SFH 9202
Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse
Reflective Interrupter in SMT Package
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm
• IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender
• Si-NPN-Fototransistor: Empfänger
• Tageslichtsperrfilter
• Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA
• Geringe Sättigungsspannung
• Sender und Empfänger galvanisch getrennt
Anwendungen
• Positionsmelder
• Endabschalter
• Drehzahlüberwachung
• Bewegungssensor
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code ICE
IF = 10 mA, VCE = 5 V, d = 1 mm
mA
SFH 9202 Q62702-P5039 0.063 … 0.32
SFH 9202-2/3 Q62702-P5009 0.063 … 0.2
SFH 9202-3/4 Q62702-P5010 0.10 … 0.32
Features
• Optimal operating distance 1 mm to 5 mm
• IR-GaAs-infrared emitter
• Silicon NPN phototransistor detector
• Daylight filter against undesired light effects
• Collector-emitter current typ. 0.2 mA
• Low saturation voltage
• Emitter and detector electrically isolated
Applications
• Position reporting
• End position switch
• Speed monitoring
• Motion transmitter
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9202
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs diode)
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Vorwärtsgleichstrom
Forward current IF50 mA
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 80 mW
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (silicon phototransistor)
Dauer-Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Continuous collector-emitter voltage VCE 16 V
Kollektor-Emitter-Sperrspannung, (t≤1 min)
Collector-emitter voltage, (t≤1 min) VCE 30
Emitter-Kollektor-Sperrspannung
Emitter-collector voltage VEC 7
Kollektorstrom
Collector current IC10 mA
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Reflexlichtschranke
Light Reflection Switch
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 40 … + 85 °C
Umgebungstemperatur
Ambient temperature range TA– 40 … + 85
Elektrostatische Entladung
Electrostatic discharge ESD 2 KV
Umweltbedingungen / Environment conditions 3 K3 acc. to EN 60721-3-3 (IEC 721-3-3)
SFH 9202
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Sender (GaAs-Diode)
Emitter (GaAs diode)
Durchlaβspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
VF1.25 (≤1.65) V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤1) µA
Kapazität
Capacitance
VR= 0 V, f = 1 MHz
CO25 pF
Wärmewiderstand1)
Thermal resistance1) RthJA 400 K/W
Empfänger (Si-Fototransistor)
Detector (silicon phototransistor)
Kapazität
Capacitance
VCE = 5 V, f = 1 MHz
CCE 5pF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitter leakage current
VCE = 20 V
ICEO 1(≤ 50) nA
Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit)
Photocurrent (outside light density)
VCE = 5 V, Ev = 1000 Lx
IP1mA
Wärmewiderstand1)
Thermal resistance1) RthJA 400 K/W
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9202
Reflexlichtschranke
Light Reflection Switch
Kollektor-Emitterstrom
Collector-emitter current
Kodak neutral white test card, 90% Reflexion
IF = 10 mA; VCE = 5 V; d= 1 mm
ICE min.
ICE typ.
63
200 µA
µA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
Kodak neutral white test card, 90% Reflexion
IF = 10 mA; d = 1 mm; IC = 20 µA
VCE sat 0.15 (≤0.6) V
1) Montage auf PC-Board mit > 5 mm2 Padgröβe
1) Mounting on pcb with > 5 mm2 pad size
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
OHM02257
d
Reflector
with 90% reflexion
(Kodak neutral white
test card)
SFH 9202
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Schaltzeiten (TA=25°C, VCC =5V,IC= 100 µA1),RL=1kΩ)
Switching Times
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Einschaltzeit
Turn-on time tein
ton
40 µs
Anstiegzeit
Rise time tr30 µs
Ausschaltzeit
Turn-off time taus
toff
45 µs
Abfallzeit
Fall time tf40 µs
1) ICeingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom
Bauteil (d)
1) ICas a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between
reflector and component (d)
OHM02258
Ι
F
V
CC
R
L
Ι
C
Output
SFH 9202
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
Collector Current
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
Forward Voltage (typ.) of the
Diode VF = f (T)
IC
ICmax
-------------- fd()=
0
OHO02255
Ι
C
d
0
max
C
Ι
20
40
60
80
%
100
1234mm5
Kodak neutral
white test card Mirror
0
OHO02259
Ι
F
A
T
0 20 40 60 80 100C
20
40
60
80
100
120
mA
1
OHO02256
T
-40
F
V
-20 0 20 40 60 100
1.05
1.10
1.15
1.20
1.25
1.30
V
5 mA
10 mA
Ι
F
= 20 mA
C
Permissible Power Dissipation for
Diode and Transistor Ptot = f (TA )
Transistor Capacitance (typ.)
CCE = f (VCE), TA = 25 °C, f = 1 MHz
Relative Spectral Emission of
Emitter (GaAs) Irel = f (λ)and
Detector (Si) Srel = f (λ)
0
OHO02260
P
tot
A
T
0 20 40 60 80 100C
40
80
120
mW
160 Total power dissipation
Detector
Emitter
V
OHO00496
CE
-2
10
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
pF
C
5
10
15
20
CE
0
OHO00786
S
rel
λ
700
rel
Ι
20
40
60
80
%
100
800 900 1000 nm 1100
Detector
Emitter
Switching Characteristics t=f(RL)
TA = 25 °C, IF = 10 mA
CollectorCurrentIC=f(IF),spacing
d to reflector = 1 mm, 90% reflection
Output Characteristics (typ.)
IC = f (VCE), spacing to reflector:
d= 1 mm, 90% reflection, TA=25°C
OHO01367
t
L
R
10
1
10
0
10
2
10
3
s
10
1
10
2
k
Ω
µ
t
on
t
off
OHO01324
0
C
Ι
mA
0
A
F
Ι
300
4 8 12 16 20
= 5 V
CE
V
100
200
µ
V
OHO01326
CE
0.1
0
Ι
C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
mA
Ι
F
= 25 mA
= 20 mA
Ι
F
= 15 mA
Ι
F
= 10 mA
Ι
F
= 5 mA
Ι
F
10 V
0
10
1
SFH 9202
2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
3.4
3.0
5.8
6.2
0.15
0.13
0...0.1
1.27 spacing
2.1
1.7
4
6
1
3
GEO06840
4.2
3.8
0.3
0.5
25
Type 1 2 3 4 5 6
SFH 9202 Anode – Emitter Collector – Cathode
2000-01-01 8 OPTO SEMICONDUCTORS
SFH 9202
Bitte Verarbeitungshinweise für SMT-Bauelemente beachten!
Please observe the handling guidelines for SMT devices!
Löthinweise
Soldering Conditions
Bauform
Type Drypack
Level acc.
to
IPS-stand.
020
Tauch-, Schwalllötung
Dip, Wave Soldering Reflowlötung
Reflow Soldering Kolbenlötung
Iron Soldering
Peak Temp.
(solderbath) Max. Time in
peak zone Peak Temp.
(package
temp.)
Max. Time
in Peak
Zone
(Iron temp.)
SFH 9202 4 n. a. – 245 °C 10 sec. n.a.
