–60 –40 20 0 20 40 60 80 100 120
●電気的特性
(測定温度25℃
Electrical Characteristics(Ta=25)
Electrical Characteristics(Ta=25)
●最大入力電流
Input Voltage Derating Curve
Input Current Derating Curve
●最大入力電圧
※3
.1パ内の4素子の電圧V
H
(i)(i=1,2,3,4)に
VHr min =Min(VH(i) )/VHavg.
X
100, VHr max =Max(VH(i) )/VHavg.
X
100
VHavg. =(VH(1) VH(2) VH(3) VH(4) )/4
※4
.1パつの素子の力抵抗Rin(i)(i=1,2,3,4)に
Rinr min Min(Rin(i))/Rinavg.
×
100,Rinrmax =Max(Rin(i))/Rinavg.
×
100
Rinavg. =(Rin(1)+Rin(2)+Rin(3)+Rin(4))/4
Rout同様す。
項 目
Item
測 定 条 件
Conditions
最小
Min.
単位
Unit
記号
Symbol
B=50mT, VC=3V
Ta=25125
B=0mT, IC=0.1mA
Ta=25125
B=0mT, IC=0.1mA
B=0mT, IC=0.1mA
B=0mT, IC=0.1mA
90
95
750
750
95
6
0.2
0.2
130
105
1150
1150
105
6
mV
%
%
%
Ω
Ω
%/
%/
標準
Typ.
最大
Max.
入力抵抗
Input Resistance
出力抵抗
Output Resistance
素子相対入出力抵抗比
Relative Resistance Ratio
素子相対出力電圧比
Relative Output Voltage Ratio
不平衡率
Offset Voltage Ratio
出力電圧の温度係数
Temp. Coefficient of V
H
入力抵抗の温度係数
Temp. Coefficient of Rin
Output Hall Voltage
B=50mT, VC=3V
B=50mT, VC=3V
B=0/50mT, VC=3V
※1
.
内の各個の素子毎の値
のホル素子の出力電圧値の差磁石の位置検出。
By comparing the output voltage of each Hall elememt, position of the
magnet can be detected.
●基本原理 PRINCIPLE
Ydirection
HE1=HE4
HE1>HE4
HE3=HE2
HE3<HE2
Center
Upperright
Xdirection DetectingPosition
0
1
2
3
4
5
6
–60 –40 20 0 20 40 60 80 100 120
0
5
4
3
2
1
6
7
8
9
10
X
Y
HE2HE3
HE1
HE4
Magnet
Sensor
S
N
周囲温度Ambient Temp.
周囲温度Ambient Temp.
●最大定格 Absolute Maximum Ratings
項 目
Item
定 格
Limit
単 位
Unit
記号
Symbol
VC
IC
Topr
6
9
Ta=25
40 125
40 150
V
mA
動作温度
Operating Temp. Range
保存温度
Storage Temp. Range
条  件
Conditions
※2
※3
Rin
Rout
(i)
(i)
VHr
Rinr1 Routr
V
OS
(Vu)V
H
αVH
αRin
※5
※4
※6
※2
. VH= VHM – VOS (Vu) (VHM:meter indication)
※2
. VH= VHM – VOS (Vu) (VHM:meter indication)
5. VH= X X 100
※6. Rin= X X 100
Rin(T1)
1
(T2 – T1)
VH(T2) – VH(T1)
(T2)
Rin(T2) – Rin(T1)
VH(T1)
1
T1 = 25˚C, T2 = 125˚C
– T1
VH
(i)
(V)
Input Voltage
(mA)
Input Current
最大制御電圧
(*1
Max. Input Voltage
最大制御電流
(*1
Max.Input Current
T
STG
InAsQuantumWellHallElement
101
HQ-8220
HQ-8220はホール素子4個を1パッケージに内蔵した、マルチチップホールセンサです。
(下)配置された磁石の動きを、XY方向それぞれホール素子2個間の出力差で検出でき、ポインティングデバイス、
2軸位置検出センサに最適です。
センサとしては高感度かつ温度特性の良い量子井戸型InAsホール素子を使用しています。
標準はテーピングリール供給です(5,000pcs./Reel)
注意社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重要注意事項」
良くお読みください。
Shipped in packet-tape reel(5,000pcs per reel)
Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE"
written on the back of the front cover of this catalogue.
