Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPN silicon transistors Epitaxial planar 2N 2194 2N 2194 A * 2N 2195 * 2N 2195 A - Amplification BF grands signaux LF large signal amplification - Commutation 4 moyen courant * Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features Medium current switching Veeco }25y ON 2195, lo 1A ho1eE 20 - 60 2N 2194, A (150 mA) 26 min, 2N 2195, A Dissipation de puissance maximale VcEsat 0.28 v mane, ON roan Maximum power dissipation (150 mA) | * max. 2N 2194A-2195A 4 os Boitier TO-39 PN y 1 oN? rT N 1 NM, t o8fle (iy 2N 2 0.6 Tee | ty 2N 2795 5 tamb(C) (1) ase | ff ii Le collecteur est reli au boftier 50 100 150 200 tease(C) (2) Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamp= 25C Absolute ratings (limiting values) T Parambtre 2N2194,A | 2N 2195,A Tension collecteur-base Collector-base voltage Vcso 60 45 Vv Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Vceo 40 25 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo 5 5 v Courant coltecteur | Collector current Cc 1 1 A =25 0,8 0,6 Dissipation de puissance tamb= 2 c (1) Pp w Power dissipation t =25C (2) tot case 2,8 2,8 Temprature de jonction Junction temperature max. q 200 200 c Temprature de stockage min. tet 65 65 c Storage temperature max. stg +200 +200 gat. SesMsenr 0 nanan. oF 1970-09 1/102N 2194 2N 2194 A 2N 2195 * 2N 2195 A * Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics (Sauf indications contraires) {Untess otherwise specitied) Caractristiques statiques Static characteristics I; <0 2N 2194,A\ 0,01 Courant rsiduel collecteur-base E = lego uA Collector-base cut-off current Vop=s0 Vv 2N 2195, 0,1 2N 2194,A\ 25 fe =0 Courant rsiduet cotiecteur-base Vogz30 V logo BA Collector-base cut-off current =150C tamb= 8 2N 2195.4 50 I. =0 2N 2194,A 0,05 Courant rsiduel metteur-base Cc t BA Emitter-base cut-off current Vep=3 Vv 2N2195,A EBO 01 le =0 2N 2194,4 60 Tension de claquage collecteur-base - Vv Vv Collector-base breakdown voltage le =100 pA ON 2195,A\ (BR)CBO 45 ln =0 2N 2194,A) x| 40 Tension de claquage collecteur-metteur (BR)CEO Vv Collector-emitter breakdown voltage le =25 mA 2N 2195.4 25 I, =0 2N 2194,A\ 5 Tension de claquage metteur-base Cc Vip R)EBO! Vv Emitter-base breakdown voltage le =100 pA 2N 21954 5 Iq =10mA h Vac=10 V 2N 2194,A\ 21E 15 CET Ip =150 mA Vig=10 Vv 2N2194,A 20 60 Valeur statique du rapport du transfert _| direct du courant Static forward current transfer ratio le =500 mA h * 2 Vog=10 V 2N 2194,A 21E In =150 mA c 2N 2195, 20 | Vogpziav [ * Impulsions t, = 300us Pulsed P < 2% 2/102N 2194 2N 2194 A *2N 2195 *2N 2195 A Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics Max. Max: 2N 2194 0,35 = 2N 2195 Tension de saturation collecteur-metteur \g =150 mA Ve Esat Vv Collector-emitter saturation vottage tp =15 mA 2N2194 A 0,16 | 0,25 2N 2195 Al = 2N 2194,A\ 1,3 Tension de saturation base-metteur Ic in, mA Pd Vine cot Vv Base-emitter saturation voltage Ip =15m ON 2195,A 13 Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smail signals) lq =50mA Frquence de transition = f. Frequence frequency Voge=to Vv T 50 MHz f =20MHz Vepezio Vv Capacit de sortie cB - Output capacitance I; =0 (225 20 | pF f =1MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics : Vv, =15V Temps de croissance 1 t 7 Rise time Fig | Vppr15 Vv 2N 2194,A v 0 ns Retard a la dcroissance Fig 1 Vy =18V 2N 2194,A t, 150 ns Storage time Vpp=15 Vv s . Vy =15V Temps de dcroissance j 1 t Fall time Fig 1 Vppr-18 V 2N 2194) 50 | ns 3/102N 2194 2N 2194 A 2N 2195 * 2N 2195 A * Schma de mesure des temps de commutation Switching times test circuit 2N 2194,A Figure 1 Oscilloscope t < 6ns _-__ Oscitloscope rr R = 10M tv o Pt Cc < 11,5pF G 402 nrateur y 1 Generator 1 . 1 ne WW 2 k Z = 502 I VV . t = 20ns _ 7 t = 20ns 512 1kQ ._{f- th = 10us 330 pF Vep=18 Vv a/to2N 2194 2N 2194 A * 2N 2195 * 2N 2195 A Caractristiques statiques Static characteristics tamb = 25C 2N 2194 2N 2195 2N 2194 A 2N 2195 A a ima) Voce 'V) Veg {V) ig (ma) 5 5 Voge ) Vee (v) 5/102N 2194 2N 2194 A 2N 2195 * 2N 2195 A* Caractristiques statiques Static characteristics tamb = 100C 2N 2194 2N 2195 2N 2194A 2N 2195A a oe Jo (ma} Iq (mA) 50 40 0 Vog (VI Voge (Vv) Io (ma} ig. (mA) 4 5 Vog Vog (Vv) 6/102N 2194 2N 2194 A *2N 2195 *2N 2195 A Caractristiques statiques Static characteristics tamb = 55C 2N 2194 2N 2195 2N 2194 A 2N 2195A we a Ig (ma) Ig (mA) 50 Vog (v) lo (mA) lo (mA) 5 5 Vog (Vv) Vor (V) 7/102N 2194 2N 2194 A 2N 2195 * 2N 2195 A * Caractristiques statiques Static characteristics 2N 2194 2N 2194 A we wat 75 25 0,01 0,1 1 100 1g (ma) iv) Vee 8/10 2N 2195 2N 2195 A we note 0,01 0,1 1 100 1000 1000 Ig (mal ig (ma) 1g (mA) tamb = 25C Vee (Vv)2N 2194 2N 2194 A *2N 2195 *2N 2195 A Caractristiques statiques Static characteristics Voesat (V! 0,01 0,1 1 10 1000 Ig (ma) 2N 2195A on 0,01 0,1 1 ; A 4 1000 te (ma) 2N 2194.4 100 7000 Ig (ma) 2N 2194.A 2N 2195,A 9/102N 2194 2N 2194 A 2N 2195 * 2N 2195 A* Caractristiques statiques Static characteristics leBo (nA) amb (c) Caractristiques dynamiques Dynamic characteristics Comb (pF) Ip=0 f=1MHz tt, =25 Vog (Vv) 10/10