Doubles transistors NPN silictum Dual NPN silicon transisters 2N 2639 2N 2640 2N 2641 2N 2642 2N 2643 2N 2644 x *& % * KF - Amplification diffrentielie Differential amplification - Modles doubles des transistors lmentaires 2N 929, 2N 930 Dual model of elementary transistors 2N 929 and 2N 930 Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation P tot tw) 09 N {4 06 (3) (2) 0,3 N tamb(C) () (2) 0 50 100 150200 teage (9) (3) 4) * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Veeco | 45V le 30 mA hate } 50-300 2N 2639-2N 2640-2N 2641 (10 2A) (100-300 2N 2642-2N 2643-2N 2644 hoie4 | 0,9 min. 2N 2639 - 2N 2642 fio1E2 ) 0.8 min. 2N 2640 - 2N 2643 Boitier F 100 Case Valeurs limites absolues d'utilisation & tamp= 25C Absolute ratings (limiting values) (Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified) Parambtre Porameter Tension collecteur-base Collector-base vattage VeBo 45 v Tension collecteur-metteur Colfector-emitter valtage VcEO 45 v Tension metteur-base Vv 5 Vv Emitter-base voltage EBO Courant collecteur Cotlector current Ic 30 mA tamb=2 c 1lment (1) 0,3 sect gt . 2 lments (2) Dissipation de puissance Pp | Ww Power dissipation 1lment (3) tot 06 Tease 25C 2 lments (4) 1,2 Temprature de jonction Junction temperature max. q 178 c Temprature de stockage min. t 65 c Storage temperature max. stg +200 Seowsen 1970-07 1/42N 2639 * 2N 2640 * 2N 2641 * 2N 2642 * 2N 2643 * 2N 2644 * Caractristiques gnrales & tamh = 25C General characteristics (Sauf indications contraires} (Unless otherwise specified) Caractristiques d'appariement Matching characteristics h.. Condition d appariement du rapport 2N 2639 211 0,9 1 de transfert direct du courant Iq =10uA 2N_2642| 1) Static forward current transfer ratio balance Vope8 Vv 2N 2640 hon n 08 1 2N 2643} 2N 2639 5 Tension diffrentielle base-metteur IG =10 uA 2N 2642], mV Base-emitter voltage differential Vop=8 Vv 2N 2640 BE BEZ 10 2N 2643 Ie =10uA 2N 2639 10 Vce= 5V 2N 2642 _ . 3 2N 2640 Coefficient de temprature de la tension | -55C< tamb<+25C AV_.-V 20 diffrentielle base-metteur 2N 2643 |4Vpe1 pez uW/C Base-emitter voltage differential . - temperature gradient lc =10yuA 2N 2639 A tamp 10 Vog=5V 2N 2642 +25C< <4 125C 2N 2640 20 Stambs 2N 2643 Note :hoy4 1 est le plus petit des deux hg4. mesurs The lowest noyey reading is taken as No4e7 Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor le =0 Vop=45 V 10 | nA Courant rsiduel collecteur-base I; =0 cBo Collector-base cut-off current E Vv, p45 Vv 10 mA tamper 180C Courant rsiduel coliecteur-metteur Ip = | Collector-emitter cut-off current Vog=5 Vv CEO 10 nA I. =0 Courant rsiduel metteur-base c Emitter-base cut-off current Veg 5 Vv lEBO 10 nA 2/4*2N 2639 * 2N 2640 * 2N 2641 *2N 2642 * 2N 2643 *2N 2644 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics (Sauf indications contraires } {Unless otherwise specified) Caractristiques statiques pour chaque transistor lmentaire Static characteristics for each elementary transistor Max. Max. Tension de claquage collecteur-metteur Q Vipryced 45 Coflector-emitter breakdown voltage le =10mA v in =10 uA Cc Vog=5 Vv 50 300 ig 2100 GA 2N 2639 VacbV 2N 2640 55 cE 2N 2641 le =1mA Vog=5 V 85 lq =100 ZA Voce SV 100 | 300 Valeur statique du rapport du transfert Io =10 uA 2N 2642 direct du courant V5 V 2N 2643} ho4_ 110 Static forward current transfer ratio CE 2N 2644 \e =1mA Vog=5 V 130 2N 2639 10 Ig =10KA 2N 2640 Vogs5 V 2N 2641 t 55C 2N 2642 ambi 2N 2643 20 2N 2644 Tension de saturation collecteur-metteur Ic =10 mA Vee V Colfector-emitter saturation voltage Ig =0,5 mA sat 1 Tension de saturation base-metteur Yo =l0mA Vv 06 Base-emitter saturation valtage Ig =0,5mA BEsat " 1 Vv * Impuisions tp = 300 ps 8 < 2% d soe ge . - ape . Pulse Caractristiques dynamiques pour chaque transistor lmentaire (pour petits signaux) Dynamic characteristics for each elementary transistor {for small signals} Rapport de transfert direct du courant Forward current transfer ratio Io =1mA Vcez5 V f =tkHz 2N 2639 2N 2640 2N 2641 2N 2642 2N 2643 2N 2644 65 600 hate 130 600 * impulsions ty = 300us 5 < 2% Pulsed Ria2N 2639 * 2N 2640 * 2N 2641 * 2N 2642 * 2N 2643 * 2N 2644 * Caractristiques gnrales @ tambh = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques pour chaque transistor lmentaire (pour petits signaux) Dynamic characteristics for each elementary transistor (for small signals} Impdance d'entr fost kh mpdance dentre inaut impedance Io =1mA Mib 25 32 Q Vop=5V Rapport de transfert inverse f =1kHz 4 je la tension ~ inverse voltage transfer ratio Ic =1mA 42b 6 10 Vep=oV f =1kHz Admittance de sortie = Output admittance Ic tmA h20b i uS Vegp= 5 V CB lo =1mA Frquence de transition Vog= SV a 60 MHz Transition frequency t = 20 MHz Capacit de sortie Vop=oV Output capacitance le = Comb 8 pF f =1MHz Ie =10uA Facteur de bruit VeRp=5V an cB F 4 dB Noise figure R =10kQ B =15,7 kHz 4/4