Semiconductor Group 1 1997-11-01
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Wesentliche Merkmale
●GaAs-IR-LED, hergestellt im
Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Hohe Impulsbelastbarkeit
●Lange Anschlüsse
●Gruppiert lieferbar
●Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
●Gerätefernsteuerungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
liquid phase epitaxy process
●High reliability
●High pulse handling capability
●long leads
●Available in groups
●Same package as SFH 300, SFH 203
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
●Remote control of various equipment
●Photointerrupters
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fex06628
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
ø5.1
ø4.8
0.8
0.4
0.6
0.4
2.54mm
spacing
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
11.4
11.0
14.0
13.0
1.8
1.2
1.3
1.0
Area not flat
0.6
0.4
Cathode Chip position
GEX06239
Approx. weight 0.5 g
1.0
0.7
Semiconductor Group 2 1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
LD 271 Q62703-Q148 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
5 mm LED package (T 1 3/4), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)
LD 271 L Q62703-Q833
LD271 H Q62703-Q256
LD271 HL Q62703-Q838
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF130 mA
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 220 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 330 K/W
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group 3 1997-11-01
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 mA
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ± 25 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimensions of the active chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top H4.0 ... 4.6 mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz
Capacitance Co40 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.30 (≤ 1.5)
1.90 (≤ 2.5)V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe18 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λ,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ,IF = 100 mA TCλ0.3 nm/K
Semiconductor Group 4 1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
LD 271
LD 271 L LD 271 H
LD 271 HL
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsIe
Ie typ.
15 (≥10)
120 > 16 mW/sr
mW/sr
Relative spectral emission
Irel =f(λ)
OHRD1938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Ie
Ie100 mA = f(IF)
Ι
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
Max. permissible forward current
IF=f(TA)
T
OHO00364
A
0
F
Ι
0 20 40 60 80 100C
mA
20
40
60
80
100
120
140
160
200
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Semiconductor Group 5 1997-11-01
Forward current
IF=f (VF), single pulse, tp = 20 µs
V
OHR01041
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 V 4.5
max.
typ.
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
t
OHR00257
P
10
-5
s
T
t
p
D
=
t
p
T
Ι
F
10
4
Ι
F
DC
0.5
0.2
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
mA
10
3
10
2-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
2
10
=
D
5
5
Radiation characteristics Irel =f(ϕ)
OHR01879
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