HE1outN
HE2outN
HE3outN
HE4outN
1.50
φ
0.60
4.40
φ0.3
φ0.3
φ0.3
φ0.3
3.10
Sensor
center
Sensor
center
Sensor
center
Sensor
center
1.70
16
0.25
14
0.65
3.10
5.000.20
0.00
0.20
0.00
HE3outP
HE4outP
HE2outP
HE1outP
HE1inP
HE2inP
HE1inN
HE4inP
HE4inN
HE3inN
HE2inN
HE3inP
HE1outN
HE2outN
HE3outN
HE4outN
HE3outP
HE4outP
HE2outP
HE1outP
HE1inP
HE2inP
HE1inN
HE4inP HE4inN
HE3inN
HE2inN
HE3inP
HE1
HE4
HE3 HE2
1.75
10°
5°
2.25
6.20±0.20
Sensor
center Sensor
center
Sensorcenter
(0.30)(0.65)
(0.5)
(0.40)
0.11
1.00
(Unit : mm)
●外形寸法図 Dimensional Drawing ●ホール素子回路図
※MagneticFluxDensity
1[mT]=10[G]
定電圧駆動 Rin =850ΩVOS=0.8〔mV〕[VC=3〔Vの例
定電流駆動 同上素子
inThisExample:Rin =850ΩVOS=0.8〔mV〕[VC=3〔V
●特性曲線図 Characteristic Curves
1200
1000
800
600
400
200
0
50 0 50 100 150
200
150
100
50
0
50 0 50 100 150
1000
800
600
400
200
0
0 100 200 300
10
8
6
4
2
0
50 150100500
磁束密度B[mT]
MagneticFluxDensity
OutputHallVoltage
ル出力電圧VH
[mV]
InputResistance
力抵抗Rin
Ω
OutputHallVoltage
ル出力電圧VH[mV]
周囲温度Ta
AmbientTemperature
周囲温度Ta
AmbientTemperature
周囲温度Ta
AmbientTemperature
OffsetVoltage
不平衡電圧VOS
[mV]
定電流駆動
定電圧駆動
ICconst
VCconst
定電流駆動
定電圧駆動
ICconst
VCconst
定電流駆動
定電圧駆動
ICconst
VCconst
VC
VC
VC
IC
IC
IC
Rin-T VH-B
VOS (Vu)-T(参考
VH-T
IC = 5 [mA]
VC = 3 [V]
Ta = 25 []
IC = 5 [mA]
VC = 3 [V]
B = 0 [mT]
IC = 5 [mA]
VC = 3 [V]
B = 50 [mT]
102
•医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通
常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りください。
AKM products are neither intended nor authorized for use as critical components in any safety, life support, or other hazard related device or system, and AKM
assumes no responsibility for such use, except for the use approved with the express written consent by Representative Director of AKM.
•この製品は静電放電により破壊されやすいため取り扱いにご注意ください。
Handling precautions required for preventing electrostatic discharge.
•当製品にはガリウムヒ素(GaAs)が使用されています。取り扱い及び廃棄に注意してください。
This product contains galium arsenide(GaAs).Handling and discarding precautions required.
c
i
k
b
HQ-8220
重要注意事項
本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告なく変更することがあ
ります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、
あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、
応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェア
およびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行ってください。本書に記載された
周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じ
た損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因する、工業所有権その他の
第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。
本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資(役務を含む)に該当する場合、輸出
する際に同法に基づく輸出許可が必要です。
医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故障や動作不良が、直接
または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼
性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りく
ださい。
この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用から生ずる損害等の責任
を一切負うものではありませんのでご了承ください。
お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、その使用から損害等
が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承下さい。
2013 2 1 日現在
IMPORTANT NOTICE
These products and thei r specifications are subject to change without notice.
When you consider any use or application of these products, please make inquiries the sales office
of Asahi Kasei Microdevices Corporation (AKM) or authori zed distri butors as to current status of the
products.
Descriptions of external circuits, application circuits, software and other related information
contained in this document are provided only to illustrate the operation and application examples of
the semiconductor product s. You are fully responsible for the inco rporation of these external ci rcuit s,
application circuits, software and other related information in the design of your equipments. AKM
assumes no responsibility for any losses incurred by you or third parties arising from the use of
these information herein. AKM assumes no liability for infringement of any patent, intellectual
property, or other rights in the application or use of such information containe d herein.
Any export of these products, or devices or syste ms cont aini ng the m, may require an export li cense
or other official approval under the law and regulations of the country of export pertaining to
customs and tariffs, currency excha nge, or strategic materials.
AKM products are neither intended nor authorized for use as critical componentsNote1) in any s afety,
life support, or other hazard related device or systemNote2), and AKM assumes no responsibility for
such use, except for the use approved with the express written consent by Representative Director
of AKM. As used here:
Note1) A critical component is one whose failure to function or perform may reasonably be
expected to result, whether directly or indirectly, in the loss of the safety or effectiveness of the
device or system containing it, and which must therefore meet very high standards of
performance and reliability.
Note2) A hazard related device or system is one designed or intended for life support or
maintenance of safety or for applications in medicine, aerospace, nuclear energy, or other
fields, in which its failure to function or perform may reasonably be expected to result in loss o f
life or in significant injury or damage to person or pro perty.
It is the responsibility of the buyer or distributor of AKM products, who distributes, disposes of, or
otherwise places the product with a third party, to notify such third party in advance of the above
content and conditions, and the buyer or distributor agrees to assume any and all responsibility
and liability for and hold AKM harmless from any and all claims ari sing from the use of said product
in the absence of such notification.
February 1, 2013