NPN SILICON TRANSISTOR, HOMOBASE TRANSISTOR NPN SILICIUM, HOMOBASE 2N 3442 compl. of BDX 20 *2N 3442 BDY 74 - LF large signal power amplificateur Amplificateur BF grands signaux de puissance - High current switching Commutation de forts courants - Thermal fatigue inspection Contrle en fatigue thermique Dissipation derating Variation de dissipation 190 ef ON 75 IN N 50 N \ \ 2K Preferred device Dispasitif recommand 140 V 2N 3442 VcEo {i20 Vv BDY 74 Ic 10 A Prot 117 W Reh(j-c) 1,5C/W 20-70 2N 3442 h 21(34-4V)50.150 BDY 74 fr 0,8 MHz min. Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Boitier Weight : 14,4g Voir dessin cot CB-19 dernidres pages Bottom view Vue de dessous B Collector is connected to case 0 so 100 180 teage(C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) tease = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION (Sauf indications contraires} 2N 3442 BDY 74 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cBO 160 180 v Collector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 140 120 v Collector-emitter voltage = Vv Tension coilecteur-6metteur Ree = 100 2 cER 180 145 v Collector-emitter voltage __ Vv Tension collecteur-metteur Vee= 71 5V CEX 160 150 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base BO 7 7 Vv Collector current I Courant coflecteur c 10 10 A Peak collector current _ ' Courant de crte de collecteur tb = 100 ms cM 15 15 A Base current I Courant base B 7 7 A Power dissipation = 25 Pp. Dissipation de puissance tease 5c tot 117 117 Ww Junction temperature a t Temprature de jonction max. J 200 200 c Storage temperature min tet 65 -65 C Temprature de stockage max. g +200 +200 C THOMSON - CSF OVISION SEMICONDUCTEURS, 74-10 1/9 311*2N 3442,BDY 74 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Saut indications contraires} Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. vce = ." v 2N 3442 1 mA Collector-base cut-off current B. loBo Courant rsiduel collecteur-bese Vv B= 130 V iP 9 BDY 74 1 mA B = Ver = 140V CE Vpe =1.5V 8 ma Vee = 140V 2N 3442 Vee =18V 20 mA t = 150C Collector-emitter cut-off current case IcEX Courent rsiduel collecteur-metteur v =130V cE= 1 mA Vee =-t5 V Voce =130V BODY 74 Vee =tb Vv 10 mA tease = 150C Collector-emitter cut-off current = { Courant rsiduel collecteur-metteur Voce =10V CEO 2N 3442 200 mA Emitter-base cut-off current Ves =7V leag 5 mA Courant rsiduel metteur-base 1 Cc = 0 ! = 200 mA c 7am 2N 3442 | 140 Vv ig =0 * Coliector-emitter breakdown voltage Vv Tension de claquage collecteur-metteur L = 25 mH CEO(sus) lp = 200 mA BDY 74 | 120 Vv Collector-emitter breakdown voltage lo = 200 mA v * Tension de claquage collecteur-metteur Ree = 1002 CER(sus) 2N 3442 | 150 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ig =100mA Voex 2N 3442 | 160 v Tension de claquage collecteur-metteur VeE =-1,5V CEX{sus BDY 74 150 Voge =4V 2N 3442| 20 70 Static forward current transfer ratio lo =3A * BDY 74 | 50 150 Valeur statique du rapport de t V av hoy E direct du courant c= CE Ic =10A 2N 3442 | 7,5 Io =3A 2N 3442 1 Vv Collector-emitter saturation voltage {gp =G,3A Voce * | BDY 74 1 Tension de saturation collecteur-metteur 1 = 10A sat Cc = 2N 3442 5 Vv Ig =2A Ig = 3A 2N 3442 1,7 Vv Base-emitter voltage Vop=4V Vee * BDY 74 1,7 Tension base-metteur I =10A c = 2N 3442 5,7 Vv Vee =4V * Pulsed t. = 300 us impulsians Pp 652% 2/9 312*2N 3442,BDY 74 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Second breakdown collector current Courant coillecteur de second claquage Voge = 60 V t =1s tease = 100C \s/p 2N 3442 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Transition frequency Frquence de transition Vop = 10V Ilo =1A f = 1MHz 0,8 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rsistance thermique (jonction-boitier) Reh(j-c) 1,5 c/w VCEO(sus) TEST CIRCUIT BDY 74 CIRCUIT DE MESURE DU Veegisus) DU BDY 74 272 Figure 1 L____t >1 V [] 052 Lt for pour 30 V Vceo = 25 mH 3/9 313*2N 3442,BDY 74 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit (A) 20 10 = 25C tease 1 Continuous Continua Putsed / . 