Transistors PNP germanium 2N 396 2N 396 A PNP germanium transistors 2N 397 2K Dispositif recommand Prefered device - Commutation moyenne vitesse Donnes principales Medium speed switching Principal features Veso 30 V Ic 200 mA hate 30-150 2N 396, A i. . . (10 mA) 1 40,50 2N 397 Bras bation (de puissance maximale Voesat (50 mA) 0,2 V max. Prot (mw) Boitier TO: 39 fase Cc E B 397 0 20 40 60 80 tomb(?C) Le collecteur est reli au boitier Collector is connected to case Valeurs limites absolues d'utilisation @ tamy= 25C Absolute ratings (limiting values) Tension collecteur-base Collector-base voltage VcBo Tension collecteur-metteur _ _ Collector-emitter voltage Vceo ~20 20 15 v Tension metteur-base _ _ _ Emitter-base voltage VeBo 20 20 20 v Courant collecteur Collector current Ic 200 200 200 mA Dissipation de puissance Power dissipa ton es Prot 150 200 150 mw t < 50us = 20% 500 500 500 Temprature de jonction t Jeera tempersture max. J 85 100 85 Ke Temprature de stockage min. te 65. 65 65 c Storage temperature max. 9 +100 +100 +100 1970 - 04 V5 S@OSesen2N 396 2N 396 A 2N 397 Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics ( Sauf indications contraires) (Unless otherwise specitied) tamb = 58C Courant rsiduel collecteur-base I =0 Collector-base cut-off current E 'cBo HA Veg =7-20V 12N 396A 120 tamb = 70C Veg =2V Courant rsiduel collecteur-metteur Voge = -20V an 396A| 'cex 6 | uA Collector-emitter cut-off current Rg = 10K 1 = Courant rsiduel metteur-base c 'EBo ~15| -6 | #A Emitter-base cut-off current Veg =10V I =0 Tension de claquage collecteur-base E v _ Contactor bare brockdown voltage lo = ~100 2A 2N 396 A |"(BR)CBO 30 Vv Tension de cl lecteur-mett 'p =0 Vv. 20 ension de claquage collecteur-metteur Collector-emiteor breakdown voltage Ie = 600A 2N 396 A |"'(BR)CEO Vv | =0 Tension de claquage metteur-base c Vv, Emitter-base breakdown voltage '_ =100 pA 2N 396 A|"(BRIEBO| 20 Vv 2N 396 20 Tension de pntration Vv, ~20 Punch-through voltage 2N 396 A pt 7E Vv 2N 397 - Ig =10mA 2N 396 30 450 2N 396A 30 150 Vee =-1V oN 397 40 150 1 = 200 ma|_2N 396 15 45 Valeur statique du rapport du transfert c direct du courant pp 2N396 A} Doig 1S Static forward current transfer ratio Voce = 0,35 V 2N 397 20 60 lo = 10 mA Vog =-1V 2N 396A 20 2/52N 396 2N 396 A 2N 397 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics =50 mA Tension de saturation collecteur-metteur Collector-emitter saturation voltage =3,5 mA Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signals} Ig =imA 2N 396 5 9 Frquence de coupure 2N 396A thot MHz Cut-off frequency Vep =-5V ON 397 10 13 Ves =-5V Capacit de sortie Ig =tmA Coon 20 | pF Output capacitance f =1 MHz Caractristiques de commutation Switching characteristics ic ~10 mA Retard a la croissance \g s~-1mA_ }2N 306A ta 0,1 0.2 | us Delay time ~ Vag*11V Iq s-10mA Temps de croissance Ig =-1mA |2N 396A t 0,2 0,65] us Rise time w1tV Vee* Io -10mA Retard a la dcroissance 'B4 s-IiMA 2N 396A ts 0,25 0,8 ys Storage time ~ Igo = 1mA Iq -10mA t Temps de dcroissance ! ~1TMA Fait Pee B1 2N 396A 0,2 0,4 | us 'po s1mA 352N 396 2N 396 A 2N 397 Schma de mesures des temps de commutation Switching times tests circuit Relais Relay 10k2+1% . Oscilloscope Oscilloscope P 1KDE1% 1ov 5 ] WV 7 10V e I Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsians) (puise tests) 2N 396 - 2N396A Ig (mA) ~lo (mA) 50 150 40 30 tamb = 25C 100 20 50 10 hore ~Vee 'V) 05 60 0.4 40 03 0.2 20 o4 {mA) (ma) 4/52N 396 2N 396 A 2N 397 Caractristiques statiques Static characteristics (mesures en impulsions) (pulse tests} 2N 397 Hg (ma) tg (ma) 50 150 0 30 - 9 100 tamb= 25C 20 50 10 0 5 10 i Veg (v) 02 04 06 08 v. Iv) hore Vpe (V) 100 0.5 80 0.4 oo 03 40 02 20 oA Vv, ~ 0 50 100 150 Ig (ma) 0 50 400 150 Ig (mA) 2N 396 - 2N 396 A - 2N 397 Caractristiques normalises ed Normalized characteristics ! t, CBO } 100 lego (26C) 10 5/5