Complementary Power
Transistors
DPAK For Surface Mount Applications
. . . for general purpose power and switching such as output or
driver stages in applications such as switching regulators, converters,
and power amplifiers.
•Lead Formed for Surface Mount Application in Plastic Sleeves
(No Suffix)
•Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
•Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel for Surface Mount
(“T4” Suffix)
•Electrically Similar to Popular D44H/D45H Series
•Low Collector Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 1.0 Volt Max @ 8.0 Amperes
•Fast Switching Speeds
•Complementary Pairs Simplifies Designs
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
D44H11 or D45H11
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
8
16
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation
@ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
20
0.16
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation (1)
@ TA = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
1.75
0.014
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
–55 to 150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
6.25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
71.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Lead Temperature for Soldering
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TL
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
(1) These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad size recommended.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
November, 2001 – Rev. 5 1Publication Order Number:
MJD44H11/D
MJD44H11
MJD45H11
CASE 369A–13
SILICON
POWER TRANSISTORS
8 AMPERES
80 VOLTS
20 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
CASE 369–07
MINIMUM PAD SIZES
RECOMMENDED FOR
SURFACE MOUNTED
APPLICATIONS
0.243
6.172
0.063
1.6
0.118
3.0
0.100
2.54 0.165
4.191
0.190
4.826
inches
mm
*
NPN
PNP *
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
Min
Typ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 30 mA, IB = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎ
80
Î
—
ÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VBE = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎ
—
Î
—
ÎÎ
10
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎ
—
Î
—
ÎÎ
50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
—
—
1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 8 Adc, IB = 0.8 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎ
—
Î
—
ÎÎ
1.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 2 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎ
60
Î
—
ÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(VCE = 1 Vdc, IC = 4 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ÎÎ
40
Î
—
ÎÎ
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Capacitance
(VCB = 10 Vdc, ftest = 1 MHz) MJD44H11
MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Ccb
ÎÎ
—
—
Î
130
230
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Gain Bandwidth Product
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 20 MHz) MJD44H11
MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎ
ÎÎ
—
—
Î
Î
50
40
ÎÎ
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING TIMES
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Delay and Rise Times
(IC = 5 Adc, IB1 = 0.5 Adc) MJD44H11
MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
td + tr
ÎÎ
—
—
Î
300
135
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJD44H11
MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ts
ÎÎ
ÎÎ
—
—
Î
Î
500
500
ÎÎ
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
(IC = 5 Adc, IB1 = IB2 = 0.5 Adc) MJD44H11
MJD45H11
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
tf
ÎÎ
—
—
Î
140
100
ÎÎ
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ns
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
3
t, TIME (ms)
1
0.01
1 k
0.3
0.2
0.07
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL
RθJC(t) = r(t) RθJC
RθJC = 6.25°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.7
Figure 1. Thermal Response
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500
0.2
SINGLE PULSE
D = 0.5
0.1
0.02
0.01
0.05
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
20
1
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.02 3 100
2
0.5
5
0.1
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
WIRE BOND LIMIT
5 7 20 7010
100µs
dc
0.05
0.3
1
3
10
5030
Figure 2. Maximum Forward Bias
Safe Operating Area
1ms
500µs
5ms
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 2 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. TJ(pk) may be calculated from the data in
Figure 1. A t high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
25
25
T, TEMPERATURE (°C)
050 75 100 125 150
20
15
10
5
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TATC
Figure 3. Power Derating
TC
TA
SURFACE
MOUNT
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
1000
0.1
Figure 4. MJD44H11 DC Current Gain
10 110
100
Figure 5. MJD45H11 DC Current Gain
Figure 6. MJD44H11 Current Gain
versus Temperature Figure 7. MJD45H11 Current Gain
versus Temperature
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
Figure 8. MJD44H11 On–Voltages
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
110
TJ = 25°C
Figure 9. MJD45H11 On–Voltages
VCE = 1 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1
0.8
SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.4
0
0.6
0.2
1
10
hFE, DC CURRENT GAIN
1000
0.1
10 110
100
VCE = 1 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4 V
1000
0.1
10 110
100
TJ = 25°C
1 V
TJ = 125°C
25°C
-40°C
hFE, DC CURRENT GAIN
1000
0.1
10 110
100
VCE = 1 V
VBE(sat)
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE(sat)
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE AA
DPAK
D
A
K
B
R
V
S
FL
G
2 PL
M
0.13 (0.005) T
E
C
U
J
H
–T– SEATING
PLANE
Z
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.235 0.250 5.97 6.35
B0.250 0.265 6.35 6.73
C0.086 0.094 2.19 2.38
D0.027 0.035 0.69 0.88
E0.033 0.040 0.84 1.01
F0.037 0.047 0.94 1.19
G0.180 BSC 4.58 BSC
H0.034 0.040 0.87 1.01
J0.018 0.023 0.46 0.58
K0.102 0.114 2.60 2.89
L0.090 BSC 2.29 BSC
R0.175 0.215 4.45 5.46
S0.020 0.050 0.51 1.27
U0.020 --- 0.51 ---
V0.030 0.050 0.77 1.27
Z0.138 --- 3.51 ---
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
123
4
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369–07
ISSUE M
DPAK
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
123
4
V
S
A
K
–T–
SEATING
PLANE
R
B
F
GD3 PL
M
0.13 (0.005) T
C
E
JH
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.235 0.250 5.97 6.35
B0.250 0.265 6.35 6.73
C0.086 0.094 2.19 2.38
D0.027 0.035 0.69 0.88
E0.033 0.040 0.84 1.01
F0.037 0.047 0.94 1.19
G0.090 BSC 2.29 BSC
H0.034 0.040 0.87 1.01
J0.018 0.023 0.46 0.58
K0.350 0.380 8.89 9.65
R0.175 0.215 4.45 5.46
S0.050 0.090 1.27 2.28
V0.030 0.050 0.77 1.27
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
7
Notes
MJD44H11 MJD45H11
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MJD44H11/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver , Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada