3 15 50 50 75 g | kleiner Leistung OC 817 - 20 800 = 10 _ 15 50 50 75 9 Rauscharme NF-Vorstufen Oc 818 - 20 800 5 15 50 50 75 9 OC 820 p> 10 = 800 25 0,5 20 135 100 75 10 NF-Endstufen OC 821 fi > 20 = 800 25 0.5 20 135 100 75 10 | mittlerer Leistung OC 822 j}> 20 = 800 -- < 0,5 30 135 100 75 10 30-V-Schalttransistor OC 823 f= 20 = 800 ~ 0,5 60 135 100 75 10 60-V-Schalttransistor OC 824 1040 - 800 25 = 20 135 120 15 11 NF-Endstufen OC 825 - 20 800 25 | =< 0,55 20 135 120 75 11 | mittlerer Leistung OC 826 20 800 - 10 _ 20 135 120 75 141 Rauscharme NF-Vorstufen OC 827 > 20 - 800 5 20 135 120 75 1 OC 828 p> 15 - 800 0,55 33 135 120 75 11 30-V-Schalttransistor OC 829 f> 15 - 800 = 0,55 66 135 120 75 11 60-V-Schalttransistor Transistoren Germanium-Leistungstransistoren See aoe eae! re lg [mA] fiir Bai: Typ -l 100 mA Iceo [mA Icpo HAL | Uceo IMI | Ucemax VE] max !Al Prax |W timaxlC] form Verwendungszweck OC 830 =~ 10 ae 30 | 20 1 1 75 NF-Leistungs-Endstufen OC 831 5 <1 < 30 4 20 1 1 75 12 OC 832 1 - 30 1 30 1 1 75 30-V-Schalttransistor OC 833 5 <1 =< 30 1 60 1 1 75 60-V-Schalttransistor -ig [mA] far -I = 200 mA -Uces (VI OC 835 = 20 < 15 < 50 0,6 20 3 4 15 OC 836 <10 | <15 <50 | 06 20 3 4 15 NF belstunge Endstuten OC 837 <10 | <15 <50 | 06 30 3 4 75 | '? | 30-V-Schalttransistor OC 838 = 1G 1,5 =< 50 0,6 60 3 4 75 60-V-SchalttransistorGermanium-Hochfrequenz-Transistoren Kennwerte bei t, 25" Grenzwerte Yate [mA y| bei: "Bb fis fi=1 | Rest- Typ -Uce=6V strom | 5 t eae: Verwendungszweck Uce=6V | Ucp=6V | -Uce=6V CE max | imax | form oO [mW] } [C] Ic =0.5mA | -lc=0.5mA | -Ic mA] Il c=0,5mA] 1mA |-IcEO f=500 KHz | f=2MHz | [=10 MHz [MHz] [MHz] [Al i OC 870 haje ~ 20 lir Uce=6V. -I = 2mA 1 - 800} 30 75 13 | NF-Transistor fir Vorstufen OC 871 13 300 3 _ =< 800] 30 75 13 | ZF-Stufen 450 KHz Oc 872 10 - 350 ie - 800} 30 75 13 Mischstufen 2 MHz 7 ii - Breitbandverstarker in det OC 873!) hoje > 50 tir -Uce=6V. lc = 2 mA 300 710 - 800} 30 75 13 | TE Technik OC 874!) {5 > 50 far Uce = 1 V,-Ic = 10mA _ g00| 30 75 43 | Fur Schalteranwendungen mittlerer Geschwindigkeit OC 880!) 10 300 ~ 10 = 500] 50 75 Mischstufen 2 MHz { ; : . Vor- und Mischstufen in OC 881') 20 | 200 20 |< 500) 50 | 75 | 4, | KW-Bereich OC 882!) -26 |< 100 -30 |< 500] 50 | 75 ZF-Stufen 10,7 MHz OC 883!) = 30 |. 50 = ~50 )< 500} 50 | 75 Mischstufen bis 100 MHz ') in Entwicklung befindlich Germanium-Flachentransistoren Statische Werte Dynamische Werte Grenzwerte T Pion d k uP ICBO ICEO fy h Prax ICmax UCEmax | form Verwendungszwec [Al [1A] |MHz| ate |mW| |mA| iv| LA 25 30 ~ 1000 0,2 10. . .80 25 15 10 9 |NF-Transistor f. Vorstufen LA 50 = 30 1000 02 1,10: ..80] 50. . 