0,5 Impuilsions 0,2 0,1 1 2 5 10-20 50 100 200 500 Vce V) THERMAL FAT!GUE INSPECTION CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrle permanent de fa qualit de la soudure entre la pastille de silicium et lembase confre au transistor un maxi- mum de garantie contre la fatigue thermique. Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : Contrle cyclique : 10 000 cycles "on" : 2 minutes (0 > 48 W) "off: minute (480 W) tease = 100C max Atyase = 85C max 4/9 3142N 3442,BDY 74 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-metteur i ial 2N 3442 0 0 1 2 3 4 Voe(v) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-metteur Cc BDY 74 600 a) TA 0 0 1 2 3 4 Vo VI COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension 1, collecteur-metteur c (mA) 2N 3442 IS y . vy 120 ff. & & 160 po. 0b 1 = 200 pA B 0 40 80 120 160 Vo Iv) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-metteur BDY 74 & = BA 0 40 80 120 160 Vee {v) 5/9 315*2N 3442,BDY 74 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE Tension collecteur-metteur en tanction de fa rsistance base-metteur cE (v) 180 160 120 100 2 5 2 10 10! STATIC FORWARD CURRENT TRANSFERT RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur 21E 2N 3442 Voge = 4V h 2 468 2 468 2 46 107 10 ! 10! le (mA) 2 5 10 Roe {2} STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Vateur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur hoe Vog =4V 240 180 120 60 2 468 2 468 2 46 40? 101 Tig Ig (A) 6/9 316*2N 3442,BDY 74 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de la tension base- bg metteur (mA) 2 6 KJ 2N 3442 ao 4 4 t # Voce =4V 102 0 9,8 1,6 2,4 3,20 Vee WV) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension lg base-metteur BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en tonction de fa tension base- 'g metteur (ma) BDY 74 8 Vee =4V a 102 aa 0 0,8 1,6 2,4 3,2) Vac (Vv) BE COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension Ig base-metteur (A) FE on (A) | epy 74 6 =4V Sly a4V 4a a 2 2 9 0 10 8 10 8 6 6 a 4a 2 2 rt 1071 10 3 8 6 6 4a 4 2 2 10? 10? 0 04 08 12 1,6 Vpe ivi 0 04 O08 1,2 1,6 Vee (Vv) 79 317*2N 3442,BDY 74 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en Veesat fonction du courant (Vv) 2N 3442 I q& = 10 16 -& 0,8 0,4 2 468. 2 4 68 2 4 6| 10! 107 10 cma) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-matteur en v fonction du courant collecteur BEsat {Vv} ! Tt =10 1,6 08 0,4 468 2 #4 68 2 107 to! COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vv fonction du courant colfecteur C&sat (v) 2N 3442 t Cc = 10 tp 1,6 0,8 0,4 0 io! 468, 2 468 , 2 46; (ma 102 108 c ima COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Vv fonction du courant CEsat (Vv) 1,6 0,8 0,4 4 4 2 2 #4 8409 2 SI, (A) 63 107 10 8/9 318*2N 3442,BDY 74 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de la , tension collecteur-base N\ N\ 10! cB TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de ja rsistance thermique en rgime dimpulsions 5 52 8 42 2 10! tplsech 2 2 6& 2 w 190% 10% 10" 9/9 319