PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS SILICIUM PNP, BASE EPITAXIEE Compt. of BD 433, 435 BD 434 BD 436 These transistors are intended for complemen- tary or quasi complementary symetry ampli- fiers with low power supply voltage : audio output stages in car receivers, vertical de- flexion circuits. in TV receivers. Ces transistors sont destins aux amplificateurs & symtrie comp/mentaire ou quasi complmentaire, & faible tension dalimentation : tages de sortie BF dans les rcepteurs auto-radio circuits de dviation verticale en tlvision. Maximum power dissipation PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE v ~22 V BD 434 CEO 32 V BD 436 le -4A Prot 36 W Rth{j-c) 3,5C/W max hot_(2 A) 50 min fz 3 MHz min Case TO-126 - See outline drawing CB-16 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-16 dernires pages 100% | 75 +4 NN. 1 ! &, Le a 50 \ on ' 25 } | 1 Weight : 0,7g Collector is connected to case 0 60 100 150 tag, (C) Masse Le collecteur est reli au bottier ABSOLUTE RATINGS {LIMITING VALUES) tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION (Sauf indications contraires} BD 434 BD 436 Collector-base voltage Vv = Tension collecteur-base cBO 22 32 Vv Collector-emitter voltage _ _ Tension collecteur-metteur Vceo 22 32 Vv Collector-emitter voitage Vv _ _ Tension colliecteur-metteur ces 22 32 v Base-emitter voltage Vv _ _ Tension base-metteur EBO 5 5 v Collector current Courant collecteur Ie 4 4 A Peak collector current = Courant de crte de collecteur b 10 ms cm -7 -7 A Base current \ Courant base 8B 1 ~!1 Power dissipation t....=25C - Dissipation de puissance case Prot 36 36 w Junction temperature . Temprature de jonction max. q 150 150 c Storage temperature min. tet 55 55 C Temprature de stockage max. stg +150 +150 C 74-10 1/3 THOMSON - CSF m44 Onto SEMCONOUCTEURS: aayBD 434, BD 436 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires} Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vop= -22V 100 uA le = 0 Veg -22V _BD 434 le =0 -3 mA tease = 180C Collector-base cut-off current Vog= 32 V ogo 100 BA Courant rsiduel collecteur-base l_ =0 Vep= -32V BD 436 lg =0Q 3 mA tease = 150C Vog =10V ig =0 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =-5V \ +4 mA Courant rsiduel metteur-base Ip =0 EBO Collector-emitter breakdown voltage Iq = 100mA Veeotsut BD 434 | -22 Vv Tension de clequage collecteur-metteur I Bg 7 0 t BD 436 | 32 Veep = -5V CE 40 lo =-0,01A Static forward current transfer ratio Vee =-1V hoe Valeur statique du rapport de transfert Il =-05A 21E 85 475 direct du courant c " Veep =-1V CE 50 lo =2A | =2A Knee voltage c Vac _ Tension de coude 'p = note 1 CEK BD 434 08 Collector-emitter saturation voltage ! =2A Vv, * 4 Tension de saturation collecteur-6metteur lg = O2A CEsat 0,5 Emitter-base voltage Voez-1V * _ Tension metteur-base Ie =-2A Vee 1,1 v * Pulsed t,=300us <2% Note 1 Tg value for which Io =2,2 Aat Voce =1V impulsions Pp i B valeur pour laquelle t Cc =22Aa Vee aiVv 2/3 512BD 434, BD 436 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES {pour petits signaux} case (Saut indications contraires} Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. r ition Vee =a-1V ransition frequency _ f. Frquence de transition lc =0,25A T 3 MHz f = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-boi tier} Reh (j-c) 3,5 c/w SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE t = 25C case Continuous Continu 1 2 5 10 20 50 Voelv) 3/3 513