Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching
applications.
•DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
= 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
•Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
= 50 Vdc (Min) — 2N6109
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
•High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
= 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
•TO–220AB Compact Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2N6111
2N6288
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2N6109
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
2N6107
2N6292
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
50
ÎÎÎ
ÎÎÎ
70
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
ÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
7.0
10
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
*Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 5 1Publication Order Number:
2N6107/D
2N6107
2N6109
2N6111
2N6288
2N6292
*ON Semiconductor Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30–50–70 VOLTS
40 WATTS
*
*
CASE 221A–09
TO–220AB
PNP
NPN
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
2
40
00 20 40 60 80 100 120 160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
20
30
140
10
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
50
70
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, IB = 0) 2N6111, 2N6288
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N6109
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6111, 2N6288
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6109
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc) 2N6107, 2N6292
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6111, 2N6288
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6109
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150C) 2N6107, 2N6292
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
100
100
2.0
2.0
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6107, 2N6292
(IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6109
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) 2N6111, 2N6288
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) All Devices
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
30
30
30
2.3
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
150
150
150
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
3.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz) 2N6288, 92
2N6107, 09, 11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
4.0
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
250
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
(2) fT = |hfe| • ftest.
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
4
Figure 2. Switching Time Test Circuit
+11 V
25 µs
0
-9.0 V
RB
-4 V
D1
SCOPE
VCC
+30 V
RC
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
2.0
0.07
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.02 0.1 0.2 0.3 0.5 2.0 3.0 7.0
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
0.05
t, TIME (s)µ
tr
1.0 5.0
td @ VBE(off) ≈ 5.0 V
0.07
0.03
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
0.05 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1.0 k500
ZθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) ZθJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.1 0.50.2
15
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
7.0
5.0
2.0
0.15 5.0 10
CURRENT LIMIT
SECONDARY
BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
7.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
dc
0.1 ms
1.0
0.5
0.2
0.3
2.0 3.0
0.5 ms
20 30 50 70 100
3.0
0.7
0.1
ms
5.0 ms
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 4. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
5
300
0.5
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30 3.0 5.0 501.0 2.0
C, CAPACITANCE (pF)
200
70
50
TJ = 25°C
Cib
100
Figure 6. Turn–Off Time
10 20 30
5.0
0.07
Figure 7. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 2.0 3.0 7.0
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
0.1
t, TIME (s)µ
tr
1.0 5.0
0.2
0.07
ts
Cob
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
ISSUE AA
TO–220AB
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
7
Notes
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N6107/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