100 50 10 9 | NF-Transistor LA 100 30 - 1500 >02 | 10. . .80]120. . 150 150 11. | NF-Transistor LA 1 = 50 2000 1000 1000 12 | NF-Leistungstransistor LA 4 = 100 4000 4000 3000 12 | NF-Leistungstransistor LA 30 30 1500 3,0 |20. . . 100 30 15 13 | HF-Transistor Die Transistoren dieser Typenreihe eigenen sich speziell fiir Lehr- und Amateurzwecke, knnen aber jederzeit auch in anspruchsvolleren Schal- tungen eingesetzt werden, Zu Sonderpreisen in Fachgeschaften erhaltlich. Weitere Halbleiter-Rauelemente werden hergestellt: Fotodioden vom VEB Car! Zeiss Jena VEB Werk fiir Fernsehelektronik Halbleiter-Widerstande vom VEB Keramische Werke, Hermsdorf (Thiir.) Anderungen vorbehalten! 4 r * (cp iaivonvads Geant iBAU PRED uximale Abm i 9 = lotbar verzinnt t (atbar verzinnt |: 75 A Tt | oh ie 2 at 5 Fa | -2:4-2 359) 8 | 2 | ha a" Grobtmaa 209 TN a GrBtmak \*N | t>Kontaktteil | T ir Katodenseite s Katodenseite | | i 8 Ns = durch Farbring ents dureh Farbring tS S wt | gekennzeichnet 2 gekennzsichnet \y | S 3 Le |pi6 h cre ot | | | > | Kontakttei! te io So = L 7 tt | | = li | \24e, } | | { | tee! | a ld | | 1 mi 55e. ge | , ie JF 7 a _ ast 1 06 2 3 4 q7? x schweiB-und || Roter Ring Skt 9 Lae 4 lattihig J) (Katode) 4 | ob | Ma/ammtior Te Ee os | & Yt) i | Pod | ear = s & ior | RS | tt s e | 3 & | S 2 y 2 | ' ! 5 AnschluBdraht \ | = a ; 4ss verzinnt, 4 ry | 4 | = 3 verktirzbar | ; 7 | : & bis 20mm as Jai 038? = 8 2 Katode mek > | | { am Gehduse Let Pa fl 1 oo eee Sp c at - 4 7 | 8 J O rT | l | Basis KollektoranschiuB am Gehause Kollektor Basis Emitter Be Emitian| 10 Soe Basis = -| 1 1 | 14:79 bag | ath LL : oe i S| 54? 8 | 8 a | 0459 9 10 1Mindestbestellmenge fiir den Direktbezug: Je Planposition 1000 Stuck im Sortiment, jedoch mindestens 100 Stiick pro Type. Erzeugnisse aus Vorserie und Laborfertigung je Planposition 50 Stiick. Auslieferungen von Mindermengen: Versorgungskontor fiir Maschinenbau-Erzeugnisse, Potsdam, Leipziger StraBe 60 Halbleiter-Bauelemente sind im einschlagigen Fach- handel erhaltlich, Export-Information durch: Heim-Electric Deutsche Export- und Importgesellschaft mbH. Berlin C 2, LiebknechtstraBe 14 & VEB Werk fiir Fernsehelektronik Berlin-Oberschoneweide, OstendstraBe 1-5 Fernruf 632841 Telegramm-Anschrift: Oberspree- werk Fernschreiber: WF Berlin 011 470 (*) VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) Frankfurt (Oder) Markendorf Fernruf-Sammelnummer 690 Fernschreiber 016252 Ausgabe September 1962 I-6-1 NT Ffo, 8141-1062 Ag 71 262-62