BY500-50 ... BY500-1000 BY500-50 ... BY500-1000 Fast Silicon Rectifier Diodes - Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-08 Nominal current Nennstrom 7.5 0.1 Type 62.5 0.5 O 5.4 0.1 O 1.2 0.05 Dimensions - Mae [mm] 5A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehause O 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] BY500-50 50 50 BY500-100 100 100 BY500-200 200 200 BY500-400 400 400 BY500-600 600 600 BY500-800 800 800 BY500-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50C IFAV 5 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 200/220 A Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 200 A2s Tj TS -50...+175C -50...+175C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY500-50 ... BY500-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage - Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 5 A VF < 1.3 V Leakage current - Sperrstrom Tj = 25C VR = VRRM IR < 5 A Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 19 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 8 K/W 120 103 [%] [A] 100 10 2 80 Tj = 125C 10 60 40 Tj = 25C 1 20 IF IFAV 10 0 0 TA 50 100 150 [C] Rated forward current versus ambient temperature1) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 200a-(5a-1.3v) -1 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand von Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG